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BTA2008 D系列和E
0.8三象限三端双向可控硅整流高
版本01 - 2008年1月18日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化，保证减刑，在SOT54塑料包装敏感栅三端双向可控硅
1.2产品特点
I
保证换向性能
在每个门的灵敏度
I
敏感栅
I
轻松连接低功率驱动器
包括微控制器
1.3应用
I
电机控制
I
螺线管驱动器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
V
DRM
≤
600 V （ BTA2008-600D ）
V
DRM
≤
600 V （ BTA2008-600E ）
V
DRM
≤
800 V （ BTA2008-800D ）
V
DRM
≤
800 V （ BTA2008-800E ）
I
TSM
≤
9 A（ t为20毫秒）
I
I
I
I
I
I
GT
≤
5毫安（ BTA2008-600D ）
I
GT
≤
5毫安（ BTA2008-800D ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA2008-600E ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA2008-800E ）
I
T（ RMS ）
≤
0.8 A
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
钉扎
描述
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
主终端1 （T1）的
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
321
SOT54 （ TO-92 ）
恩智浦半导体
BTA2008 D系列和E
0.8三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA2008-600D
BTA2008-600E
BTA2008-800D
BTA2008-800E
TO-92
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA2008-600D ; BTA2008-600E
BTA2008-800D ; BTA2008-800E
全正弦波;牛逼
领导
≤
70
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
0.8
单位
V
V
A
-
-
-
-
-
-
9
9.9
0.41
100
1
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
能力= 20 mA ;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
BTA2008_SER_D_E_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年1月18日
2 12
恩智浦半导体
BTA2008 D系列和E
0.8三象限三端双向可控硅整流高
1.0
P
合计
(W)
0.8
003aac118
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
120°
90°
α
60°
30°
0.6
0.4
0.2
0.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I
T（ RMS ）
(A)
0.9
α
=导通角
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aac116
12
I
TSM
(A)
8
4
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA2008_SER_D_E_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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3 12
恩智浦半导体
BTA2008 D系列和E
0.8三象限三端双向可控硅整流高
10
3
I
TSM
(A)
I
T
003aac119
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
(1)
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
图3 。
非重复性峰值通态电流的脉冲持续时间的函数;最大值
003aac117
003aac115
12
I
T（ RMS ）
(A)
10
1
I
T（ RMS ）
(A)
0.8
8
0.6
6
0.4
4
0.2
2
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
150
T
领导
(°C)
F = 50赫兹
T
领导
= 70
°C
图4 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5 。
RMS通态电流引线的功能
温度;最大值
BTA2008_SER_D_E_1
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4 12
恩智浦半导体
BTA2008 D系列和E
0.8三象限三端双向可控硅整流高
5.热特性
表4 。
符号
R
日（ J形引脚）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
典型值
-
150
最大
60
-
单位
K / W
K / W
从结点到全周期的热阻;看
图6
领导
从结热阻的印刷电路板
环境
安装;引线长度4毫米
10
2
Z
日（ J形引脚）
（K / W）
10
003aac206
1
P
10
1
t
p
t
10
2
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结瞬态热阻抗导致的脉冲持续时间的函数
BTA2008_SER_D_E_1
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版本01 - 2008年1月18日
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