BTA / BTB10系列
10A双向可控硅
S
无缓冲器 &标准
主要特点：
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT （Q
1
)
价值
10
600和800
25至50
单位
A
V
mA
G
A2
A1
A2
描述
可无论是在标准或无缓冲器
版本中， BTA / BTB10双向可控硅系列适合
通用AC开关。它们可以用于
作为开/关功能中的应用，如
静态继电器，加热调节，感应电机
起动电路...或用于相位控制操作
调光器，电机速度控制器， ...
在无缓冲器的版本（W后缀）是专
推荐使用在感性负载，由于
其高的换向性能。
通过使用内部陶瓷垫， BTA系列
提供电压绝缘片（额定电压为2500 V
RMS） UL标准（文件编号：遵守
E81734).
绝对最大额定值
符号
I
T（ RMS ）
RMS通态电流
（全正弦波）
不重复浪涌峰值通态
电流（完整周期， TJ初始= 25°C ）
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
， TR
≤
100纳秒
参数
A1
A2
G
A1
A2
G
TO- 220AB绝缘
(BTA10)
TO-220AB
(BTB10)
价值
TO-220AB
TC = 105℃
10
TC = 95℃
T = 16.7毫秒
t为20毫秒
105
100
55
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
50
V
DRM
/V
RRM
+ 100
单位
A
TO- 220AB插件。
F = 60赫兹
F = 50赫兹
TP = 10毫秒
F = 120赫兹
TP = 10毫秒
TP = 20微秒
I
TSM
A
I
t
的di / dt
A
s
A / μs的
V
A
W
°C
1/6
V
帝斯曼
/V
RSM
非重复浪涌峰值断态
电压
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
2002年4月 - 埃德： 5A
BTA / BTB10系列
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
s
无缓冲器 （ 3象限）
符号
测试条件
象限
BTA/BTB10
CW
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
（的dI / dt的） C（2）
V
D
= 12 V
V
D
= V
DRM
I
T
= 500毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 % V
DRM
门敞开着TJ = 125°C
无缓冲
TJ = 125°C
I - III
II
分钟。
分钟。
R
L
= 33
R
L
= 3.3 k
TJ = 125°C
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
35
50
60
500
5.5
35
1.3
0.2
50
70
80
1000
9.0
V / μs的
A / MS
BW
50
mA
V
V
mA
mA
单位
s
STANDARD （ 4象限）
符号
测试条件
象限
BTA/BTB10
C
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
V
D
= V
DRM
I
T
= 500毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 %V
DRM
门敞开着TJ = 125°C
TJ = 125°C
I - III - IV
II
分钟。
分钟。
（的dV / dt ）C （ 2 ） （ di / dt的）C = 4.4 A / MS
R
L
= 3.3 k
TJ = 125°C
V
D
= 12 V
R
L
= 33
I - II - III
IV
所有
所有
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
25
40
80
200
5
25
50
1.3
0.2
50
50
100
400
10
V / μs的
V / μs的
B
50
100
mA
V
V
mA
mA
单位
静态特性
符号
V
TM
(2)
V
to
(2)
R
d
(2)
I
DRM
I
RRM
注1 ：
最小的IGT是guaranted在IGT的最大值的5％。
注2 ：
为A2的两极参考A1
测试条件
I
TM
= 14 A
TP = 380微秒
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.55
0.85
40
5
1
单位
V
V
m
A
mA
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
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BTA / BTB10系列
图。 7 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对
结温度（典型值）。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]
2.5
2.0
IGT
图。 8 ：
减少爆击率的相对变化
主电流对（的dV / dt ）C （典型值） 。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
1.4
B
C
1.5
IH & IL
1.2
1.0
0.8
0.6
BW / CW
1.0
0.5
TJ （ ° C）
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
（的dV / dt ）C （V / μs）内
1.0
10.0
100.0
0.4
0.1
图。 9 ：
临界速度的相对变化
减少主电流与结
温度。
（ di / dt的） C [ TJ ] / （ di / dt的） C [ TJ指定]
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
TJ （ ° C）
75
100
125
5/6
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