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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第505页 > BTA08-800BW3G
BTA08-600BW3G,
BTA08-800BW3G
双向可控硅
硅双向晶闸管
专为高性能的全波交流控制应用
其中,高抗干扰,高换向的di / dt是必需的。
特点
http://onsemi.com
阻断电压为800 V
通态电流额定值的8有效值在80℃
统一的门极触发电流在三个象限
抗干扰能力强的dV / dt
2000 V / ms最小在125°C
最大限度地减少缓冲网络的保护
工业标准TO- 220AB封装
整流高的di / dt
1.5 A / MS最低在125°C
内部隔离( 2500 V
RMS
)
这些无铅器件
等级
符号
V
DRM ,
V
RRM
600
800
I
T( RMS )
I
TSM
8.0
90
A
A
价值
单位
V
1
2
双向可控硅
8 RMS安培
600 THRU 800伏
MT2
G
4
MT1
记号
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
重复峰值断态电压(注1 )
(T
J
=
40
至125℃ ,正弦波,
50至60赫兹,门打开)
BTA08600BW3G
BTA08800BW3G
开启状态RMS电流
(完整周期的正弦波, 60赫兹,T
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
(一个完整周期的正弦波, 60赫兹,
T
C
= 25°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
不重复浪涌峰值断态
电压(T
J
= 25 ° C,T = 10毫秒)
栅极峰值电流(T
J
= 125°C , T = 20毫秒)
峰值功率门
(脉冲宽度
1.0
女士,
T
C
= 80°C)
平均栅极电源(T
J
= 125°C)
工作结温范围
存储温度范围
RMS的隔离电压
(T = 300毫秒,相对湿度
30%, T
A
= 25°C)
BTA08xBWG
AYWW
3
TO220AB
CASE 221A
12风格
= 6或8的
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
x
A
Y
WW
G
I
2
t
V
DSM /
V
RSM
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
J
T
英镑
V
ISO
36
V
DSM /
V
RSM
+100
4.0
20
1.0
40
+125
40
+150
2500
A
2
美国证券交易委员会
V
A
W
W
°C
°C
V
1
2
3
4
引脚分配
主终端1
主终端2
无连接
订购信息
设备
BTA08600BW3G
BTA08800BW3G
TO220AB
(无铅)
TO220AB
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
*有关我们的无铅策略和其他信息
焊接细节,请下载ON Semicon-
导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
2008年8月,
第0版
1
出版订单号:
BTA08600BW3/D
BTA08-600BW3G , BTA08-800BW3G
热特性
特征
热阻,
结至外壳( AC)
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.5
63
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上)
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开)
基本特征
峰值通态电压(注2 )
(I
TM
=
±
11 A峰值)
门极触发电流(连续直流) (V
D
= 12 V ,R
L
= 30
W)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
保持电流
(V
D
= 12 V ,门打开,启动电流=
±100
毫安)
擎住电流(V
D
= 12 V,I
G
= 60 mA)的
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
门极触发电压(V
D
= 12 V ,R
L
= 30
W)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
门非触发电压(T
J
= 125°C)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
动态特性
变化率换向电流的,见图10 。
(门打开,T
J
= 125°C ,无缓冲)
通态电流临界上升率
(T
J
= 125°C , F = 120赫兹,我
G
= 2×我
GT
, TR
为100 ns)
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.66 x垂直
DRM
,指数波形,门打开,T
J
= 125°C)
2.指示脉冲测试:脉冲宽度
2.0毫秒,占空比
2%.
( di / dt的)
c
的di / dt
dv / dt的
1.5
2000
50
A / MS
A / MS
V / ms的
V
TM
I
GT
1.55
V
mA
2.5
2.5
2.5
50
50
50
60
mA
mA
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
70
90
70
V
1.7
1.1
1.1
V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
,
I
RRM
mA
0.005
2.0
符号
典型值
最大
单位
I
H
I
L
V
GT
V
GD
http://onsemi.com
2
BTA08-600BW3G , BTA08-800BW3G
双向晶闸管电压电流特性
(双向设备)
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
(正半周)
+
(+), MT2
(+), MT2
第二象限
() I
GT
MT1
REF
(+) I
GT
MT1
REF
我象限
I
GT
( - ) MT2
( - ) MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
MT1
REF
(+) I
GT
MT1
REF
MT2负
(负半周)
第四象限
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号(使用标准的AC线)象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
BTA08-600BW3G , BTA08-800BW3G
125
T
C
,外壳温度( ° C)
P
AV
,平均功率( W)
120
α
= 120, 90, 60, 30°
115
α
= 180°
110
DC
105
100
12
DC
10
180°
8
6
4
90°
2
0
0
1
2
α
= 30°
60°
120°
0
1
3
4
5
6
7
I
T( RMS )
, RMS通态电流(A )
2
8
3
4
5
6
I
T( RMS )
,通态电流(A )
7
8
图1. RMS电流降额
图2.开启状态功耗
100
典型@
T
J
=
40°C
典型@ T
J
= 25°C
典型@ T
J
= 125°C
r
(t)
,瞬态热阻(标准化)
1
0.1
I
T
,瞬时通态电流(A )
10
0.01
0.1
1
10
100
吨,时间( ms)的
1000
1 · 10
4
图4.热响应
55
I
H
,保持电流(毫安)
1
45
35
25
15
MT2负
MT2正
典型@ T
J
= 125°C
典型@ T
J
= 25°C
典型@ T
J
=
40°C
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95 110 125
V
T
,瞬时导通电压(V )
T
J
,结温( ° C)
图3.通态特性
http://onsemi.com
4
图5.保持电流的变化
BTA08-600BW3G , BTA08-800BW3G
100
I
GT
,门极触发电流(mA)
门极触发电压( V)
V
D
= 12 V
R
L
= 30
W
2.00
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
40 25 10
5
Q3
Q2
20
35
50
65
80
95 110 125
Q1
V
D
= 12 V
R
L
= 30
W
10
Q2
Q3
Q1
1
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.门极触发电流变化
的dv / dt ,上升断态电压临界速率(V /
μ
s)
图7.门极触发电压变化
5000
擎住电流(毫安)
V
D
= 800 V峰值
T
J
= 125°C
120
100
80
60
Q3
40
20
0
40 25 10
5
Q2
V
D
= 12 V
R
L
= 30
W
4K
3K
Q1
2K
1K
0
10
100
1000
R
G
,门主终端1电阻(欧姆)
10000
20
35
50
65
80
95
110 125
T
J
,温度(° C)
断态电压上升图9.爆击率
(指数波形)
图10.闭锁电流变化
L
L
200 V
RMS
调整
I
TM
, 60赫兹V
AC
TRIGGER
收费
控制
触发控制
措施
I
1N4007
-
+
MT2
1N914 51
W
G
MT1
收费
200 V
非极性
C
L
注:组件值进行验证额定( di / dt的)的
c
。参见AN1048获取更多信息。
图8.简化测试电路来测量整流电流上升的临界速率( di / dt的)
c
http://onsemi.com
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BTA08-800BW3G
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    -
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联系人:李先生
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地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BTA08-800BW3G
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BTA08-800BW3G
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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