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飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

概述

钝化，敏感栅晶闸管

在一个塑料外壳，旨在用于

在通用开关和

相位控制应用。这些

设备旨在进行接口

直接向微控制器，逻辑

集成电路和其它低

电源门极触发电路。

BT258U系列

快速参考数据

符号

DRM

RRM

T（ AV ）

T（ RMS ）

TSM

参数

BT258U-

重复峰值断态

电压

平均通态电流

RMS通态电流

非重复性峰值通态

当前

MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT

500R

500

600R

600

800R

800

钉扎 - SOT533

针

数

TAB

描述

阴极

阳极

门

引脚配置

符号

MBK915

阳极

顶视图

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

参数

条件

分钟。

半正弦波;牛逼

≤

111 C

所有的导通角

半正弦波;牛逼

前= 25

浪涌

T = 10毫秒

T = 8.3毫秒

T = 10毫秒

= 10 A;我

= 50毫安;

/ DT = 50毫安/微秒

-40

马克斯。

-500R -600R -800R

500

600

800

0.5

150

125

单位

A / μs的

DRM

, V

RRM

重复峰值断态

电压

T（ AV ）

T（ RMS ）

TSM

平均通态电流

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

/ DT

RGM

G（ AV ）

英镑

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值反向栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

在任何20毫秒期

储存温度

工作结

温度

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可能晶闸管

切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。

注：操作上述110C可能需要使用一个门来为1kΩ或更小的阴极电阻。

1999年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

热阻

符号

日J- MB

日J-一

参数

条件

分钟。

BT258U系列

典型值。

马克斯。

2.0

单位

K / W

热阻

结到安装基座

热阻

在自由空气

结到环境

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

, I

参数

门极触发电流

闭锁电流

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

条件

= 12 V ;我

= 0.1 A

= 12 V ;我

= 0.1 A

= 12 V ;我

= 0.1 A

= 16 A

= 12 V ;我

= 0.1 A

= V

数字版权管理（最大值）

; I

= 0.1 A;牛逼

= 110 C

= V

数字版权管理（最大值）

; V

= V

RRM （最大）

; T

= 125 C

分钟。

0.1

典型值。

0.4

0.3

1.3

0.4

0.2

0.1

马克斯。

200

1.5

0.5

单位

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

/ DT

参数

的临界上升率

断态电压

门控开启

时间

换向电路

打开-O FF时间

条件

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

= 125 C;

指数波形;

= 100

= 10 A; V

= V

数字版权管理（最大值）

; I

= 5毫安;

/ DT = 0.2 A / μs的

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

= 125 C;

= 12 A; V

= 24 V ;的dI

/ DT = 10 A / μs的;

/ DT = 2 V / μs的;

= 1 k

分钟。

典型值。

100

马克斯。

单位

V / μs的

1999年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

BT258U系列

P合计/ W

传导形式

角

因素

度

2.8

2.2

120

1.9

180

1.57

BT150

TMB （最大值） / C

a = 1.57

1.9

109

111

113

115

117

119

121

123

ITSM / A

BT258

我TSM

2.2

2.8

时间

TJ初始= 25℃最高

IT （ AV ） / A

125

100

半周期在50Hz数

1000

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与

平均通态电流I

T（ AV ）

，其中，

A =外形= I

T（ RMS ）

/ I

T（ AV ）

BT150

图4 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

1000

ITSM / A

IT （ RMS ） / A

BT150

/ dt限制

100

我TSM

时间

0.01

TJ初始= 25℃最高

10us

100us

T / S

1ms

10ms

0.1

浪涌持续时间/秒

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

为

正弦电流，T

≤

10ms.

IT （ RMS ） / A

BT258

111 C

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

≤

111C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

BT151

-50

TMB / C

100

150

0.4

-50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

与安装基座温度T

图6 。归一化门极触发电压

)/ V

（25℃ ），与结温度T

1999年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

BT258U系列

2.5

1.5

0.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT150

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

VO = 0.99 V

卢比= 0.0325欧姆

BT150+

典型值

最大

-50

TJ / C

100

150

0.5

VT / V

1.5

图7 。归一化门极触发电流

)/ I

（25℃ ），与结温度T

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

2.5

BT150

第i个J- MB （K / W）

BT150

1.5

0.5

-50

0.01

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

0.1

TJ / C

100

150

10s

图8 。正常化闭锁电流I

)/ I

(25C),

与结温度T

IH（ TJ）

IH （ 25℃ ）

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- MB

，与

脉冲宽度t

DVD / DT （V /美国）

2.5

1.5

0.5

BT150

1000

RGK = 100欧姆

100

-50

TJ / C

100

150

TJ / C

100

150

图9 。归一化控股电流I

)/ I

(25C),

与结温度T

图12 。断态电压上升的典型，爆击率，

/ DT与结温度T

1999年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

机械数据

尺寸（mm）净重： 1.3克

BT258U系列

塑料单端封装（飞利浦版本的I- PAK的） ; 3引线（直列）

SOT533

MOUNTING

BASE

2.5

规模

5 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

2.38

2.22

0.89

0.71

7.28

6.94

1.06

0.96

6.73

6.47

5.36

5.26

9.8

9.4

1.00

1.10

0.89 0.56

0.71 0.46

4.57 2.285

概要

VERSION

SOT533

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-251

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

99-02-18

图13 。 SOT533 （ TO251 ）。 2脚连接安装基座。

1999年3月

启1.000