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分立半导体
数据表
BT258S-800R
晶闸管
逻辑电平
产品
规范
2002年10月
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
概述
在钝化，敏感栅可控硅
一个塑料外壳，适用于
表面安装时，用于在使用中
通用开关和
相位控制应用。这些
设备旨在进行接口
直接向微控制器，逻辑
集成电路和其它低
电源门极触发电路。
BT258S-800R
快速参考数据
符号
V
DRM
, V
RRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
MAX 。 UNIT
800
5
8
75
V
A
A
A
钉扎 - SOT428
针
数
1
2
3
TAB
阴极
阳极
门
阳极
引脚配置
TAB
符号
a
k
2
1
3
g
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
参数
条件
分钟。
-
半正弦波;牛逼
mb
≤
111 C
所有的导通角
半正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 10 A;我
G
= 50毫安;
dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
800
5
8
75
82
28
50
2
5
5
0.5
150
125
1
单位
V
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
V
DRM
, V
RRM
重复峰值断态
电压
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
RGM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
在任何20毫秒期
储存温度
工作结
温度
1
注：操作上述110C可能需要使用一个门来为1kΩ或更小的阴极电阻。
2002年10月
1
启2.000
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
BT258S-800R
典型值。
-
75
马克斯。
2.0
-
单位
K / W
K / W
热阻
结到安装基座
PCB（ FR4 ）安装;足迹14所示
热阻
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
I
L
I
H
V
T
V
GT
I
D
, I
R
参数
门极触发电流
闭锁电流
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 16 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 110 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; V
R
= V
RRM （最大）
; T
j
= 125 C
分钟。
-
-
-
-
-
0.1
-
典型值。
50
0.4
0.3
1.3
0.4
0.2
0.1
马克斯。
200
10
6
1.6
1.5
-
0.5
单位
A
mA
mA
V
V
V
mA
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
t
gt
t
q
参数
的临界上升率
断态电压
门控开启
时间
换向电路
打开-O FF时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;
GK
= 100
I
TM
= 10 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 5毫安;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
V
D
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
I
TM
= 12 A; V
R
= 24 V ;的dI
TM
/ DT = 10 A / μs的;
dV
D
/ DT = 2 V / μs的;
GK
= 1 k
分钟。
50
-
-
典型值。
100
2
100
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
s
s
2002年10月
2
启2.000
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
BT258S-800R
P合计（W）的
8
传导
角
度
30
60
90
120
180
形式
因素
(a)
6
4
2.8
2.2
1.9
1.57
1.9
2.2
2.8
4
TMB （最大值） （ ℃）
109
a = 1.57
111
113
115
117
119
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ITSM / A
IT
我TSM
时间
T
TJ初始= 25℃最高
4
2
121
123
0
0
2
4
IT （ AV ） （A ）
6
125
1
10
100
半周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与
平均通态电流I
T（ AV ）
，其中，
A =外形= I
T（ RMS ）
/ I
T（ AV ）
.
ITSM / A
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
1000
24
20
16
IT （ RMS ） / A
dI
T
/ dt限制
100
IT
T
我TSM
时间
12
8
4
0
0.01
TJ初始= 25℃最高
10
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
10ms.
IT （ RMS ） / A
BT258
111 C
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
111C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2002年10月
3
启2.000
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
BT258S-800R
3
2.5
2
1.5
1
0.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
I / A
30 T
TJ = 125
°C
TJ = 25
°C
20
典型值
10
VO = 1 V
卢比= 0.04
最大
0
-50
0
0
50
TJ / C
100
150
0
0.5
1
VT / V
1.5
2
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
BT150
10
第i个J- MB （K / W）
1
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
0.1
P
D
t
p
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH （ 25℃ ）
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT （V /美国）
1000
3
2.5
2
1.5
1
0.5
RGK = 100欧姆
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。断态电压上升的典型，爆击率，
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
2002年10月
4
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