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飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

概述

玻璃钝化，敏感栅

在一个塑料外壳晶闸管

拟用于一般用途

开关

和

相

控制

应用程序。这些设备是

打算直接与

微控制器，逻辑综合

电路及低功率门

触发电路。

BT258系列

快速参考数据

符号

V

DRM

,

V

RRM

I

T（ AV ）

I

T（ RMS ）

I

TSM

参数

BT258-

重复峰值断态

电压

平均通态电流

RMS通态电流

非重复性峰值通态

当前

MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT

500R

500

5

8

75

600R

600

5

8

75

800R

800

5

8

75

V

A

A

A

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

描述

阴极

阳极

门

阳极

引脚配置

TAB

符号

a

k

1 23

g

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

参数

条件

分钟。

-

半正弦波;牛逼

mb

≤

111 C

所有的导通角

半正弦波;牛逼

j

前= 25

浪涌

T = 10毫秒

T = 8.3毫秒

T = 10毫秒

I

TM

= 10 A;我

G

= 50毫安;

dI

G

/ DT = 50毫安/微秒

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-40

-

马克斯。

-500R -600R -800R

500

1

600

1

800

5

8

75

82

28

50

2

5

5

5

0.5

150

125

2

单位

V

A

A

A

A

A

2

s

A / μs的

A

V

V

W

W

C

C

V

DRM

, V

RRM

重复峰值断态

电压

I

T（ AV ）

I

T（ RMS ）

I

TSM

平均通态电流

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

I

2

t

dI

T

/ DT

I

GM

V

GM

V

RGM

P

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

I

2

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值反向栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

在任何20毫秒期

储存温度

工作结

温度

1

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可能晶闸管

切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。

2

注：操作上述110C可能需要使用一个门来为1kΩ或更小的阴极电阻。

1997年10月

1

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

条件

分钟。

-

-

BT258系列

典型值。

-

60

马克斯。

2.0

-

单位

K / W

K / W

热阻

结到安装基座

热阻

在自由空气

结到环境

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

GT

I

L

I

H

V

T

V

GT

I

D

, I

R

参数

门极触发电流

闭锁电流

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

条件

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

I

T

= 16 A

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; I

T

= 0.1 A;牛逼

j

= 110 C

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; V

R

= V

RRM （最大）

; T

j

= 125 C

分钟。

-

-

-

-

-

0.1

-

典型值。

50

0.4

0.3

1.3

0.4

0.2

0.1

马克斯。

200

10

6

1.5

1.5

-

0.5

单位

A

mA

mA

V

V

V

mA

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

dV

D

/ DT

t

gt

t

q

参数

的临界上升率

断态电压

门控开启

时间

换向电路

打开-O FF时间

条件

V

DM

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

j

= 125 C;

指数波形;

GK

= 100

I

TM

= 10 A; V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; I

G

= 5毫安;

dI

G

/ DT = 0.2 A / μs的

V

D

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

j

= 125 C;

I

TM

= 12 A; V

R

= 24 V ;的dI

TM

/ DT = 10 A / μs的;

dV

D

/ DT = 2 V / μs的;

GK

= 1 k

分钟。

50

-

-

典型值。

100

2

100

马克斯。

-

-

-

单位

V / μs的

s

s

1997年10月

2

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

BT258系列

8

7

6

5

4

3

2

1

0

P合计/ W

传导形式

角

因素

度

a

30

4

60

2.8

90

2.2

120

1.9

180

1.57

BT150

TMB （最大值） / C

a = 1.57

1.9

109

111

113

115

117

119

121

123

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ITSM / A

BT258

IT

我TSM

2.2

2.8

4

时间

T

TJ初始= 25℃最高

0

1

2

3

IT （ AV ） / A

4

5

125

6

1

10

100

半周期在50Hz数

1000

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与

平均通态电流I

T（ AV ）

，其中，

A =外形= I

T（ RMS ）

/ I

T（ AV ）

.

BT150

图4 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

1000

ITSM / A

24

20

16

12

IT （ RMS ） / A

BT150

dI

T

/ dt限制

100

我TSM

T

时间

IT

8

4

0

0.01

TJ初始= 25℃最高

10

10us

100us

T / S

1ms

10ms

0.1

1

浪涌持续时间/秒

10

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

p

为

正弦电流，T

p

≤

10ms.

IT （ RMS ） / A

BT258

111 C

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

mb

≤

111C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

9

8

7

6

5

4

3

2

1

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

BT151

0

-50

0

50

TMB / C

100

150

0.4

-50

0

50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

,

与安装基座温度T

mb

.

图6 。归一化门极触发电压

V

GT

(T

j

)/ V

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

1997年10月

3

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

BT258系列

3

2.5

2

1.5

1

0.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT150

30

25

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

VO = 0.99 V

卢比= 0.0325欧姆

BT150+

20

15

10

5

0

典型值

最大

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

0

0.5

1

VT / V

1.5

2

图7 。归一化门极触发电流

I

GT

(T

j

)/ I

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

3

2.5

BT150

10

第i个J- MB （K / W）

BT150

1

2

1.5

1

0.5

0

-50

0.01

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

1s

0.1

P

D

tp

t

0

50

TJ / C

100

150

10s

图8 。正常化闭锁电流I

L

(T

j

)/ I

L

(25C),

与结温度T

j

.

IH（ TJ）

IH （ 25℃ ）

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- MB

，与

脉冲宽度t

p

.

DVD / DT （V /美国）

3

2.5

2

1.5

1

0.5

BT150

1000

RGK = 100欧姆

100

10

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

1

0

50

TJ / C

100

150

图9 。归一化控股电流I

H

(T

j

)/ I

H

(25C),

与结温度T

j

.

图12 。断态电压上升的典型，爆击率，

dV

D

/ DT与结温度T

j

.

1997年10月

4

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

机械数据

尺寸（mm）

净重： 2克

BT258系列

4,5

最大

10,3

最大

1,3

3,7

2,8

5,9

民

15,8

最大

3,0最大

不镀锡

3,0

13,5

民

1,3

最大

1 2 3

(2x)

2,54 2,54

0,9最大值（3×）

0,6

2,4

图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。

笔记

1.请参阅安装用于TO220信封的说明。

2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。

1997年10月

5

启1.200

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