【飞利浦半导体产品speci fi cation晶闸管逻辑电平概述玻璃钝化，敏感栅晶闸管在一个塑料外壳】,IC型号BT169W,BT169W PDF资料,BT169W经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

概述

玻璃钝化，敏感栅

晶闸管在一个塑料外壳，适于

为表面安装，用于使用

在通用开关和

相位控制应用。这

装置是用来进行接口

直接向微控制器，逻辑

集成电路和其它低

电源门极触发电路。

BT169W系列

快速参考数据

符号

V

DRM

,

V

RRM

I

T（ AV ）

I

T（ RMS ）

I

TSM

参数

BT169

重复峰值

断态电压

平均态

当前

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

MAX 。 MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT

BW

200

0.5

0.8

8

DW

400

0.5

0.8

8

EW

500

0.5

0.8

8

GW

600

0.5

0.8

8

V

A

A

A

钉扎 - SOT223

针

1

2

3

TAB

描述

阴极

阳极

门

阳极

引脚配置

4

符号

a

k

1

2

3

g

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

参数

条件

分钟。

-

半正弦波;

T

sp

≤

112 C

所有的导通角

半正弦波;

T

j

= 25℃至暴涨前

T = 10毫秒

T = 8.3毫秒

T = 10毫秒

I

TM

= 2 A;我

G

= 10毫安;

dI

G

/ DT = 100毫安/微秒

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-40

-

B

200

1

马克斯。

D

400

1

E

500

1

G

600

1

单位

V

A

A

A

A

A

2

s

A / μs的

A

V

V

W

W

C

C

V

DRM

, V

RRM

重复峰值断态

电压

I

T（ AV ）

I

T（ RMS ）

I

TSM

平均通态电流

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

0.63

1

8

9

0.32

50

1

5

5

2

0.1

150

125

I

2

t

dI

T

/ DT

I

GM

V

GM

V

RGM

P

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

I

2

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值反向栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

在任何20毫秒期

储存温度

工作结

温度

1

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可能晶闸管

切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。

1997年9月

1

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

热阻

符号

R

日J- SP

R

日J-一

参数

热阻

结点到焊点

热阻

结到环境

条件

分钟。

-

PCB安装，占用空间最小

印刷电路板安装;垫区域如在图14

-

-

BT169W系列

典型值。

-

156

70

马克斯。

15

-

-

单位

K / W

K / W

K / W

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

GT

I

L

I

H

V

T

V

GT

I

D

, I

R

参数

门极触发电流

闭锁电流

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

条件

V

D

= 12 V ;我

T

= 10毫安;门开路

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.5毫安;

GK

= 1 k

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.5毫安;

GK

= 1 k

I

T

= 2 A

V

D

= 12 V ;我

T

= 10毫安;门开路

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; I

T

= 10毫安;牛逼

j

= 125 C;

门开路

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; V

R

= V

RRM （最大）

; T

j

= 125 C;

R

GK

= 1 k

分钟。

-

-

-

-

-

0.2

-

典型值。

50

2

2

1.35

0.5

0.3

0.05

马克斯。

200

6

5

1.5

0.8

-

0.1

单位

A

mA

mA

V

V

V

mA

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

dV

D

/ DT

t

gt

t

q

参数

的临界上升率

断态电压

门控开启

时间

换向电路

打开-O FF时间

条件

V

DM

=67% V

数字版权管理（最大值）

; T

j

= 125 C;

指数波形;

GK

= 1k

I

TM

= 2 A; V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; I

G

= 10毫安;

dI

G

/ DT = 0.1 A / μs的

V

D

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

j

= 125 C;

I

TM

= 1.6 A; V

R

= 35 V ;的dI

TM

/ DT = 30 A / μs的;

dV

D

/ DT = 2 V / μs的;

GK

= 1 k

分钟。

-

-

-

典型值。

25

2

100

马克斯。

-

-

-

单位

V / μs的

s

s

1997年9月

2

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

BT169W系列

1

P合计/ W

传导形式

角

因素

度

a

30

4

60

2.8

90

2.2

120

1.9

180

1.57

BT169W

TSP （最大值） / C

a = 1.57

1.9

2.2

110

10

ITSM / A

BT169

IT

我TSM

0.8

113

8

2.8

4

116

6

时间

T

TJ初始= 25℃最高

0.6

0.4

119

4

0.2

122

2

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

IF （ AV ） / A

0.5

0.6

125

0.7

0

1

10

100

半周期在50Hz数

1000

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与

平均通态电流I

T（ AV ）

，其中a =形式

系数= I

T（ RMS ）

/ I

T（ AV ）

.

ITSM / A

BT169

图4 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

1000

2

IT （ RMS ） / A

BT134W

1.5

100

1

10

IT

T

我TSM

时间

0.5

TJ初始= 25℃最高

1

10us

100us

T / S

1ms

10ms

0

0.01

0.1

1

10

浪涌持续时间/秒

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

p

为

正弦电流，T

p

≤

10ms.

BT134W

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

sp

≤

112C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

IT （ RMS ） / A

1.6

112 C

BT151

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0

50

TSP / C

100

150

0

-50

0.4

-50

0

50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

,

与焊点温度T

sp

.

图6 。归一化门极触发电压

V

GT

(T

j

)/ V

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

1997年9月

3

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

BT169W系列

3

2.5

2

1.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT169

5

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

BT169W

4

VO = 1.0 V

卢比= 0.27欧姆

3

典型值

最大

2

1

1

0.5

0

-50

0

0

0.5

1

VT / V

1.5

2

2.5

0

50

TJ / C

100

150

图7 。归一化门极触发电流

I

GT

(T

j

)/ I

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

3

2.5

2

1.5

1

0.5

BT169

100

第i个J- SP （K / W）

BT169W

10

1

P

D

tp

0.1

t

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

0.01

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

1s

10s

图8 。正常化闭锁电流I

L

(T

j

)/ I

L

(25C),

与结温度T

j

, R

GK

= 1 k

.

IH（ TJ）

IH （ 25℃ ）

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- SP

，与

脉冲宽度t

p

.

DVD / DT （V /美国）

3

2.5

BT169

1000

100

2

1.5

1

0.5

0

-50

1

10

RGK = 1千欧

0

50

TJ / C

100

150

0

50

TJ / C

100

150

图9 。归一化控股电流I

H

(T

j

)/ I

H

(25C),

与结温度T

j

,

R

GK

= 1 k

.

图12 。断态电压上升的典型，爆击率，

dV

D

/ DT与结温度T

j

.

1997年9月

4

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

晶闸管

逻辑电平

安装说明

BT169W系列

尺寸（mm）。

3.8

民

1.5

民

2.3

1.5

民

(3x)

6.3

1.5

民

4.6

图13 。焊接花纹表面贴装SOT223 。

印刷电路板

尺寸（mm）。

36

18

60

9

4.6

4.5

10

7

15

50

图14 。 PCB热电阻和功率额定值SOT223 。

PCB ： FR4环氧玻璃（1.6毫米厚），铜层压板（ 35

米厚）。

1997年9月

5

启1.200

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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