飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
概述
玻璃钝化，敏感栅
在一个塑料外壳晶闸管
拟用于剩余电流使用
设备/接地故障中断器/
漏电流断路器
（ RCD / GFI / LCCB ）
应用
其中最小的我
GT
是必要的限度。
这些装置可以通过接口
直接向微控制器，逻辑
集成电路和其它低
电源门极触发电路。
BT168系列
快速参考数据
符号
V
DRM
,
V
RRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BT168
重复峰值
断态电压
平均态
当前
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
MAX 。 MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
B
200
0.5
0.8
8
D
400
0.5
0.8
8
E
500
0.5
0.8
8
G
600
0.5
0.8
8
V
A
A
A
钉扎 - TO92变种
针
1
2
3
描述
阳极
门
阴极
引脚配置
符号
a
k
3 2 1
g
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
参数
条件
分钟。
-
半正弦波;
T
领导
≤
83 C
所有的导通角
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
半正弦波;
T
j
= 25℃至暴涨前
T = 10毫秒
I
TM
= 2 A;我
G
= 10毫安;
dI
G
/ DT = 100毫安/微秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
B
200
1
马克斯。
D
400
1
0.5
0.8
8
9
0.32
50
1
5
5
2
0.1
150
125
E
500
1
G
600
1
单位
V
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
V
W
W
C
C
V
DRM
, V
RRM
重复峰值断态
电压
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
V
RGM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
在任何20毫秒期
储存温度
工作结
温度
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可能晶闸管
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
热阻
符号
R
日J形引脚
R
日J-一
参数
热阻
交界处领导
热阻
结到环境
印刷电路板安装;导线长度为4毫米
条件
分钟。
-
-
BT168系列
典型值。
-
150
马克斯。
60
-
单位
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
I
L
I
H
V
T
V
GT
I
D
, I
R
参数
门极触发电流
闭锁电流
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 10毫安;门开路
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.5毫安;
GK
= 1 k
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.5毫安;
GK
= 1 k
I
T
= 1 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 10毫安;门开路
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
T
= 10毫安;牛逼
j
= 125 C;
门开路
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; V
R
= V
RRM （最大）
; T
j
= 125 C;
R
GK
= 1 k
分钟。
20
-
-
-
-
0.2
-
典型值。
50
2
2
1.2
0.5
0.3
0.05
马克斯。
200
6
5
1.35
0.8
-
0.1
单位
A
mA
mA
V
V
V
mA
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
t
gt
t
q
参数
的临界上升率
断态电压
门控开启
时间
换向电路
打开-O FF时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;
GK
= 1 k
I
TM
= 2 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 10毫安;
dI
G
/ DT = 0.1 A / μs的
V
D
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
I
TM
= 1.6 A; V
R
= 35 V ;的dI
TM
/ DT = 30 A / μs的;
dV
D
/ DT = 2 V / μs的;
GK
= 1 k
分钟。
-
-
-
典型值。
25
2
100
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
s
s
1997年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
BT168系列
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
P合计/ W
传导形式
角
因素
度
a
30
4
60
2.8
90
2.2
120
1.9
180
1.57
BT169
TC （最大值） / C
77
a = 1.57
83
1.9
89
95
101
107
113
10
ITSM / A
BT169
IT
我TSM
8
2.2
2.8
时间
T
TJ初始= 25℃最高
6
4
4
2
119
0
0.1
0.2
0.3
0.4
IF （ AV ） / A
0.5
0.6
125
0.7
0
1
10
100
半周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与
平均通态电流I
T（ AV ）
，其中，
A =外形= I
T（ RMS ）
/ I
T（ AV ）
.
ITSM / A
BT169
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
1000
2
IT （ RMS ） / A
BT169
1.5
100
1
10
IT
T
我TSM
0.5
时间
TJ初始= 25℃最高
1
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0
0.01
0.1
浪涌持续时间/秒
1
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
10ms.
IT （ RMS ） / A
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
领导
≤
83C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
1
BT169
1.6
83 C
BT151
0.8
1.4
1.2
1
0.6
0.4
0.8
0.2
0.6
0
50
Tlead / C
100
150
0
-50
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
对铅的温度，T
领导
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.100
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产品speci fi cation
晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
BT168系列
3
2.5
2
1.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT169
5
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT169
4
VO = 1.067 V
卢比= 0.187欧姆
典型值
最大
3
2
1
1
0.5
0
-50
0
0
0.5
1
VT / V
1.5
2
2.5
0
50
TJ / C
100
150
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
0.5
BT169
100
第i个J形引脚（K / W）
BT169
10
1
P
D
tp
0.1
t
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
, R
GK
= 1 k
.
IH（ TJ）
IH （ 25℃ ）
图11 。瞬态热阻抗Z
日J形引脚
，与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT （V /美国）
3
2.5
BT169
1000
100
2
1.5
1
0.5
0
-50
1
10
RGK = 1千欧
0
50
TJ / C
100
150
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
, R
GK
= 1 k
.
图12 。断态电压上升的典型，爆击率，
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
1997年9月
4
启1.100
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产品speci fi cation
晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
机械数据
尺寸（mm）
净重： 0.2克
BT168系列
2.54
0.66
0.56
1.6
4.2最大
4.8最大
5.2 MAX
2.5最大
12.7分
321
笔记
1.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
0.48
0.40
0.40
民
图13 。 TO92 ;塑料封套。
1997年9月
5
启1.100
QQ：2881677436 复制
