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BT151S系列L和R
晶闸管
牧师05 - 2006年10月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化晶闸管在一个塑料SOT428封装。
1.2产品特点
I
高的热循环性能
I
高双向阻断电压
能力
I
表面安装封装
1.3应用
I
电机控制
I
点火电路
I
静态开关
I
保护电路
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
I
V
DRM
≤
500 V （ BT151S - 500L / R）
V
RRM
≤
500 V （ BT151S - 500L / R）
V
DRM
≤
650 V（ BT151S - 650L / R）
V
RRM
≤
650 V（ BT151S - 650L / R）
V
DRM
≤
800 V （ BT151S - 800R ）
V
RRM
≤
800 V （ BT151S - 800R ）
I
I
I
I
I
I
TSM
≤
120 A（ T = 10毫秒）
I
T（ RMS ）
≤
12 A
I
T（ AV ）
≤
7.5 A
I
GT
≤
5毫安（ BT151S系列L）
I
GT
≤
15毫安（ BT151S系列R）
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
阴极（ K）
阳极（ A）
栅极（G ）
安装底座;连接到阳极
2
1
3
mb
A
G
sym037
简化的轮廓
符号
K
SOT428 （ DPAK ）
恩智浦半导体
BT151S系列L和R
晶闸管
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BT151S-500L
BT151S-500R
BT151S-650L
BT151S-650R
BT151S-800R
DPAK
描述
VERSION
塑料单端的表面安装封装; 3导线（一根导线裁剪） SOT428
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
参数
重复峰值断态电压
条件
BT151S - 500L ; BT151S - 500R
BT151S - 650L ; BT151S - 650R
BT151S-800R
V
RRM
反向重复峰值电压
BT151S - 500L ; BT151S - 500R
BT151S - 650L ; BT151S - 650R
BT151S-800R
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
半正弦波;牛逼
mb
≤
103
°C;
SEE
图1
所有的导通角;看
图4
和
5
半正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
RGM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
500
650
800
500
650
800
7.5
12
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
-
-
-
-
-
-
-
120
132
72
50
2
5
5
0.5
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 50毫安;
dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但晶闸管可切换到导通状态。
电流上升率应不超过15A / μs的。
BT151S_SER_L_R_5
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
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2 13
恩智浦半导体
BT151S系列L和R
晶闸管
15
P
合计
(W)
2.2
10
2.8
4
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
0
0
2
4
6
I
T（ AV ） （A ）
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
001aab019
98
T
mb个（最多）
(°C)
107
a=
1.57
1.9
5
116
α
125
8
外形尺寸A = I
T（ RMS ）
/I
T（ AV ）
图1.总功耗为普通的函数通态电流;最大值
160
I
TSM
(A)
120
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
I
T
001aaa957
I
TSM
80
40
0
1
10
10
2
n
10
3
F = 50赫兹
图2.非重复性峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BT151S_SER_L_R_5
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3 13
恩智浦半导体
BT151S系列L和R
晶闸管
10
3
001aaa956
I
TSM
(A)
dl
T
/ dt限制
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
10
10
5
10
4
10
3
t
p
(s)
10
2
t
p
≤
10毫秒
图3.非重复性峰值通态电流脉冲宽度为正弦电流的功能;最大值
001aaa954
25
I
T（ RMS ）
(A)
20
16
I
T（ RMS ）
(A)
12
001aaa998
15
8
10
4
5
0
10
2
10
1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
50
0
50
100
T
mb
(°C)
150
F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
103
°C
图4. RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5. RMS通态电流为固定的函数
基础体温;最大值
BT151S_SER_L_R_5
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4 13
恩智浦半导体
BT151S系列L和R
晶闸管
5.热特性
表4 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
SEE
图6
安装在FR4
印刷电路板;看
图14
民
-
-
典型值
-
75
最大
1.8
-
单位
K / W
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
001aaa963
1
10
1
P
δ
=
t
p
T
10
2
t
p
T
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6.瞬态结点作为脉冲宽度的函数的热阻抗，以安装基座
BT151S_SER_L_R_5
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5 13
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BCX79-VII
BCX79VII
BL-BS0331
BZV55-B3V9
BZV55B3V9
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