BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
牧师05 - 2009年3月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化SCR (可控硅)在SOT78塑料包装。
1.2特点和优点
高可靠性
高浪涌电流能力
高的热循环性能
1.3应用
点火电路
电机控制
保护电路
静态开关
1.4快速参考数据
表1中。
V
DRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
快速参考
条件
民
-
半正弦波;
T
mb
≤
109 ℃;看
科幻gure 3
半正弦波;
T
mb
≤
109 ℃;看
图1 ;
SEE
图2
V
D
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
I
T
= 100毫安;看
图8
-
-
典型值
-
-
-
最大
500
7.5
12
单位
V
A
A
重复峰值
断态电压
平均态
当前
RMS通态
当前
符号参数
静态特性
I
GT
门极触发电流
-
2
5
mA
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
K
A
G
mb
管脚信息
符号
描述
阴极
阳极
门
阳极
mb
A
G
sym037
简化的轮廓
图形符号
K
1 2 3
SOT78
( TO- 220AB , SC- 46 )
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
BT151-500L
TO-220AB;
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
SC-46
TO-220AB
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
2 11
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
V
RRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
T
英镑
T
j
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
平均态
当前
RMS通态电流
对国家崛起的速度
当前
栅极峰值电流
峰值功率门
储存温度
结温
非重复性峰值
通态电流
的I2t的融合
平均功耗门
反向峰值门
电压
半正弦波;牛逼
p
= 8.3毫秒;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C
半正弦波;牛逼
p
= 10毫秒;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;看
图4 ;
SEE
图5
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
在任何20毫秒期
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 ℃;看
科幻gure 3
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 ℃;看
图1 ;
SEE
图2
I
T
= 20 A;我
G
= 50毫安;的dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-
-
-
-
-
最大
500
500
7.5
12
50
2
5
150
125
132
120
72
0.5
5
单位
V
V
A
A
A / μs的
A
W
°C
°C
A
A
A
2
s
W
V
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
I
2
t
P
G( AV )
V
RGM
25
I
T( RMS )
(A)
20
001aaa954
16
I
T( RMS )
(A)
12
001aaa999
15
8
10
4
5
0
10
2
10
1
1
10
浪涌持续时间( S)
0
50
0
50
100
T
mb
(°C)
150
图2 。
图1 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
通态电流有效值作为安装的功能
基础体温;最大值
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
3 11
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
15
P
合计
(W)
1.9
2.2
10
4
传导
角
(度)
30
60
90
120
180
0
0
2
4
6
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
2.8
003aab830
a = 1.57
5
α
8
I
T( AV )
(A)
图3 。
10
3
总功耗为平均通态电流的功能;最大值
001aaa956
I
TSM
(A)
dl
T
/ dt限制
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
10
10
5
10
4
10
3
t
p
(s)
10
2
图4 。
非重复性峰值通态电流脉冲宽度为正弦电流的功能;最大值
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
4 11
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
160
I
TSM
(A)
120
003aab829
80
I
T
I
TSM
40
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
图5 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
1.3
单位
K / W
自从看到热阻
图6
路口安装
BASE
从热阻
结到环境的自由
空气
R
号(j -a)的
-
60
-
K / W
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
001aaa962
1
10
1
P
δ
=
t
p
T
10
2
t
p
T
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结点作为脉冲宽度的函数的瞬态热阻抗安装基座
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
5 11
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
牧师05 - 2009年3月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化SCR (可控硅)在SOT78塑料包装。
1.2特点和优点
高可靠性
高浪涌电流能力
高的热循环性能
1.3应用
点火电路
电机控制
保护电路
静态开关
1.4快速参考数据
表1中。
V
DRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
快速参考
条件
民
-
半正弦波;
T
mb
≤
109 ℃;看
科幻gure 3
半正弦波;
T
mb
≤
109 ℃;看
图1 ;
SEE
图2
V
D
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
I
T
= 100毫安;看
图8
-
-
典型值
-
-
-
最大
500
7.5
12
单位
V
A
A
重复峰值
断态电压
平均态
当前
RMS通态
当前
符号参数
静态特性
I
GT
门极触发电流
-
2
5
mA
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
K
A
G
mb
管脚信息
符号
描述
阴极
阳极
门
阳极
mb
A
G
sym037
简化的轮廓
图形符号
K
1 2 3
SOT78
( TO- 220AB , SC- 46 )
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
BT151-500L
TO-220AB;
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
SC-46
TO-220AB
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
2 11
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
V
RRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
T
英镑
T
j
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
平均态
当前
RMS通态电流
对国家崛起的速度
当前
栅极峰值电流
峰值功率门
储存温度
结温
非重复性峰值
通态电流
的I2t的融合
平均功耗门
反向峰值门
电压
半正弦波;牛逼
p
= 8.3毫秒;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C
半正弦波;牛逼
p
= 10毫秒;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;看
图4 ;
SEE
图5
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
在任何20毫秒期
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 ℃;看
科幻gure 3
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 ℃;看
图1 ;
SEE
图2
I
T
= 20 A;我
G
= 50毫安;的dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-
-
-
-
-
最大
500
500
7.5
12
50
2
5
150
125
132
120
72
0.5
5
单位
V
V
A
A
A / μs的
A
W
°C
°C
A
A
A
2
s
W
V
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
I
2
t
P
G( AV )
V
RGM
25
I
T( RMS )
(A)
20
001aaa954
16
I
T( RMS )
(A)
12
001aaa999
15
8
10
4
5
0
10
2
10
1
1
10
浪涌持续时间( S)
0
50
0
50
100
T
mb
(°C)
150
图2 。
图1 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
通态电流有效值作为安装的功能
基础体温;最大值
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
3 11
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
15
P
合计
(W)
1.9
2.2
10
4
传导
角
(度)
30
60
90
120
180
0
0
2
4
6
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
2.8
003aab830
a = 1.57
5
α
8
I
T( AV )
(A)
图3 。
10
3
总功耗为平均通态电流的功能;最大值
001aaa956
I
TSM
(A)
dl
T
/ dt限制
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
10
10
5
10
4
10
3
t
p
(s)
10
2
图4 。
非重复性峰值通态电流脉冲宽度为正弦电流的功能;最大值
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
4 11
恩智浦半导体
BT151-500L
SCR , 12 A, 5毫安, 500 V, SOT78
160
I
TSM
(A)
120
003aab829
80
I
T
I
TSM
40
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
图5 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
1.3
单位
K / W
自从看到热阻
图6
路口安装
BASE
从热阻
结到环境的自由
空气
R
号(j -a)的
-
60
-
K / W
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
001aaa962
1
10
1
P
δ
=
t
p
T
10
2
t
p
T
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结点作为脉冲宽度的函数的瞬态热阻抗安装基座
BT151-500L_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年3月2日
5 11