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飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
概述
玻璃钝化,敏感栅
在一个塑料外壳晶闸管
适于表面安装,
拟用于一般用途
开关
控制
应用程序。这些设备是
打算直接与
微控制器,逻辑综合
电路及低功率门
触发电路。
BT148W系列
快速参考数据
符号
V
DRM
,
V
RRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
参数
BT148W-
重复峰值断态
电压
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
400R
400
0.6
1
10
500R
500
0.6
1
10
600R
600
0.6
1
10
V
A
A
A
钉扎 - SOT223
1
2
3
TAB
描述
阴极
阳极
阳极
引脚配置
4
符号
a
k
1
2
3
g
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
参数
条件
分钟。
-
半正弦波;牛逼
sp
112 C
所有的导通角
半正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 4 A;我
G
= 200毫安;
dI
G
/ DT = 200毫安/微秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
-400R -500R -600R
400
1
500
1
600
1
0.6
1
10
11
0.5
50
1
5
5
1.2
0.12
150
125
2
单位
V
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
V
W
W
C
C
V
DRM
, V
RRM
重复峰值断态
电压
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
V
RGM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
在任何20毫秒期
储存温度
工作结
温度
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可能晶闸管
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2
注:操作上述110C可能需要使用一个门来为1kΩ或更小的阴极电阻。
1997年10月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
热阻
符号
R
日J- SP
R
日J-一
参数
热阻
结点到焊点
热阻
结到环境
条件
分钟。
-
PCB安装,占用空间最小
PCB安装,垫区域,如图: 14
-
-
BT148W系列
典型值。
-
156
70
马克斯。
15
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
I
L
I
H
V
T
V
GT
I
D
, I
R
参数
门极触发电流
闭锁电流
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 2 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
R
= V
RRM (最大)
; I
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 110 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
; V
R
= V
RRM (最大)
; T
j
= 125 C
分钟。
-
-
-
-
-
0.1
-
典型值。
50
0.17
0.10
1.3
0.4
0.2
0.1
马克斯。
200
10
6
1.5
1.5
-
0.5
单位
A
mA
mA
V
V
V
mA
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
t
gt
t
q
参数
的临界上升率
断态电压
门控开启
时间
换向电路
打开-O FF时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
; T
j
= 125 C;
指数波形;
GK
= 100
I
TM
= 4 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
; I
G
= 5毫安;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
V
D
= 67% V
数字版权管理(最大值)
; T
j
= 125 ℃;我
TM
= 2 A;
V
R
= 35 V ;的dI
TM
/ DT = 30 A / μs的;
dV
D
/ DT = 2 V / μs的;
GK
= 1 k
分钟。
-
-
-
典型值。
50
2
100
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
s
s
1997年10月
2
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
BT148W系列
1
P合计/ W
传导形式
因素
a
30
4
60
2.8
90
2.2
120
1.9
180
1.57
BT148W
TSP (最大值) / C
a = 1.57
1.9
2.2
110
12
10
8
ITSM / A
BT148W
IT
ITSM
0.8
113
时间
T
TJ初始= 25℃最高
0.6
2.8
4
116
6
0.4
119
4
0.2
122
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
IF ( AV ) / A
0.5
0.6
125
0.7
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与
平均通态电流I
T( AV )
,其中,
A =外形= I
T( RMS )
/ I
T( AV )
.
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
1000
ITSM / A
BT148W
2
IT ( RMS ) / A
BT134W
1.5
100
1
10
IT
T
我TSM
时间
0.5
TJ初始= 25℃最高
1
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0
0.01
0.1
浪涌持续时间/秒
1
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
10ms.
BT134W
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
sp
112C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
IT ( RMS ) / A
1.6
112 C
BT151
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
50
TSP / C
100
150
0
-50
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与焊点温度T
sp
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
1997年10月
3
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
BT148W系列
3
2.5
2
1.5
IGT ( TJ )
IGT ( 25℃ )
BT148
5
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT148W
4
VO = 1.107 V
卢比= 0.14欧姆
3
典型值
最大
2
1
0.5
0
-50
1
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
VT / V
1.5
2
2.5
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
白细胞介素( TJ )
IL ( 25℃ )
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
0.5
BT145
100
第i个J- SP (K / W)
BT148W
10
1
P
D
tp
0.1
t
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH( TJ)
IH ( 25℃ )
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- SP
,与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT (V /美国)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
BT145
1000
RGK = 100欧姆
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。断态电压上升的典型,爆击率,
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
1997年10月
4
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
安装说明
BT148W系列
尺寸(mm) 。
3.8
1.5
2.3
1.5
(3x)
6.3
1.5
4.6
图13 。焊接花纹表面贴装SOT223 。
印刷电路板
尺寸(mm) 。
36
18
60
9
4.6
4.5
10
7
15
50
图14 。 PCB热电阻和功率额定值SOT223 。
PCB : FR4环氧玻璃(1.6毫米厚) ,铜层压板( 35
米厚) 。
1997年10月
5
启1.300
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BT148W-600R
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    -
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BT148W-600R
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