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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139B系列
概述
在一个塑料玻璃钝化可控硅
包络适于表面
安装,用于在使用中
应用
需要
双向瞬态和拦网
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制,
工业和家用照明,
加热和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
BT139B-
BT139B-
BT139B-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500F
500G
500
16
140
600
600F
600G
600
16
140
800
800F
800G
800
16
140
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
V
A
A
钉扎 - SOT404
1
2
3
mb
描述
主终端1
主终端2
主终端2
引脚配置
mb
符号
T2
2
1
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
全正弦波;牛逼
mb
99 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
16
140
150
98
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139B系列
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
1.2
1.7
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
最小的足迹, FR4板
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
BT139B-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
5
8
10
22
7
20
8
10
6
1.2
0.7
0.4
0.1
35
35
35
70
40
60
40
60
30
马克斯。
...F
25
25
25
70
40
60
40
60
30
1.6
1.5
-
0.5
...G
50
50
50
100
60
90
60
90
60
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
整流电压
门控开启
时间
条件
BT139B-
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 ℃;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 95 C;
I
T( RMS )
= 16 A;
dI
COM
/ DT = 7.2 A / MS;门
开路
I
TM
= 20 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...
100
分钟。
...F
50
...G
200
典型值。
250
马克斯。
-
单位
V / μs的
dV
COM
/ DT
-
-
10
20
-
V / μs的
t
gt
-
-
-
2
-
s
1997年10月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139B系列
25
P合计/ W
BT139
TMB (最大值) / C
= 180
95
20
IT ( RMS ) / A
BT139
20
1
120
90
101
99 C
15
15
60
30
107
10
113
10
5
5
119
0
0
5
10
IT ( RMS ) / A
15
125
20
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与有效值
通态电流I
T( RMS )
,其中,
α
=导通角。
BT139
图4 。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与安装基座温度T
mb
.
BT139
1000
ITSM / A
50
IT ( RMS ) / A
40
30
100
dI
T
/ dt限制
T2- G +象限
IT
T
10
10us
我TSM
时间
20
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
20ms.
ITSM / A
BT139
IT
T
100
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
mb
99C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
150
1.6
1.4
1.2
1
BT136
TJ初始= 25℃最高
50
0.8
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
1997年10月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139B系列
3
2.5
2
1.5
IGT ( TJ )
IGT ( 25℃ )
BT139
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
50
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT139
40
典型值
VO = 1.195 V
卢比= 0.018欧姆
最大
30
20
1
10
0.5
0
-50
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
0
50
TJ / C
100
150
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
白细胞介素( TJ )
IL ( 25℃ )
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
TRIAC
10
第i个J- MB (K / W)
BT139
1
单向
双向
0.1
P
D
tp
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH( TJ)
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
,与
脉冲宽度t
p
.
的dV / dt (V /美国)
关断状态的dV / dt限制
BT139 ... G系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
BT139系列
100
BT139 ... F系列
DICOM / DT =
20 A / MS
10
16
12
9.3
7.2
5.6
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。典型的换向的dV / dt与结
温度参数减刑的dI
T
/ DT 。双向可控硅
应换向时的dV / dt是下面的值
相应的曲线预换向的dI上
T
/ DT 。
1997年10月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139B系列
机械数据
尺寸(mm)
净重: 1.4克
10.3最大
4.5最大
1.4最大
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图13 。 SOT404 :中心引脚连接到安装基座。
安装说明
尺寸(mm)
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
图14 。 SOT404 :焊图案表面安装。
笔记
1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.
1997年10月
5
启1.100
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BT139B-800G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
BT139B-800G
WeEn
2025+
26820
TO-263-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BT139B-800G
NXP/恩智浦
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BT139B-800G
WEEN/NXP
24+
8640
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BT139B-800G
NXP
24+
9850
TO-263
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BT139B-800G
WEEN/瑞能
24+
21000
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BT139B-800G
NXP/恩智浦
22+
90432
D2PAK
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BT139B-800G
WEEN/NXP
2024
30475
TO-263
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
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BT139B-800G
WEEN/NXP
2024
30475
TO-263
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BT139B-800G
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22+
32570
TO-263
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

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联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
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68500
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