BT138X系列D和E
12四象限三端双向可控硅，敏感栅
牧师03 - 2008年3月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT186A全包式塑料封装钝化敏感的门双向可控硅。
1.2产品特点
I
非常敏感的门
I
直接连接到逻辑电平集成电路
I
隔离安装基座
I
栅极触发在四个象限
I
直接连接到低功率栅极驱动
电路
I
高隔离电压
1.3应用
I
通用开关和相位
控制
I
230 V灯调光器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
I
V
DRM
≤
600 V （ BT138X - 600D ）
V
DRM
≤
600 V （ BT138X - 600E ）
V
DRM
≤
800 V （ BT138X - 800E ）
I
GT
≤
5毫安（ BT138X - 600D ）
I
GT
≤
10毫安（ BT138X - 600E ）
I
GT
≤
10毫安（ BT138X - 800E ）
I
I
I
I
I
I
T（ RMS ）
≤
12 A
I
TSM
≤
95 A（ t为20毫秒）
I
GT
≤
10毫安（ T2- G + ） （ BT138X - 600D ）
I
GT
≤
25毫安（ T2- G + ） （ BT138X - 600E ）
I
GT
≤
25毫安（ T2- G + ） （ BT138X - 800E ）
恩智浦半导体
BT138X系列D和E
12四象限三端双向可控硅，敏感栅
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
主终端1 （T1）的
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
安装底座;孤立
mb
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
1 2 3
SOT186A （TO- 220F ）
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BT138X-600D
BT138X-600E
BT138X-800E
TO-220F
描述
VERSION
塑料单端封装;孤立的散热器安装; 1安装孔; SOT186A
3引脚TO -220 “全包”
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
参数
重复峰值断态电压
条件
BT138X-600D
BT138X-600E
BT138X-800E
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
全正弦波;牛逼
h
≤
56
°C;
SEE
图4
和
5
[1]
[1]
民
-
-
-
-
最大
600
600
800
12
单位
V
V
V
A
非重复峰值通态电流全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
前激增;
SEE
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
-
-
-
-
-
-
-
95
105
45
50
50
50
10
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
I
2
t
dI
T
/ DT
I
2
吨融合
率通态电流上升
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
BT138X_SER_D_E_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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2 12
恩智浦半导体
BT138X系列D和E
12四象限三端双向可控硅，敏感栅
表3中。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
参数
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
条件
民
-
-
最大
2
5
0.5
+150
125
单位
A
W
W
°C
°C
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不大于15 A / μs的。
20
P
合计
(W)
15
003aac220
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
120°
α
90°
60°
30°
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
I
T（ RMS ）
(A)
14
α
=导通角
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
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恩智浦半导体
BT138X系列D和E
12四象限三端双向可控硅，敏感栅
100
I
TSM
(A)
80
003aac217
60
40
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
20
0
1
10
10
2
10
3
周期数
10
4
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
10
3
I
TSM
(A)
I
T
003aac221
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
(1)
(2)
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
（ 2 ） T2- G +象限极限
图3 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
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4 12
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
概述
玻璃钝化，敏感栅
在一个完整的包塑料包三端双向可控硅，
拟用于一般用途
双向开关和相位
控制应用，其中高
灵敏度，需要在所有四个
象限。
BT138X E系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BT138X-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500E
500
12
95
600E
600
12
95
800E
800
12
95
V
A
A
钉扎 - SOT186A
针
1
2
3
描述
主终端1
引脚配置
例
符号
T2
主终端2
门
1 2 3
T1
孤立的情况下，
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
hs
≤
56 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
95
105
45
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
10.3
最大
3.2
3.0
BT138X E系列
4.6
最大
2.9最大
凹口（ 2×）
2.5
0.8最大。深度
2.8
6.4
15.8
19
最大。最大。
座位
飞机
15.8
最大
3最大。
不镀锡
3
2.5
13.5
分钟。
1
0.4
M
2
3
1.0 (2x)
0.6
2.54
0.5
2.5
1.3
0.9
0.7
5.08
图13 。 SOT186A ;飞机座位是所有终端电气隔离。
笔记
1.请参考F-信封包安装说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
QQ：2880707522 复制
