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BT138系列D和E
12四象限三端双向可控硅,敏感栅
牧师02 - 2008年3月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT78塑料包装钝化敏感的门双向可控硅。
1.2产品特点
I
非常敏感的门
I
直接连接到逻辑电平集成电路
I
栅极触发在四个象限
I
直接连接到低功率栅极驱动
电路
1.3应用
I
通用开关和相位
控制
I
230 V灯调光器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
I
V
DRM
600 V ( BT138-600D )
V
DRM
600 V ( BT138-600E )
V
DRM
800 V ( BT138-800E )
I
GT
5毫安( BT138-600D )
I
GT
10毫安( BT138-600E )
I
GT
10毫安( BT138-800E )
I
I
I
I
I
I
T( RMS )
12 A
I
TSM
95 A( t为20毫秒)
I
GT
10毫安( T2- G + ) ( BT138-600D )
I
GT
25毫安( T2- G + ) ( BT138-600E )
I
GT
25毫安( T2- G + ) ( BT138-800E )
恩智浦半导体
BT138系列D和E
12四象限三端双向可控硅,敏感栅
2.管脚信息
表1中。
1
2
3
mb
钉扎
描述
主终端1 (T1)的
主终端2 (T2)的
栅极(G )
安装底座;主终端2 (T2)的
mb
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
3.订购信息
表2中。
订购信息
名字
BT138-600D
BT138-600E
BT138-800E
TO-220AB
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DRM
参数
重复峰值断态电压
BT138-600D
BT138-600E
BT138-800E
I
T( RMS )
I
TSM
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
全正弦波;牛逼
mb
99
°C;
SEE
图4
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
I
2
吨融合
t
p
= 10毫秒
-
-
-
95
105
45
A
A
A
2
s
[1]
[1]
条件
-
-
-
-
最大
600
600
800
12
单位
V
V
V
A
BT138_SER _D_E_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年3月12日
2 12
恩智浦半导体
BT138系列D和E
12四象限三端双向可控硅,敏感栅
表3中。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
dI
T
/ DT
参数
率通态电流上升
条件
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
[1]
最大
单位
-
-
-
-
-
-
50
50
50
10
2
5
0.5
+150
125
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
W
°C
°C
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐,断开状态电压高达800V,可以在不损坏被应用,但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不大于15 A / μs的。
20
P
合计
(W)
15
003aac220
传导
(度)
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
120°
α
90°
60°
30°
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
I
T( RMS )
(A)
14
α
=导通角
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
BT138_SER _D_E_2
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产品数据表
牧师02 - 2008年3月12日
3 12
恩智浦半导体
BT138系列D和E
12四象限三端双向可控硅,敏感栅
100
I
TSM
(A)
80
003aac217
60
40
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
20
0
1
10
10
2
10
3
周期数
10
4
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
10
3
I
TSM
(A)
I
T
003aac221
I
TSM
t
t
p
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
10
2
(1)
(2)
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
20毫秒
(1)的dI
T
/ dt限制
( 2 ) T2- G +象限极限
图3 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
BT138_SER _D_E_2
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4 12
恩智浦半导体
BT138系列D和E
12四象限三端双向可控硅,敏感栅
50
I
T( RMS )
(A)
40
003aac218
15
I
T( RMS )
(A)
003aac215
10
30
20
5
10
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间( S)
0
-50
0
50
100
150
T
mb
(°C)
F = 50赫兹
T
mb
= 99
°C
图4 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5 。
RMS通态电流的函数
安装基座的温度;最大值
5.热特性
表4 。
符号
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
参数
条件
-
-
典型值
-
60
最大
1.5
-
单位
K / W
K / W
从结点到全周期的热阻;看
图6
安装底座
从结点到全周期的热阻;在自由空气
环境
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
1
003aab762
10
1
P
10
2
tp
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结点作为脉冲宽度的函数的瞬态热阻抗安装基座
BT138_SER _D_E_2
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5 12
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