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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137F系列
概述
在一个完整的包装玻璃钝化可控硅
塑料外壳，用于在使用中
应用
需要
高
双向瞬态和拦网
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家用照明，
加热和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
BT137F-
BT137F-
BT137F-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500F
500G
500
8
55
600
600F
600G
600
8
55
800
800F
800G
800
8
55
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - SOT186
针
1
2
3
描述
主终端1
引脚配置
例
符号
T2
主终端2
门
1 2 3
T1
孤立的情况下，
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
hs
≤
73 C
全正弦波;牛逼
j
前= 125℃
暴涨;与重新加V
数字版权管理（最大值）
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
8
55
60
15
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1996年2月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137F系列
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
1500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
12
-
pF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻
结到散热器
热阻
结到环境
条件
全额或半周期
与复合散热器
无散热化合物
在自由空气
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
4.5
6.5
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
BT137F-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
5
8
11
30
7
16
5
7
5
1.3
0.7
0.4
0.1
35
35
35
70
30
45
30
45
20
马克斯。
...F
25
25
25
70
30
45
30
45
20
1.65
1.5
-
0.5
...G
50
50
50
100
45
60
45
60
40
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
1996年2月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137F系列
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
变化率的关键
断态电压
变化率的关键
整流电压
门控开启
时间
条件
BT137F-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 ℃;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 95 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dI
COM
/ DT = 3.6 A / MS;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...
100
分钟。
...F
50
...G
200
典型值。
250
马克斯。
-
单位
V / μs的
dV
COM
/ DT
-
-
10
20
-
V / μs的
t
gt
-
-
-
2
-
s
1996年2月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137F系列
12
10
P合计/ W
BT137
三（最大值） / C
71
= 180
120
80
89
10
IT （ RMS ） / A
BT137X
1
90
60
30
8
73 C
8
6
4
2
0
6
98
4
107
116
125
10
2
0
2
4
6
IT （ RMS ） / A
8
0
-50
0
50
部份效果/ C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
BT137
IT
T
我TSM
时间
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与散热器温度T
hs
.
BT137
1000
ITSM / A
25
IT （ RMS ） / A
20
TJ初始= 125℃最大
15
100
dI
T
/ dt限制
T2- G +象限
10
5
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
hs
≤
73C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
60
50
40
30
20
10
0
ITSM / A
BT137
IT
T
ITSM
时间
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
BT136
TJ初始= 125℃最大
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1996年2月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137F系列
3
2.5
2
1.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT137
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT137
20
典型值
VO = 1.264 V
卢比= 0.0378欧姆
最大
15
10
1
0.5
0
-50
5
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
TRIAC
10
第i个J- HS （K / W）
BT137
与复合散热器
无散热化合物
单向
双向
1
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
10ms
TP /秒
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- HS
，与
脉冲宽度t
p
.
的dV / dt （V /美国）
关断状态的dV / dt限制
BT137 ... G系列
BT137系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
100
BT137 ... F系列
10
DICOM / DT =
10 A / MS
7.9
6.1
4.7
3.6
2.8
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。典型的换向的dV / dt与结
温度参数减刑的dI
T
/ DT 。双向可控硅
应换向时的dV / dt是下面的值
相应的曲线预换向的dI上
T
/ DT 。
1996年2月
5
启1.100
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