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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第424页 > BT137
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
概述
在一个塑料玻璃钝化可控硅
包络线，用于在使用中
应用
需要
高
双向瞬态和拦网
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家用照明，
加热和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
BT137-
BT137-
BT137-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500F
500G
500
8
65
600
600F
600G
600
8
65
800
800F
800G
800
8
65
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
102 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
8
65
71
21
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1997年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
BT137-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
5
8
11
30
7
16
5
7
5
1.3
0.7
0.4
0.1
35
35
35
70
30
45
30
45
20
马克斯。
...F
25
25
25
70
30
45
30
45
20
1.65
1.5
-
0.5
...G
50
50
50
100
45
60
45
60
40
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
整流电压
门控开启
时间
条件
BT137-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 ℃;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 95 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dI
COM
/ DT = 3.6 A / MS;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...
100
分钟。
...F
50
...G
200
典型值。
250
马克斯。
-
单位
V / μs的
dV
COM
/ DT
-
-
10
20
-
V / μs的
t
gt
-
-
-
2
-
s
1997年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
12
10
P合计/ W
BT137
TMB （最大值） / C
101
= 180
120
105
109
10
IT （ RMS ） / A
BT137
1
90
60
30
8
102 C
8
6
4
2
0
6
113
4
117
121
125
10
2
0
2
4
6
IT （ RMS ） / A
8
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
BT137
BT137
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
BT137
1000
ITSM / A
IT
我TSM
时间
25
IT （ RMS ） / A
20
TJ初始= 25℃最高
15
100
dI
T
/ dt限制
10
T2- G +象限
5
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
102C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
80
70
60
50
40
30
ITSM / A
BT137
IT
T
ITSM
时间
1.6
1.4
1.2
1
0.8
BT136
TJ初始= 25℃最高
20
10
0.6
0.4
-50
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
3
2.5
2
1.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT137
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT137
20
典型值
VO = 1.264 V
卢比= 0.0378欧姆
最大
15
10
1
0.5
0
-50
5
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
TRIAC
10
第i个J- MB （K / W）
BT137
单向
1
双向
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
的dV / dt （V /美国）
关断状态的dV / dt限制
BT137 ... G系列
BT137系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
100
BT137 ... F系列
10
DICOM / DT =
10 A / MS
7.9
6.1
4.7
3.6
2.8
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。典型的换向的dV / dt与结
温度参数减刑的dI
T
/ DT 。双向可控硅
应换向时的dV / dt是下面的值
相应的曲线预换向的dI上
T
/ DT 。
1997年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年10月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
概述
在一个塑料玻璃钝化可控硅
包络线，用于在使用中
应用
需要
高
双向瞬态和拦网
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家用照明，
加热和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
BT137-
BT137-
BT137-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500F
500G
500
8
65
600
600F
600G
600
8
65
800
800F
800G
800
8
65
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
102 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
8
65
71
21
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1997年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
BT137-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
5
8
11
30
7
16
5
7
5
1.3
0.7
0.4
0.1
35
35
35
70
30
45
30
45
20
马克斯。
...F
25
25
25
70
30
45
30
45
20
1.65
1.5
-
0.5
...G
50
50
50
100
45
60
45
60
40
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
整流电压
门控开启
时间
条件
BT137-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 ℃;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 95 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dI
COM
/ DT = 3.6 A / MS;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...
100
分钟。
...F
50
...G
200
典型值。
250
马克斯。
-
单位
V / μs的
dV
COM
/ DT
-
-
10
20
-
V / μs的
t
gt
-
-
-
2
-
s
1997年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
12
10
P合计/ W
BT137
TMB （最大值） / C
101
= 180
120
105
109
10
IT （ RMS ） / A
BT137
1
90
60
30
8
102 C
8
6
4
2
0
6
113
4
117
121
125
10
2
0
2
4
6
IT （ RMS ） / A
8
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
BT137
BT137
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
BT137
1000
ITSM / A
IT
我TSM
时间
25
IT （ RMS ） / A
20
TJ初始= 25℃最高
15
100
dI
T
/ dt限制
10
T2- G +象限
5
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
102C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
80
70
60
50
40
30
ITSM / A
BT137
IT
T
ITSM
时间
1.6
1.4
1.2
1
0.8
BT136
TJ初始= 25℃最高
20
10
0.6
0.4
-50
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
3
2.5
2
1.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT137
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT137
20
典型值
VO = 1.264 V
卢比= 0.0378欧姆
最大
15
10
1
0.5
0
-50
5
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
TRIAC
10
第i个J- MB （K / W）
BT137
单向
1
双向
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
的dV / dt （V /美国）
关断状态的dV / dt限制
BT137 ... G系列
BT137系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
100
BT137 ... F系列
10
DICOM / DT =
10 A / MS
7.9
6.1
4.7
3.6
2.8
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。典型的换向的dV / dt与结
温度参数减刑的dI
T
/ DT 。双向可控硅
应换向时的dV / dt是下面的值
相应的曲线预换向的dI上
T
/ DT 。
1997年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年10月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
概述
在一个塑料玻璃钝化可控硅
包络线，用于在使用中
应用
需要
高
双向瞬态和拦网
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家用照明，
加热和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
BT137-
BT137-
BT137-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500F
500G
500
8
65
600
600F
600G
600
8
65
800
800F
800G
800
8
65
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
102 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
8
65
71
21
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1997年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
BT137-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
5
8
11
30
7
16
5
7
5
1.3
0.7
0.4
0.1
35
35
35
70
30
45
30
45
20
马克斯。
...F
25
25
25
70
30
45
30
45
20
1.65
1.5
-
0.5
...G
50
50
50
100
45
60
45
60
40
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
整流电压
门控开启
时间
条件
BT137-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 ℃;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 95 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dI
COM
/ DT = 3.6 A / MS;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...
100
分钟。
...F
50
...G
200
典型值。
250
马克斯。
-
单位
V / μs的
dV
COM
/ DT
-
-
10
20
-
V / μs的
t
gt
-
-
-
2
-
s
1997年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
12
10
P合计/ W
BT137
TMB （最大值） / C
101
= 180
120
105
109
10
IT （ RMS ） / A
BT137
1
90
60
30
8
102 C
8
6
4
2
0
6
113
4
117
121
125
10
2
0
2
4
6
IT （ RMS ） / A
8
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
BT137
BT137
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
BT137
1000
ITSM / A
IT
我TSM
时间
25
IT （ RMS ） / A
20
TJ初始= 25℃最高
15
100
dI
T
/ dt限制
10
T2- G +象限
5
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
102C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
80
70
60
50
40
30
ITSM / A
BT137
IT
T
ITSM
时间
1.6
1.4
1.2
1
0.8
BT136
TJ初始= 25℃最高
20
10
0.6
0.4
-50
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
3
2.5
2
1.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT137
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT137
20
典型值
VO = 1.264 V
卢比= 0.0378欧姆
最大
15
10
1
0.5
0
-50
5
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
TRIAC
10
第i个J- MB （K / W）
BT137
单向
1
双向
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
的dV / dt （V /美国）
关断状态的dV / dt限制
BT137 ... G系列
BT137系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
100
BT137 ... F系列
10
DICOM / DT =
10 A / MS
7.9
6.1
4.7
3.6
2.8
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。典型的换向的dV / dt与结
温度参数减刑的dI
T
/ DT 。双向可控硅
应换向时的dV / dt是下面的值
相应的曲线预换向的dI上
T
/ DT 。
1997年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT137系列
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年10月
5
启1.200
半导体
BT137系列
双向可控硅
特征
玻璃钝化可控硅在一个塑料TO220封装。
它们被设计用于在要求高的应用
双向瞬态和阻断电压能力，
高的热循环性能。
典型应用包括电机控制，工业和
国内的照明，供暖和静态开关
.
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
价值
BT137-500 BT137-600 BT137-800
V
DRM
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
P
GM
PG
（AV）
T
英镑
T
j
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
RMS通态电流
导通非重复性峰值
目前状态
峰值功率门
平均功耗门
存储温度范围
工作结
温度
500
500
600
600
8
65
5
0.5
-45至+150
110
800
V
800
A
A
W
W
°C
°C
符号
评级
单位
热特性
符号
R
j - MB
R
θJA
评级
热阻结到安装底座
热阻结到环境
价值
≤
2
≤
60
单位
° C / W
26/09/2012
半导体COMSET
1|3
半导体
BT137系列
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
DRM
V
RRM
评级
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
测试条件（S ）
I
D
- 0.1毫安
I
D
- 0.5毫安
V
D
= 12 V
R
L
= 100
V
D
= 12 V
R
L
= 100
V
D
= 12 V
I
GT
= 100毫安
BT137-500
BT137-600
BT137-800
BT137-500
BT137-600
BT137-800
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
民
500
600
800
500
600
800
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
最大
-
-
-
-
-
-
10
10
10
25
1.5
1.5
1.5
1.8
45
60
45
60
50
0.5
1.6
-
单位
V
I
GT
门极触发电流
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
L
I
H
I
D
V
T
dV
D
/ DT
闭锁电流
保持电流
断态泄漏电流
通态电压
的临界上升率
断态电压
的临界上升率
变化commutatating
当前
门控开启
时间
mA
mA
mA
V
V / μs的
I
T
= 200毫安，我
GT
= 50毫安
V
D
= V
DRM最大
T
j
= 125°C
I
T
= 20 A
V
DM
= 67% V
DRMmax
T
j
= 125°C
指数波形;
门开路
V
D
= 400 V ;牛逼
j
= 95 °C
dI
COM
/ DT = 3.6 A / MS;我
T
= 8 A
门开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
DRMmax
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
dV
COM
/ DT
t
gt
-
-
20
2
-
-
V / μs的
s
26/09/2012
半导体COMSET
2|3
半导体
BT137系列
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
主终端1
主终端2
门
主终端2
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何
和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
在生命支持设备或系统中的关键组件。
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26/09/2012
半导体COMSET
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联系人：钟彩香
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