【SEMIWELL半导体BT137-600符号○双向晶闸管特点重复峰值断态电压： 600V◆R.M.S】,IC型号BT137-600,BT137-600 PDF资料,BT137-600经销商,ic,电子元器件-51电子网

SEMIWELL

半导体

BT137-600

符号

○

双向晶闸管

特点

重复峰值断态电压： 600V

◆

R.M.S通态电流（I

T（ RMS ）

= 8 A )

◆

高换向dv / dt的

◆

非隔离型

◆

2.T2

▼

▲

○

3.Gate

1.T1

○

TO-220

概述

该设备适用于交流开关应用，相

控制应用程序，如风扇转速和温度MOD-

ulation控制，照明控制和静态开关继电器。

1

2

3

绝对最大额定值

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

I

2

t

P

GM

P

G（ AV ）

I

GM

V

GM

T

J

T

英镑

( T

J

= 25 ° C除非另有说明）

条件

评级

600

T

C

= 103 °C

一个周期为50Hz / 60Hz的，山顶，

不重复

T = 10ms的

8.0

70/77

24

5.0

在任期间为20ms

0.5

2.0

10

- 40 ~ 125

- 40 ~ 150

2.0

参数

重复峰值断态电压

R.M.S通态电流

浪涌通态电流

I

2

t

对于融合

栅极峰值功耗

平均门功耗

栅极峰值电流

峰值栅极电压

工作结温

储存温度

块

单位

V

A

2

s

W

A

V

°C

g

一月， 2004年修订版0

1/5

BT137-600

电气特性

符号

项

重复峰值断态

当前

峰值通态电压

Ⅰ

Ⅱ

Ⅲ

Ⅰ

Ⅱ

Ⅲ

非触发栅极电压

兴起关闭状态的爆击率

电压整流

保持电流

热阻抗

结到外壳

T

J

= 125°C ，V

D

= 1/2 V

DRM

T

J

= 125°C ， [ di / dt的C = -3.0 A / MS ，

V

D

=2/3 V

DRM

门极触发电压

V

D

= 6 V ，R

L

=10

Ω

门极触发电流

V

D

= 6 V ，R

L

=10

Ω

条件

V

D

= V

DRM

，单相半波

T

J

= 125 °C

I

T

= 10 A，研究所。测量

评级

分钟。

─

0.2

5.0

─

典型值。

─

10

─

马克斯。

1.0

1.6

25

1.5

─

2.0

单位

I

DRM

V

TM

I

+GT1

I

-GT1

I

-GT3

V

+GT1

V

-GT1

V

-GT3

V

GD

（ dv / dt的）C

I

H

R

日（J -C ）

mA

V

mA

V

V/

mA

° C / W

2/5

BT137-600

图1.门特点

10

2

图2.通态电压

10

1

V

GM

(10V)

通态电流[ A]

P

GM

(5W)

栅极电压[ V]的

P

G（ AV ）

(0.5W)

25

℃

I

GM

(2A)

10

0

10

1

T

J

= 125 C

o

T

J

= 25 C

10

0

o

V

GD

(0.2V)

10

-1

10

1

10

2

10

3

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

门电流[mA ]

导通状态电压[ V]

图3.在国家电流与

最大功率耗散

12

11

10

图4.在国家电流与

允许外壳温度

o

130

π

θ

360°

θ

2

π

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

θ

= 90

θ

= 60

θ

= 30

o

允许外壳温度[

o

C]

功耗[W]

θ

= 180

o

θ

= 150

o

θ

= 120

120

θ

：导通角

o

π

110

θ

2

π

θ

= 30

θ

5

6

7

8

o

θ

360°

θ

= 60

θ

：导通角

100

0

1

2

3

4

= 90

o

= 120

o

= 150

o

= 180

9

10

o

2

3

4

5

6

7

8

9

10

RMS通态电流[ A]

图5.浪涌通态电流额定值

（不重复）

90

80

图6.门极触发电压与

结温

10

浪涌通态电流[ A]

70

60

50

40

30

20

10

0

10

60Hz

V

GT

(25 C)

V

GT

（T C ）

o

1

50Hz

10

1

10

2

0.1

-50

0

50

100

o

150

时间（周期）

结温[C]

3/5

BT137-600

图7.门极触发电流 -

结温

10

1

图8.瞬态热阻抗

1

I

+

GT1

_

GT1

瞬态热阻抗[ ℃/ W]

I

GT

(25 C)

I

GT

（T C ）

o

10

0

I

_

GT3

0.1

-50

10

-1

0

50

100

o

150

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

结温[C]

时间（秒）

图9.门极触发特性测试电路

10

▼

▲

6V

●

▼

▲

A

●

▼

▲

A

●

6V

A

V

●

R

G

V

●

R

G

V

●

R

G

测试程序

Ⅰ

测试程序

Ⅱ

测试程序

Ⅲ

4/5

BT137-600

TO- 220封装尺寸

mm

典型值。

寸

典型值。

DIM 。

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

分钟。

9.7

6.3

9.0

12.8

1.2

马克斯。

10.1

6.7

9.47

13.3

1.4

分钟。

0.382

0.248

0.354

0.504

0.047

马克斯。

0.398

0.264

0.373

0.524

0.055

1.7

2.5

3.0

1.25

2.4

5.0

2.2

1.25

0.45

0.6

3.6

3.4

1.4

2.7

5.15

2.6

1.55

0.6

1.0

0.118

0.049

0.094

0.197

0.087

0.049

0.018

0.024

0.067

0.098

0.134

0.055

0.106

0.203

0.102

0.061

0.024

0.039

0.142

φ

E

B

A

H

I

φ

F

C

M

G

1

D

2

3

L

1. T1

2. T2

3.门

N

O

J

K

5/5

TIGER ELECTRONIC CO 。， LTD。

BT137-600

概述

在一个塑料钝化，敏感栅三端双向可控硅

信封，拟用于一般用途

双向开关和相位控制

应用中，需要高灵敏度

在所有四个象限。

绝对最大额定值（ TA = 25

O

C)

参数

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

马克斯。工作结

温度

储存温度

符号

V

DRM

V

RRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

T

j

T

英镑

典型值

600

8.0

65

110

-45~150

单位

V

A

o

C

o

TO-220

电气特性（TA = 25℃ ）

参数

重复峰值断态电压

RMS通态电流

通态电压

保持电流

T2+G+

门极触发

当前

T2+G-

T2-G-

T2-G+

T2+G+

锁定

当前

T2+G-

T2-G-

T2-G+

门极触发电压

V

GT

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

I

L

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

I

GT

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

符号

V

DRM

V

RRM

I

T（ RMS ）

V

T

I

H

全正弦波;牛逼

mb

I

T

=10A

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

107

o

C

测试条件

民

典型值

600

8

1.3

5

8

11

30

7

16

5

7

0.7

1.65

20

25

70

30

45

30

45

1.5

V

mA

最大

单位

V

A

V

mA

O

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT137系列

概述

在一个塑料玻璃钝化可控硅

包络线，用于在使用中

应用

需要

高

双向瞬态和拦网

电压能力和高的热

循环

性能。

典型

应用包括电机控制，

工业和家用照明，

加热和静态开关。

快速参考数据

符号

参数

BT137-

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值通态

当前

MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT

500

500F

500G

500

8

65

600

600F

600G

600

8

65

800

800F

800G

800

8

65

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

V

A

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

描述

主终端1

引脚配置

TAB

符号

T2

主终端2

门

主终端2

1 23

T1

G

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

参数

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

I

2

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

全正弦波;牛逼

mb

≤

102 C

全正弦波;牛逼

j

前= 25

浪涌

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

T = 10毫秒

I

TM

= 12 A;我

G

= 0.2 A;

dI

G

/ DT = 0.2 A / μs的

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

条件

分钟。

-

-40

-

-500

500

1

马克斯。

-600

600

1

8

65

71

21

50

10

2

5

0.5

150

125

-800

800

单位

V

A

2

s

A / μs的

A

V

W

C

I

2

t

dI

T

/ DT

I

GM

V

GM

P

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

储存温度

工作结

温度

在任何20毫秒期

1

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅

切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。

1997年10月

1

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT137系列

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

条件

分钟。

-

典型值。

-

60

马克斯。

2.0

2.4

-

单位

K / W

热阻

全周期

路口安装基座半个周期

热阻

在自由空气

结到环境

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

GT

参数

门极触发电流

条件

BT137-

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

I

T

= 10 A

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

V

D

= 400 V ;我

T

= 0.1 A;

T

j

= 125 C

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

;

T

j

= 125 C

分钟。

典型值。

...

-

0.25

-

5

8

11

30

7

16

5

7

5

1.3

0.7

0.4

0.1

35

70

30

45

30

45

20

马克斯。

...F

25

70

30

45

30

45

20

1.65

1.5

-

0.5

...G

50

100

45

60

45

60

40

mA

V

mA

单位

I

L

闭锁电流

I

H

V

T

V

GT

I

D

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

dV

D

/ DT

参数

的临界上升率

断态电压

变化率的关键

整流电压

门控开启

时间

条件

BT137-

V

DM

= 67% V

数字版权管理（最大值）

;

T

j

= 125 ℃;指数

波形;门敞开着。

电路

V

DM

= 400 V ;牛逼

j

= 95 C;

I

T（ RMS ）

= 8 A;

dI

COM

/ DT = 3.6 A / MS;门

开路

I

TM

= 12 A; V

D

= V

数字版权管理（最大值）

;

I

G

= 0.1 A;的dI

G

/ DT = 5 A / μs的

...

100

分钟。

...F

50

...G

200

典型值。

250

马克斯。

-

单位

V / μs的

dV

COM

/ DT

-

10

20

-

V / μs的

t

gt

-

2

-

s

1997年10月

2

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT137系列

12

10

P合计/ W

BT137

TMB （最大值） / C

101

= 180

120

105

109

10

IT （ RMS ） / A

BT137

1

90

60

30

8

102 C

8

6

4

2

0

6

113

4

117

121

125

10

2

0

2

4

6

IT （ RMS ） / A

8

0

-50

0

50

TMB / C

100

150

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与有效值

通态电流I

T（ RMS ）

，其中，

α

=导通角。

BT137

图4 。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

,

与安装基座温度T

mb

.

BT137

1000

ITSM / A

IT

我TSM

时间

25

IT （ RMS ） / A

20

TJ初始= 25℃最高

15

100

dI

T

/ dt限制

10

T2- G +象限

5

10

10us

100us

1ms

T / S

10ms

100ms

0

0.01

0.1

1

浪涌持续时间/秒

10

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

p

为

正弦电流，T

p

≤

20ms.

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

mb

≤

102C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

80

70

60

50

40

30

ITSM / A

BT137

IT

T

ITSM

时间

1.6

1.4

1.2

1

0.8

BT136

TJ初始= 25℃最高

20

10

0.6

0.4

-50

0

1

10

100

周期在50Hz数

1000

0

50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

图6 。归一化门极触发电压

V

GT

(T

j

)/ V

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

1997年10月

3

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT137系列

3

2.5

2

1.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT137

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

25

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

BT137

20

典型值

VO = 1.264 V

卢比= 0.0378欧姆

最大

15

10

1

0.5

0

-50

5

0

50

TJ / C

100

150

0

0.5

1

1.5

VT / V

2

2.5

3

图7 。归一化门极触发电流

I

GT

(T

j

)/ I

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

3

2.5

TRIAC

10

第i个J- MB （K / W）

BT137

单向

1

双向

2

1.5

1

0.5

0

-50

0.01

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1

P

D

tp

t

0

50

TJ / C

100

150

0.1s

1s

10s

图8 。正常化闭锁电流I

L

(T

j

)/ I

L

(25C),

与结温度T

j

.

IH（ TJ）

IH(25C)

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- MB

，与

脉冲宽度t

p

.

的dV / dt （V /美国）

关断状态的dV / dt限制

BT137 ... G系列

BT137系列

3

2.5

2

1.5

1

0.5

TRIAC

1000

100

BT137 ... F系列

10

DICOM / DT =

10 A / MS

7.9

6.1

4.7

3.6

2.8

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

1

0

50

TJ / C

100

150

图9 。归一化控股电流I

H

(T

j

)/ I

H

(25C),

与结温度T

j

.

图12 。典型的换向的dV / dt与结

温度参数减刑的dI

T

/ DT 。双向可控硅

应换向时的dV / dt是下面的值

相应的曲线预换向的dI上

T

/ DT 。

1997年10月

4

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT137系列

机械数据

尺寸（mm）

净重： 2克

4,5

最大

10,3

最大

1,3

3,7

2,8

5,9

民

15,8

最大

3,0最大

不镀锡

3,0

13,5

民

1,3

最大

1 2 3

(2x)

2,54 2,54

0,9最大值（3×）

0,6

2,4

图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。

笔记

1.请参阅安装用于TO220信封的说明。

2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。

1997年10月

5

启1.200

半导体

BT137系列

双向可控硅

特征

玻璃钝化可控硅在一个塑料TO220封装。

它们被设计用于在要求高的应用

双向瞬态和阻断电压能力，

高的热循环性能。

典型应用包括电机控制，工业和

国内的照明，供暖和静态开关

.

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

价值

BT137-500 BT137-600 BT137-800

V

DRM

V

RRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

P

GM

PG

（AV）

T

英镑

T

j

重复峰值断态

电压

反向重复峰值

电压

RMS通态电流

导通非重复性峰值

目前状态

峰值功率门

平均功耗门

存储温度范围

工作结

温度

500

600

8

65

5

0.5

-45至+150

110

800

V

800

A

W

°C

符号

评级

单位

热特性

符号

R

j - MB

R

θJA

评级

热阻结到安装底座

热阻结到环境

价值

≤

2

≤

60

单位

° C / W

26/09/2012

半导体COMSET

1|3

半导体

BT137系列

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

V

DRM

V

RRM

评级

重复峰值断态

电压

反向重复峰值

电压

测试条件（S ）

I

D

- 0.1毫安

I

D

- 0.5毫安

V

D

= 12 V

R

L

= 100

V

D

= 12 V

R

L

= 100

V

D

= 12 V

I

GT

= 100毫安

BT137-500

BT137-600

BT137-800

BT137-500

BT137-600

BT137-800

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

民

500

600

800

500

600

800

-

100

典型值

-

250

最大

-

10

25

1.5

1.8

45

60

45

60

50

0.5

1.6

-

单位

V

I

GT

门极触发电流

mA

V

GT

门极触发电压

V

I

L

I

H

I

D

V

T

dV

D

/ DT

闭锁电流

保持电流

断态泄漏电流

通态电压

的临界上升率

断态电压

的临界上升率

变化commutatating

当前

门控开启

时间

mA

V

V / μs的

I

T

= 200毫安，我

GT

= 50毫安

V

D

= V

DRM最大

T

j

= 125°C

I

T

= 20 A

V

DM

= 67% V

DRMmax

T

j

= 125°C

指数波形;

门开路

V

D

= 400 V ;牛逼

j

= 95 °C

dI

COM

/ DT = 3.6 A / MS;我

T

= 8 A

门开路

I

TM

= 12 A; V

D

= V

DRMmax

I

G

= 0.1 A;的dI

G

/ DT = 5 A / μs的

dV

COM

/ DT

t

gt

-

20

2

-

V / μs的

s

26/09/2012

半导体COMSET

2|3

半导体

BT137系列

机械数据案例TO- 220

引脚1 ：

引脚2 ：

3脚：

案例：

主终端1

主终端2

门

主终端2

修订后的2012年8月

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任

利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，

恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保

目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何

和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的

在生命支持设备或系统中的关键组件。

www.comsetsemi.com

26/09/2012

半导体COMSET

info@comsetsemi.com

3|3

TF8A60

标准TRIAC

符号

○

TO-220F

2.T2

V

DRM

= 600V

I

T（ RMS ）

= 8 A

▼

▲

○

3.Gate

1.T1

○

I

TSM

= 84A

1

2

3

特点

重复峰值断态电压： 600V

◆

R.M.S通态电流（I

T（ RMS ）

=

8

A )

◆

高换向dv / dt的

◆

概述

该设备完全隔离，适用于交流开关应用lication ，相位控制应用P ackage

如风扇转速和温度调节控制，照明控制和静态开关继电器。

该器件可替代BTA08-600 ， BTB08-600 ， BT137-600 ， BCR8PM - 12 ， TM861M / S系列。

绝对最大额定值

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

I

2

t

P

G（ AV ）

I

GM

T

J

T

英镑

（ TJ = 25 ° C除非另有说明）

条件

由于波， 50至60赫兹

T

j

=

125°C

，全正弦波

一个周期为50Hz / 60Hz的，山顶，

不重复

参数

重复峰值断态电压

R.M.S通态电流

浪涌通态电流

I

2

t

平均门功耗

栅极峰值电流

工作结温

储存温度

评级

600

8

.0

80/84

32

1

2

- 40 ~ 125

- 40 ~ 150

单位

V

A

2

s

W

A

°C

tp

=

10ms

TJ = 125°C

ü升Y，

2010 Rev.2号

1/6

TF8A60

电气特性

（ TJ = 25 ° C除非另有说明）

符号

项

重复峰值断态

当前

峰值通态电压

Ⅰ

Ⅱ

Ⅲ

Ⅰ

Ⅱ

Ⅲ

非触发栅极电压

兴起关闭状态的爆击率

电压

保持电流

TJ = 125°C ，V

D

= V

DRM ，

RL = 3.3K Ω

T

j

= 125 °C,

V

D

=2/3 V

DRM

I

T

=0.2A

门极触发电压

V

D

= 12 V ，R

L

=30

Ω

门极触发电流

V

D

=

12

V ，R

L

=30

Ω

条件

V

D

= V

DRM

，单相半波

T

j

= 125 °C

I

TM

= 11 A,

T

P

=380

评级

分钟。

─

---

─

0.2

典型值。

─

---

马克斯。

2

1.55

30

1.5

─

单位

I

DRM

V

TM

I

+GT1

I

-GT1

I

-GT3

V

+GT1

V

-GT1

V

-GT3

V

GD

dv / dt的

I

H

mA

V

mA

V

200

--

50

V/

mA

2/6

TF8A60

图1.门特点

10

2

图2.通态电压

10

1

V

GM

(10V)

通态电流[ A]

栅极电压[ V]的

P

GM

(5W)

P

G（ AV ）

(1W)

25

℃

10

1

T

J

= 125 C

o

I

GM

(2A)

0

T

J

= 25 C

10

0

o

10

-1

V

GD

(0.2V)

1

10

2

10

3

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

门电流[mA ]

导通状态电压[ V]

图3.在国家电流与

最大功率耗散

10

9

图4.在国家电流与

允许外壳温度

o

功耗[W]

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

π

θ

360°

θ

2

π

允许外壳温度[

o

C]

θ

= 180

o

θ

= 150

o

θ

= 120

θ

= 90

θ

= 60

o

130

120

θ

：导通角

110

θ

= 30

100

o

θ

= 30

o

π

θ

360°

θ

2

π

90

θ

：导通角

θ

= 60

o

θ

= 90

o

θ

= 120

o

θ

= 150

o

θ

= 180

5

6

7

8

9

10

80

2

RMS通态电流[ A]

3

4

5

6

7

8

9

10

0

1

2

3

4

RMS通态电流[ A]

图5.浪涌通态电流额定值

（不重复）

100

图6.门极触发电压与

结温

10

浪涌通态电流[ A]

80

60Hz

V

GT

(25 C)

V

GT

（T C ）

V

1

o

60

+

GT1

_

GT1

_

GT3

V

40

50Hz

20

o

0

10

1

10

2

0.1

-50

0

50

100

o

150

时间（周期）

结温[C]

3/6

TF8A60

图7.门极触发电流 -

结温

10

图8.瞬态热阻抗

1

I

+

GT1

_

GT1

瞬态热阻抗[ ℃/ W]

I

GT

(25 C)

I

GT

（T C ）

o

1

I

0.1

-50

_

GT3

0

50

100

o

150

0.1

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

结温[C]

时间（秒）

4/6

TF8A60

TO- 220F封装尺寸

SYM BOL

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

民

9.88

15.30

2.95

10.30

0.95

1.81

0.50

3.00

4.35

6.20

0.41

2.30

2.53

2.34

在建华ES

典型值

10.08

15.50

3.00

10.50

1.08

1.84

0.70

3.20

4.45

6.40

0.51

2.50

2.73

2.54

最大

10.28

15.70

3.05

10.70

1.20

1.87

0.90

3.40

4.55

6.60

0.61

2.70

2.93

2.74

25.10

38.86

7.49

26.16

2.41

4.60

1.27

7.62

11.05

15.75

1.03

5.84

6.43

5.94

毫米波S

民

25.60

39.37

7.62

26.67

2.74

4.67

1.78

8.13

11.30

16.26

1.28

6.35

6.93

6.45

典型值

26.11

39.88

7.75

27.18

3.05

4.75

2.29

8.64

11.56

16.76

1.54

6.86

7.44

6.96

5/6

TF8A80

标准TRIAC

符号

○

TO-220F

2.T2

V

DRM

=

800V

I

T（ RMS ）

= 8 A

▼

▲

○

3.Gate

1.T1

○

I

TSM

= 84A

1

2

3

特点

重复峰值断态电压：

800V

◆

R.M.S通态电流（I

T（ RMS ）

=8 A )

◆

高换向dv / dt的

◆

概述

该设备完全隔离，适用于交流开关应用lication ，相位控制应用P ackage

如风扇转速和温度调节控制，照明控制和静态开关继电器。

该器件可替代BTA08-600 ， BTB08-600 ，

BT137-600,

BCR8PM-12,

TM861M/S-L

系列。

绝对最大额定值

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

I

2

t

P

G（ AV ）

I

GM

T

J

T

英镑

（ TJ = 25 ° C除非另有说明）

条件

由于波， 50至60赫兹

T

j

=

125°C

，全正弦波

一个周期为50Hz / 60Hz的，山顶，

不重复

参数

重复峰值断态电压

R.M.S通态电流

浪涌通态电流

I

2

t

平均门功耗

栅极峰值电流

工作结温

储存温度

评级

800

8

.0

80/84

32

1

2

- 40 ~ 125

- 40 ~ 150

单位

V

A

2

s

W

A

°C

tp

=

10ms

TJ = 125°C

ü升Y，

2010 Rev.2号

1/6

TF8A80

电气特性

（ TJ = 25 ° C除非另有说明）

符号

项

重复峰值断态

当前

峰值通态电压

Ⅰ

Ⅱ

Ⅲ

Ⅰ

Ⅱ

Ⅲ

非触发栅极电压

兴起关闭状态的爆击率

电压

保持电流

TJ = 125°C ，V

D

= V

DRM ，

RL = 3.3K Ω

T

j

= 125 °C,

V

D

=2/3 V

DRM

I

T

=0.2A

门极触发电压

V

D

= 12 V ，R

L

=30

Ω

门极触发电流

V

D

=

12

V ，R

L

=30

Ω

条件

V

D

= V

DRM

，单相半波

T

j

= 125 °C

I

TM

= 11 A,

T

P

=380

评级

分钟。

─

---

─

0.2

典型值。

─

---

马克斯。

2

1.55

30

1.5

─

单位

I

DRM

V

TM

I

+GT1

I

-GT1

I

-GT3

V

+GT1

V

-GT1

V

-GT3

V

GD

dv / dt的

I

H

mA

V

mA

V

200

--

50

V/

mA

2/6

TF8A80

图1.门特点

10

2

图2.通态电压

10

1

V

GM

(10V)

通态电流[ A]

栅极电压[ V]的

P

GM

(5W)

P

G（ AV ）

(1W)

25

℃

10

1

T

J

= 125 C

o

I

GM

(2A)

0

T

J

= 25 C

10

0

o

10

-1

V

GD

(0.2V)

1

10

2

10

3

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

门电流[mA ]

导通状态电压[ V]

图3.在国家电流与

最大功率耗散

10

9

图4.在国家电流与

允许外壳温度

o

功耗[W]

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

π

θ

360°

θ

2

π

允许外壳温度[

o

C]

θ

= 180

o

θ

= 150

o

θ

= 120

θ

= 90

θ

= 60

o

130

120

θ

：导通角

110

θ

= 30

100

o

θ

= 30

o

π

θ

360°

θ

2

π

90

θ

：导通角

θ

= 60

o

θ

= 90

o

θ

= 120

o

θ

= 150

o

θ

= 180

5

6

7

8

9

10

80

2

RMS通态电流[ A]

3

4

5

6

7

8

9

10

0

1

2

3

4

RMS通态电流[ A]

图5.浪涌通态电流额定值

（不重复）

100

图6.门极触发电压与

结温

10

浪涌通态电流[ A]

80

60Hz

V

GT

(25 C)

V

GT

（T C ）

V

1

o

60

+

GT1

_

GT1

_

GT3

V

40

50Hz

20

o

0

10

1

10

2

0.1

-50

0

50

100

o

150

时间（周期）

结温[C]

3/6

TF8A80

图7.门极触发电流 -

结温

10

图8.瞬态热阻抗

1

I

+

GT1

_

GT1

瞬态热阻抗[ ℃/ W]

I

GT

(25 C)

I

GT

（T C ）

o

1

I

0.1

-50

_

GT3

0

50

100

o

150

0.1

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

结温[C]

时间（秒）

4/6

TF8A80

TO- 220F封装尺寸

SYM BOL

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

民

9.88

15.30

2.95

10.30

0.95

1.81

0.50

3.00

4.35

6.20

0.41

2.30

2.53

2.34

在建华ES

典型值

10.08

15.50

3.00

10.50

1.08

1.84

0.70

3.20

4.45

6.40

0.51

2.50

2.73

2.54

最大

10.28

15.70

3.05

10.70

1.20

1.87

0.90

3.40

4.55

6.60

0.61

2.70

2.93

2.74

25.10

38.86

7.49

26.16

2.41

4.60

1.27

7.62

11.05

15.75

1.03

5.84

6.43

5.94

毫米波S

民

25.60

39.37

7.62

26.67

2.74

4.67

1.78

8.13

11.30

16.26

1.28

6.35

6.93

6.45

典型值

26.11

39.88

7.75

27.18

3.05

4.75

2.29

8.64

11.56

16.76

1.54

6.86

7.44

6.96

5/6