【晶闸管产品目录TECCOR电子1800年赫德道欧文，德克萨斯州75038美国电话： +1 972-5】,IC型号BT136-500D,BT136-500D PDF资料,BT136-500D经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶闸管

产品

TECCOR电子

1800年赫德道

欧文，德克萨斯州75038

美国

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2002年的Teccor电子

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TECCOR电子保留对，以提高设计和提供最好的产品可能在任何时候更改的权利。

本产品目录中的信息已经过仔细检查，被认为是准确和可靠;然而，任何类型的任何责任

对使用本出版物中描述的电路或设备应招致的Teccor 。任何专利。此外，没有许可证

权利的暗示或提供给任何买主。

TECCOR电子是QUADRAC商标所有人。

是美国保险商实验室的注册商标。

里斯， Inc.的所有其他品牌名称可能是其各自公司的商标。为了节省空间，在此目录中，

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产品选择指南

产品描述 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 六

电路要求框图 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 七

产物包 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 八

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - X - 部分Numbers-的描述

质量和可靠性保证 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - XII

标准条款和条件 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 十四

数据表

晶闸管器件的伏安特性 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E0-2

电参数的术语 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E0-3

电气规格

敏感的双向可控硅 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E1

端双向可控硅开关 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E2

QUADRACs - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E3

交变双向可控硅 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E4

敏感的SCR - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E5

可控硅 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E6

整流器 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E7

DIACS - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E8

SIDAC - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E9

机械的特定网络阳离子

包尺寸 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - M1

导致表格尺寸 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - M2

包装选项 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - M3的

应用笔记

- - - - - - - - - - - - - - - - - - AN1001 - 晶闸管的基本特征

选通，锁存保持SCR的，并与三端双向可控硅 - - - - - - - - - - - - - AN1002

相位控制用Thyristors- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - AN1003

安装和处理半导体器件 - - - - - - - - - - - - - AN1004

表面贴装焊接建议 - - - - - - - - - - - - - - - - - AN1005

测试的Teccor半导体器件

使用曲线示踪器 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - AN1006

晶闸管用于作为交流静态开关与继电器 - - - - - - - - - - - - AN1007

的最大额定值和特性晶闸管的解释 - AN1008

杂项设计技巧和常识 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - AN1009

晶闸管荧光灯点火 - - - - - - - - - - - - - - - - - - AN1010

附录

交叉参考指南 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - A1的

部件编号指数 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - A27

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电路要求框图 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - P 3

产物包 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - P 4

零件号码的描述 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - P 6

质量和可靠性保证 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 第8页

标准条款和条件 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 第10页

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

概述

玻璃钝化，敏感栅

在一个塑料外壳端双向可控硅开关，意

对于一般用途

双向开关和相位

控制应用。这些设备

旨在被直接连接

微控制器，逻辑综合

电路及低功率门

触发电路。

BT136 D系列

快速参考数据

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

参数

BT136-

重复峰值断态电压

RMS通态电流

通态电流非重复性峰值

MAX 。 MAX 。 UNIT

500D

500

4

25

600D

600

4

25

V

A

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

描述

主终端1

引脚配置

TAB

符号

T2

主终端2

门

主终端2

1 23

T1

G

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

参数

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

I

2

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

全正弦波;牛逼

mb

≤

107 C

全正弦波;牛逼

j

前= 25

浪涌

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

T = 10毫秒

I

TM

= 6 A;我

G

= 0.2 A;

dI

G

/ DT = 0.2 A / μs的

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

条件

分钟。

-

-40

-

-500

500

1

4

25

27

3.1

50

10

2

5

0.5

150

125

马克斯。

-600

600

1

单位

V

A

2

s

A / μs的

A

V

W

C

I

2

t

dI

T

/ DT

I

GM

V

GM

P

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

储存温度

工作结

温度

在任何20毫秒期

1

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅

切换到接通状态。电流上升率不应超过3 A / μs的。

1997年8月

1

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

条件

分钟。

-

BT136 D系列

典型值。

-

60

马克斯。

3.0

3.7

-

单位

K / W

热阻

全周期

路口安装基座半个周期

热阻

在自由空气

结到环境

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

GT

参数

门极触发电流

条件

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

分钟。

-

0.25

-

典型值。

2.0

2.5

5.0

1.6

4.5

1.2

2.2

1.2

1.4

0.7

0.4

0.1

马克斯。

5

10

15

10

15

10

1.70

1.5

-

0.5

单位

mA

V

mA

I

L

闭锁电流

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

I

H

V

T

V

GT

I

D

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

I

T

= 5 A

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

V

D

= 400 V ;我

T

= 0.1 A;牛逼

j

= 125 C

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; T

j

= 125 C

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

dV

D

/ DT

t

gt

参数

的临界上升率

断态电压

门控开启

时间

条件

V

DM

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

j

= 125 C;

指数波形;

GK

= 1 k

I

TM

= 6 A; V

D

= V

数字版权管理（最大值）

; I

G

= 0.1 A;

dI

G

/ DT = 5 A / μs的

分钟。

-

典型值。

5

2

马克斯。

-

单位

V / μs的

s

1997年8月

2

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

BT136 D系列

8

7

6

5

4

3

2

1

0

P合计/ W

BT136

TMB （最大值） / C

101

104

5

IT （ RMS ） / A

BT136

1

= 180

120

90

60

30

4

107

110

113

116

119

107 C

3

2

1

122

0

1

2

3

IT （ RMS ） / A

4

125

5

0

-50

0

50

TMB / C

100

150

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与有效值

通态电流I

T（ RMS ）

，其中，

α

=导通角。

图4 。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

,

与安装基座温度T

mb

.

BT136

1000

ITSM / A

BT136

IT

T

ITSM

12

10

时间

IT （ RMS ） / A

TJ初始= 25℃最高

100

dI

T

/ dt限制

8

6

4

T2- G +象限

2

10

10us

100us

1ms

T / S

10ms

100ms

0

0.01

0.1

1

浪涌持续时间/秒

10

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

p

为

正弦电流，T

p

≤

20ms.

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

mb

≤

107C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

30

25

20

15

10

5

0

ITSM / A

BT136

1.6

IT

T

我TSM

时间

BT136

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

-50

TJ初始= 25℃最高

1

10

100

周期在50Hz数

1000

0

50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

图6 。归一化门极触发电压

V

GT

(T

j

)/ V

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

1997年8月

3

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

BT136 D系列

3

2.5

2

1.5

1

0.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT136D

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

12

10

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

VO = 1.27 V

卢比= 0.091欧姆

BT136

典型值

最大

8

6

4

2

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

0

0.5

1

1.5

VT / V

2

2.5

3

图7 。归一化门极触发电流

I

GT

(T

j

)/ I

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

3

2.5

TRIAC

10

第i个J- MB （K / W）

BT136

单向

双向

1

2

1.5

1

0.5

0

-50

0.01

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

1s

0.1

P

D

tp

t

0

50

TJ / C

100

150

10s

图8 。正常化闭锁电流I

L

(T

j

)/ I

L

(25C),

与结温度T

j

.

IH（ TJ）

IH(25C)

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- MB

，与

脉冲宽度t

p

.

DVD / DT （V /美国）

3

2.5

2

1.5

1

0.5

TRIAC

1000

100

10

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

1

0

50

TJ / C

100

150

图9 。归一化控股电流I

H

(T

j

)/ I

H

(25C),

与结温度T

j

.

图12 。断态电压上升的典型，爆击率，

dV

D

/ DT与结温度T

j

.

1997年8月

4

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

机械数据

尺寸（mm）

净重： 2克

BT136 D系列

4,5

最大

10,3

最大

1,3

3,7

2,8

5,9

民

15,8

最大

3,0最大

不镀锡

3,0

13,5

民

1,3

最大

1 2 3

(2x)

2,54 2,54

0,9最大值（3×）

0,6

2,4

图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。

笔记

1.请参阅安装用于TO220信封的说明。

2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。

1997年8月

5

启1.200

晶闸管

产品

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