初步
SEMIWELL
半导体
双向晶闸管
符号
BT134-F
特点
◆
重复峰值断态电压: 600V
◆
R.M.S通态电流(I
T( RMS )
= 4 A )
◆
高换向dv / dt的
○
2.T2
▼
▲
○
3.Gate
1.T1
○
概述
此装置适用于低功率AC切换应用
化,相位控制应用,如风扇转速和温
perature调制控制,照明控制和静态
切换继电器。
TO-126
3
2
1
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
V
GM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明)
条件
评级
600
T
C
= 104 °C
一个周期为50Hz / 60Hz的,山顶,
不重复
T = 10ms的
4
25/27
3.1
5
在任期间为20ms
0.5
2
5
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
参数
重复峰值断态电压
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
工作结温
储存温度
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
十一月, 2003年修订版0
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BT134-F
电气特性
符号
项
重复峰值断态
当前
峰值通态电压
Ⅰ
Ⅱ
门极触发电流
I
-
GT3
条件
V
D
= V
DRM
,单相半波
T
J
= 125 °C
I
T
= 5 A,研究所。测量
评级
分钟。
─
─
─
─
典型值。
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
5
─
马克斯。
0.5
1.7
25
25
单位
I
DRM
V
TM
I
+GT1
I
-GT1
mA
V
V
D
= 6 V ,R
L
=10
Ω
─
─
─
─
25
70
1.5
1.5
mA
Ⅲ
Ⅳ
Ⅰ
Ⅱ
门极触发电压
V
D
= 6 V ,R
L
=10
Ω
Ⅲ
Ⅳ
非触发栅极电压
兴起关闭状态的爆击率
电压整流
保持电流
热阻抗
结到外壳
T
J
= 125°C ,V
D
= 1/2 V
DRM
T
J
= 125°C , [ di / dt的C = -0.75 A / MS ,
V
D
=2/3 V
DRM
I
+GT3
V
+GT1
V
-GT1
V
GT3
V
+GT3
V
GD
( dv / dt的)C
I
H
R
日(J -C )
-
V
─
─
0.2
5.0
─
─
1.5
2.5
─
─
─
3.5
V
V/
mA
° C / W
2/6