【飞利浦半导体产品speci fi cation双向可控硅逻辑电平概述玻璃钝化，敏感栅三端双向可控硅在】,IC型号BT131W-500,BT131W-500 PDF资料,BT131W-500经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

概述

玻璃钝化，敏感栅三端双向可控硅

在塑料包络适于

表面安装时，用于在使用中

一般

用途

双向

开关

和

相

控制

应用程序。这些设备是

打算直接与

微控制器，逻辑综合

电路及低功率门

触发电路。

BT131W系列

快速参考数据

符号

DRM

T（ RMS ）

TSM

参数

BT131W-

重复峰值断态电压

RMS通态电流

通态电流非重复性峰值

MAX 。 MAX 。 UNIT

500

600

钉扎 - SOT223

针

TAB

描述

主终端1

引脚配置

符号

主终端2

门

主终端2

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

DRM

T（ RMS ）

TSM

参数

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

全正弦波;牛逼

≤

108 C

全正弦波;牛逼

前= 25

浪涌

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

T = 10毫秒

= 1.5 A;我

= 0.2 A;

/ DT = 0.2 A / μs的

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

条件

分钟。

-40

-500

500

0.5

150

125

马克斯。

-600

600

单位

A / μs的

/ DT

G（ AV ）

英镑

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

储存温度

工作结

温度

在任何20毫秒期

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅

切换到接通状态。电流上升率不应超过3 A / μs的。

1998年7月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

热阻

符号

日J- SP

日J-一

参数

热阻

结点到焊点

热阻

结到环境

条件

全额或半周期

印刷电路板安装;最小的足迹

印刷电路板安装;垫区域如在图14

分钟。

BT131W系列

典型值。

156

马克斯。

单位

K / W

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

参数

门极触发电流

条件

= 12 V ;我

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

分钟。

0.2

典型值。

0.4

1.3

1.4

3.8

1.2

4.0

1.0

2.5

1.3

1.2

0.7

0.3

0.1

马克斯。

1.5

0.5

单位

闭锁电流

= 12 V ;我

= 0.1 A

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

= 12 V ;我

= 0.1 A

= 2 A

= 12 V ;我

= 0.1 A

= 400 V ;我

= 0.1 A;牛逼

= 125 C

= V

数字版权管理（最大值）

; T

= 125 C

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

/ DT

参数

变化率的关键

断态电压

门控开启

时间

条件

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

= 125 C;

指数波形;

= 1 k

= 1.5 A; V

= V

数字版权管理（最大值）

; I

= 0.1 A;

/ DT = 5 A / μs的

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V / μs的

1998年7月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

逻辑电平

BT131W系列

1.4

1.2

P合计/ W

BT134W

TSP （最大值） / C

104

107

1.2

0.8

IT （ RMS ） / A

BT134W

108 C

= 180

0.8

0.6

0.4

0.2

120

110

113

0.6

116

119

122

125

1.2

0.4

0.2

-50

0.2

0.4

0.6

0.8

IT （ RMS ） / A

TSP / C

100

150

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与有效值

通态电流I

T（ RMS ）

，其中，

=导通角。

BT134W

100

/ dt限制

我TSM

图4 。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

与铅温度T

领导

1000

ITSM / A

2.5

时间

TJ初始= 25℃最高

IT （ RMS ） / A

BT132D

2.0

1.5

T2- G +象限

0.5

10us

100us

1ms

T / S

10ms

100ms

0.01

0.1

浪涌持续时间/秒

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

为

正弦电流，T

≤

20ms.

BT134W

ITSM

时间

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

领导

≤

108C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

ITSM / A

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

BT136

TJ初始= 25℃最高

100

周期在50Hz数

1000

0.4

-50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

图6 。归一化门极触发电压

)/ V

（25℃ ），与结温度T

1998年7月

启1.000

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双向可控硅

逻辑电平

BT131W系列

2.5

1.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT131

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

BT134W

1.5

VO = 1.0 V

卢比= 0.21欧姆

典型值

最大

0.5

-50

0.5

VT / V

1.5

TJ / C

100

150

图7 。归一化门极触发电流

)/ I

（25℃ ），与结温度T

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

2.5

1.5

0.5

TRIAC

100

第i个J- SP （K / W）

BT134W

单向

双向

0.1

-50

TJ / C

100

150

0.01

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

10s

图8 。正常化闭锁电流I

)/ I

(25C),

与结温度T

IH（ TJ）

IH(25C)

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- SP

，与

脉冲宽度t

DVD / DT （V /美国）

2.5

1.5

0.5

TRIAC

1000

100

-50

TJ / C

100

150

TJ / C

100

150

图9 。归一化控股电流I

)/ I

(25C),

与结温度T

图12 。最低限度，对断态临界上升率

电压，DV

/ DT与结温度T

1998年7月

启1.000

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双向可控硅

逻辑电平

安装说明

BT131W系列

尺寸（mm）。

3.8

民

1.5

民

2.3

1.5

民

(3x)

6.3

1.5

民

4.6

图13 。焊接花纹表面贴装SOT223 。

1998年7月

启1.000

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SOT223

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23000

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