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BT1308W D系列
双向可控硅逻辑电平
版本01 - 2008年2月27日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT223表面贴装塑料封装钝化敏感栅三端双向可控硅
1.2产品特点
I
敏感栅
I
直接连接到逻辑电平集成电路
I
栅极触发在四个象限
I
直接连接到低功耗的门
驱动电路
1.3应用
I
通用开关和相位
控制
I
低功率AC风扇转速控制器
1.4快速参考数据
I
V
DRM
≤
400 V （ BT1308W - 400D ）
I
V
DRM
≤
600 V （ BT1308W - 600D ）
I
I
TSM
≤
9 A（ t为20毫秒）
I
I
GT
≤
5毫安
I
I
GT
≤
7毫安（ T2- G + ）
I
I
T（ RMS ）
≤
0.8 A
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
4
钉扎
描述
主终端1 （T1）的
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
安装底座;主终端2 （T2）的
1
2
3
4
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
SOT223
恩智浦半导体
BT1308W D系列
双向可控硅逻辑电平
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BT1308W-400D
BT1308W-600D
SC-73
描述
塑料表面贴装封装，增加了散热片; 4引线
VERSION
SOT223
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
条件
BT1308W-400D
BT1308W-600D
全正弦波;牛逼
sp
≤
107.4
°C;
SEE
图4
和
5
民
-
-
-
最大
400
600
0.8
单位
V
V
A
非重复峰值通态电流全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
前激增;
SEE
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
在任何20毫秒期
-
40
-
9
10
0.32
50
50
50
10
1
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
2
吨融合
率通态电流上升
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
BT1308W_SER_D_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年2月27日
2 13
恩智浦半导体
BT1308W D系列
双向可控硅逻辑电平
1.2
P
合计
(W)
003aac209
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
120°
90°
α
0.8
60°
30°
0.4
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
I
T（ RMS ）
(A)
1
α
=导通角
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aac207
12
I
TSM
(A)
8
4
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BT1308W_SER_D_1
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3 13
恩智浦半导体
BT1308W D系列
双向可控硅逻辑电平
10
3
I
TSM
(A)
I
T
003aac208
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
(1)
(2)
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
（ 2 ） T2- G +象限极限
图3 。
6
I
T（ RMS ）
(A)
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
003aab489
1
I
T（ RMS ）
(A)
0.8
003aab487
4
0.6
0.4
2
0.2
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
T
sp
(
°
C)
150
F = 50赫兹
T
sp
= 107.4
°C
图4 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5 。
RMS通态电流作为焊料的函数
点温度;最大值
BT1308W_SER_D_1
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版本01 - 2008年2月27日
4 13
恩智浦半导体
BT1308W D系列
双向可控硅逻辑电平
5.热特性
表4 。
符号
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结
焊锡点
热阻结
到环境
条件
全周期;看
图6
全周期
最低足迹;看
图13
对于垫区;看
图14
-
-
156
70
-
-
K / W
K / W
民
-
典型值
-
最大
15
单位
K / W
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
003aac210
1
P
10
-1
t
p
t
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结瞬态热阻抗焊接点作为脉冲宽度的函数
BT1308W_SER_D_1
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5 13
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