SOT89 PNP硅平面
高压晶体管
第3期 - 1996年2月
特点
*高V
首席执行官
*低饱和电压
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
BST40
BT1
7
BST15
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-200
-200
-4
-1
-500
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极截止
当前
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
分钟。
-200
-200
-4
-1
-50
-20
- 2.0
-0.5
30
15
15
150
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-1mA
I
E
=-100A
V
CB
=-175V
V
CB
=-150V
V
EB
=-4V
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -30mA ，我
B
=-3mA*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
F = 30MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMTA92数据表。
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