【TYPEBSZ12DN20NS3摹$(*'#$%3电源晶体管特点9 ？ / 2 * * & 】,IC型号BSZ12DN20NS3G,BSZ12DN20NS3G PDF资料,BSZ12DN20NS3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

TYPE

BSZ12DN20NS3摹

$(*'#$%

3电源晶体管

特点

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, 7 .0

1.-

9 ？ $ ） " - - &+ - 0.0 " ++

&4&+

9 ？ 6 & + &- 2 （ " 2& $ ） " 0 6

DS （ ON）

产品（ FOM ）

$ +

（安培;

9 ？ 0.5 .- 0 * 2" - &美元

DS （ ON）

&11

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＆ QUOT ; -

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产品概述

DS （ ON），最大

200

125

11.3

PG-TSDSON-8

9 ？ 3" + ' & ％ " $ 0.0美元* （ 2 ？？？？？

% -

针对目标应用程序

9 ？ " +

（ &- ' && " $ 0.0美元* （ 2 ?? ？？？

% -

TYPE

BSZ12DN20NS3摹

包

PG-TSDSON-8

记号

12DN20N

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

=25 °C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

价值

11.3

8.0

±20

单位

D，脉冲

合计

英镑

=25 °C

=5.7 A,

=25

°C

=25 °C

-55 ... 150

55/150/56

J- STD20和JESD22

见图3

2.1版

第1页

2010-09-01

BSZ12DN20NS3摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

热阻，

结 - 环境

thJC

thJA

6厘米

散热面积

2.5

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

=0 V,

= 1毫安

GS （ TH）

DSS

=25 A

=160 V,

=0 V,

=25 °C

=160 V,

=0 V,

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

栅极电阻

跨

GSS

DS （ ON）

|>2|I

DS （ ON）最大值

=5.7 A

=20 V,

=0 V

=10 V,

=5.7 A

200

0.1

108

1.9

100

125

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

2.1版

第2页

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BSZ12DN20NS3摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

值

典型值。

马克斯。

单位

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=100 V,

=10 V,

=5.7 A,

=1.6

=0 V,

=100 V,

= 1兆赫

510

5.1

680

高原

OSS

=100 V,

=0 V

=100 V,

=5.7 A,

= 0到10伏

2.3

1.1

1.8

6.5

4.5

8.7

S，脉冲

=25 °C

=0 V,

=11.3 A,

=25 °C

=100 V,

/ DT = 100 A / μs的

212

11.3

1.2

参见图16栅极电荷参数定义

2.1版

第3页

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BSZ12DN20NS3摹

1功耗

合计

= F （T

)

2漏极电流

= F （T

);

: !

合计

[W]

[A]

120

160

120

160

[ &C ]

3安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

1 s

4最大。瞬态热阻抗

thJC

= F （T

)

参数：

10 s

100 s

thJC

〔 K / W〕

0.5

[A]

1毫秒

0.2

10毫秒

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

-1

-5

-4

-3

-2

-1

[V]

[s]

2.1版

第4页

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5典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

10 V

5.5 V

6典型。上电阻漏 - 源

DS （ ON）

= F（我

);

=25 °C

参数：

200

160

5.5 V

DS （ ON）

[m ]

120

10 V

[A]

4.5 V

[V]

[A]

7典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

参数：

8典型。正向跨导

= F（我

);

=25 °C

[S]

150 °C

[A]

25 °C

[V]

[A]

2.1版

第5页

2010-09-01

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