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BSZ100N03MS摹
OptiMOS3
M系列功率MOSFET
特点
优化了5V驱动应用（笔记本电脑， VGA ， POL ）
低FOM
SW
高频开关电源
100 ％雪崩测试
N沟道
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
@
V
GS
=4.5 V
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
卓越的热电阻
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
BSZ100N03MS摹
包
PG-TSDSON-8
记号
100N03M
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
V
GS
=10 V
V
GS
=4.5 V
I
D
30
9.1
11.4
40
PG-TSDSON-8
A
V
m
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 60 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩电流，单脉冲
4)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
1)
价值
40
28
39
25
单位
A
10
160
20
15
±20
mJ
V
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=20 A,
R
GS
=25
J- STD20和JESD22
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第1页
2010-03-19
BSZ100N03MS摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
符号条件
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 60 K / W
2)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
价值
30
2.1
-55 ... 150
55/150/56
°C
单位
W
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
器件在PCB上
R
thJC
R
thJA
6厘米
2
散热面积
2)
-
-
-
-
4.1
60
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=20 A
V
GS
=10 V,
I
D
=20 A
栅极电阻
跨
2)
30
1
-
-
-
0.1
-
2
1
V
A
-
-
-
-
0.4
10
10
9.5
7.3
0.9
52
100
100
11.4
9.1
1.6
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
26
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
参见图3详细信息
3)
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BSZ100N03MS摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
-
-
-
4.3
2.1
2.0
4.2
8.3
3.3
17
5.8
2.8
3.3
6.2
11
-
23
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1300
440
27
3.8
2.8
16
2.4
1700
590
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G（同步）
Q
OSS
-
-
7.2
12
9.6
15
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=20 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.88
28
160
1.1
A
V
反向恢复电荷
4)
5)
Q
rr
-
-
10
nC
参见图13更详细的信息
参见图16栅极电荷参数定义
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BSZ100N03MS摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
)
参数：
V
GS
40
45
40
35
30
4.5 V
10 V
30
P
合计
[W]
20
I
D
[A]
25
20
15
10
10
5
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
10
2
0.5
10 s
1
100 s
DC
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
1
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
I
D
[A]
10
0
10毫秒
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
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BSZ100N03MS摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
160
10 V
5V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
20
3V
3.2 V
3.5 V
4.5 V
16
120
80
4V
R
DS （ ON）
[m
]
12
4V
I
D
[A]
4.5 V
5V
8
6V
3.5 V
10 V
40
3.2 V
3V
2.8 V
4
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
160
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
120
140
100
120
80
100
80
g
fs
[S]
150 °C
25 °C
I
D
[A]
60
60
40
40
20
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
40
80
120
160
V
GS
[V]
I
D
[A]
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