【N沟道功率MOSFETOptiMOSBSZ0901NSI数据表2.0, 2011-03-29最终科幻】,IC型号BSZ0901NSI,BSZ0901NSI PDF资料,BSZ0901NSI经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道功率MOSFET

OptiMOS

BSZ0901NSI

数据表

2.0, 2011-03-29

最终科幻

工业&多元化

的OptiMOS 功率MOSFET

BSZ0901NSI

描述

的OptiMOS 30V产品业内领先的功率MOSFET的最大功率

密度和高能效的解决方案。超低栅极电荷输出在一起

用最低的通态电阻小尺寸封装的OptiMOS做出 30V

对于稳压器解决方案的苛刻要求的最佳选择

服务器，数据通信和电信应用。超快速开关控制场效应管

连同低EMI同步的FET提供解决方案，易于设计英寸

的OptiMOS 产品是高性能包处理提供您的

最具挑战性的应用，充分灵活地优化空间效率

和成本。的OptiMOS 产品的设计，以满足和超越的能量

锋利下一代的效率和功率密度的要求

在计算应用中电压调节标准。

特点

优化SyncFET高性能降压转换器

100％的雪崩测试

N沟道

非常低的导通电阻R

DS （ ON）

@ V

=4.5 V

超低门（Q

）和输出电荷（Q

OSS

）对于给定的R

DS （ ON）

根据JEDEC合格

为目标的应用

优越的耐热性

无铅电镀;符合RoHS标准

根据IEC61249-2-21的无卤素

综合monolitic肖特基二极管一样

应用

板载电源服务器

同治功率为高性能计算

同步整流

负载转换器的功率密度高点

表1

参数

主要性能参数

价值

2.1

单位

mΩ

相关链接

IFX的OptiMOS网页

IFX的OptiMOS产品简介

IFX的OptiMOS SPICE模型

IFX设计工具

DS （ ON），最大

OSS

典型值

TYPE

BSZ0901NSI

包

PG - TSDSON - 8 （融合

导致）

记号

0901NSI

1 ） J- STD20和JESD22

最终数据手册

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的OptiMOS 功率MOSFET

BSZ0901NSI

最大额定值

= 25℃，除非另有规定。

表2

参数

连续漏电流

最大额定值

符号

分钟。

漏电流脉冲

雪崩电流，单脉冲

雪崩能量，单脉冲

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

D，脉冲

合计

英镑

-20

-55

值

典型值。

马克斯。

160

2.1

150

°C

=25 °C

=25 °C,

thJA

= 60 K / W

)

= 20 A，R

=25

=10 V,

=25 °C

=10 V,

=100 °C

=4.5 V,

=25 °C

=4.5 V,

=100 °C

=10 V,

=25 °C,

thJA

= 60 K / W

)

=25 °C

单位

注/测试条件

55/150/56

1 ） 40 mm产品×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

（ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接。

PCB是垂直的静止空气中。

2 ）参见图3详细信息

3 ）参见图13更详细的信息

表3

参数

热特性

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

1.8

K / W

6厘米

散热面积

单位

注意： /

测试条件

热阻，结 - 案

thJC

器件在PCB上

thJA

1 ） 40 mm产品×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

（ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接。

PCB是垂直的静止空气中

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的OptiMOS 功率MOSFET

BSZ0901NSI

电气特性

电气特性，在

J = 25 ℃，除非另有规定。

表4

参数

静态特性

符号

分钟。

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度

Coeficient

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

2.2

1.8

0.8

100

值

典型值。

马克斯。

2.2

0.5

100

2.8

2.1

|>2|I

RDS（ON） MAX

=20 A

mΩ

毫伏/ K

单位

注/测试条件

=0 V,

= 10毫安

= 10毫安，参照

25°C

（ BR ） DSS

/ DT

GS （ TH）

DSS

=250 A

=24 V,

=0 V,

=25 °C

=24 V,

=0 V,

=125 °C

=20 V,

=0 V

=4.5 V,

=20 A

=10 V,

=20 A

栅极 - 源极漏电流

GSS

漏源导通电阻

DS （ ON）

栅极电阻

跨

表5

参数

动态特性

符号

分钟。

值

典型值。

2600

1000

140

7.2

4.6

马克斯。

单位

注意： /

测试条件

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

国际空间站

OSS

RSS

=0 V,

=15 V,

= 1兆赫

=15 V,

=10 V,

=30 A,

= 1.6

D（上）

D（关闭）

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的OptiMOS 功率MOSFET

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电气特性

表6

参数

栅极电荷特性

符号

分钟。

值

典型值。

6.3

4.1

6.5

8.8

2.5

马克斯。

8.1

单位

注意： /

测试条件

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量

G（ TH ）

=15 V,

=30 A,

= 0 4.5 V

高原

=15 V,

=30 A,

= 0至10V

=0.1 V,

= 0 4.5 V

=15 V,

=0 V

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

G（同步）

OSS

1 ）参见图16栅极电荷参数定义

表7

参数

反向二极管特性

符号

分钟。

S，脉冲

0.55

值

典型值。

马克斯。

160

0.7

单位

注意： /

测试条件

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复电荷

=25 °C

=0 V,

=7 A,

=25 °C

=15 V,

= 400 A / μs的

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