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BSZ086P03NS3摹
的OptiMOS
TM
P3电源晶体管
特点
单P沟道的S3O8
符合资格按照JEDEC
1)
为目标的应用
150 ° C工作温度
V
GS
= 25 V ，特别适合笔记本电脑应用
无铅;符合RoHS标准
应用：电池管理，负载开关
无卤素根据IEC61249-2-21
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
-30
8.6
-40
PG-TSDSON-8
V
m
A
TYPE
BSZ086P03NS3E摹
包
PG-TSDSON-8
记号
086P3N
无铅
是的
无卤
是的
填料
非干
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=70 °C
T
A
=25 °C
2)
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
A
=25 °C
T
A
=25 °C
2)
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
价值
-40
-40
-13.5
-160
105
±25
69
2.1
-55 … 150
单位
A
T
C
=25 °C
3)
I
D
=-20 A,
R
GS
=25
mJ
V
W
T
j
,
T
英镑
JESD22- A114 HBM
°C
1C （ 1千伏 - 2千伏）
260
55/150/56
°C
J- STD20和JESD22
修订版2.02
第1页
2009-11-16
BSZ086P03NS3摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 壳
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
6厘米
2
散热面积
2)
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
1.8
60
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-105 A
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-25 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-6 V,
I
D
=-20 A
-30
-3.1
-
-2.5
-
-1.9
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-1
A
-
-
-
-
-
8.7
-10
-100
13.4
nA
m
V
GS
=-10 V,
I
D
=-20 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-20 A
-
-
30
6.5
2.2
43
8.6
-
-
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
2)
3)
参见图。 3 ，详细信息
修订版2.02
第2页
2009-11-16
BSZ086P03NS3摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
3)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-40 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=|I
S
|,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
40
160
-1.1
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=-15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=-15 V,
I
D
=20 A,
V
GS
= 0至-10 V
-
-
-
-
-
-
-
16.1
5.0
7.4
18.4
43.2
-4.5
34.9
21.4
6.7
11.1
25.7
57.5
-
46.4
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15 V,
V
GS
=-
10 V,
I
D
=-20 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=-15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3190
1520
110
16
46
35
8
4785
2280
165
24
69
53
12
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
t
rr
-
39
-
ns
反向恢复电荷
Q
rr
-
34
-
nC
修订版2.02
第3页
2009-11-16
BSZ086P03NS3摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
t
p
≤10
s
2漏极电流
I
D
= F （T
C
); |V
GS
|≥10 V;
t
p
≤10
s
80
48
70
44
40
60
36
32
50
P
合计
[W]
40
-I
D
[A]
28
24
20
16
30
20
12
8
4
10
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thjs
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10
10
2
1 s
100
100 s
1毫秒
10毫秒
限于由导通状态
阻力
DC
10
0
1
0.5
Z
thjs
〔 K / W〕
10
-1
0.1
100
10
1
10
-I
D
[A]
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
0
1
10
-1
0.1
10
-2
0.01
0.1
1
10
10
-2
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
10
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
t
p
[s]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
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BSZ086P03NS3摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
-10 V
-5.0 V
-4.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
35
-4.0 V
30
30
R
DS （ ON）
[m
]
25
-4.5 V
-I
D
[A]
20
-4.2V
20
15
-5.0 V
-4.0 V
10
10
-6V
-10 V
-3.7 V
-3.5 V
5
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
40
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
60
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
60
50
40
40
-I
D
[A]
30
20
25 °C
150 °C
g
fs
[S]
20
0
0
1
2
3
4
5
6
0
10
20
30
10
0
-V
GS
[V]
-I
D
[A]
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BSZ086P03NS3E摹
的OptiMOS
TM
P3电源晶体管
特点
单P沟道的S3O8
符合资格按照JEDEC
1)
为目标的应用
150 ° C工作温度
V
GS
= 25 V ，特别适合笔记本电脑应用
无铅;符合RoHS标准
ESD保护
应用：电池管理，负载开关
无卤素根据IEC61249-2-21
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
-30
8.6
-40
PG-TSDSON-8
V
m
A
TYPE
BSZ086P03NS3E摹
包
PG-TSDSON-8
记号
086P3N
无铅
是的
无卤
是的
填料
非干
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=70 °C
T
A
=25 °C
2)
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
A
=25 °C
T
A
=25 °C
2)
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
价值
-40
-40
-13.5
-160
105
±25
69
2.1
-55 … 150
单位
A
T
C
=25 °C
3)
I
D
=-20 A,
R
GS
=25
mJ
V
W
T
j
,
T
英镑
JESD22- A114 HBM
°C
3 （ > = 4千伏）
260
55/150/56
°C
J- STD20和JESD22
修订版2.02
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2009-11-16
BSZ086P03NS3E摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 壳
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
6厘米
2
散热面积
2)
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
1.8
60
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-105 A
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-25 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-6 V,
I
D
=-20 A
-30
-3.1
-
-2.5
-
-1.9
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-1
A
-
-
-
-
-
8.7
-10
-10
13.4
A
m
V
GS
=-10 V,
I
D
=-20 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-20 A
-
-
30
6.5
2.2
43
8.6
-
-
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
2)
3)
参见图。 3 ，详细信息
修订版2.02
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2009-11-16
BSZ086P03NS3E摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
3)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-40 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=|I
S
|,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
40
160
-1.1
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=-15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=-15 V,
I
D
=20 A,
V
GS
= 0至-10 V
-
-
-
-
-
-
-
16.1
5.0
7.4
18.4
43.2
-4.5
34.9
21.4
6.7
11.1
25.7
57.5
-
46.4
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15 V,
V
GS
=-
10 V,
I
D
=-20 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=-15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3190
1520
110
16
46
35
8
4785
2280
165
24
69
53
12
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
t
rr
-
39
-
ns
反向恢复电荷
Q
rr
-
34
-
nC
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2009-11-16
BSZ086P03NS3E摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
t
p
≤10
s
2漏极电流
I
D
= F （T
C
); |V
GS
|≥10 V;
t
p
≤10
s
80
48
70
44
40
60
36
32
50
P
合计
[W]
40
-I
D
[A]
28
24
20
16
30
20
12
8
4
10
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thjs
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10
10
2
1 s
100
100 s
1毫秒
10毫秒
限于由导通状态
阻力
DC
10
0
1
0.5
Z
thjs
〔 K / W〕
10
-1
0.1
100
10
1
10
-I
D
[A]
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
0
1
10
-1
0.1
10
-2
0.01
0.1
1
10
10
-2
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
10
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
t
p
[s]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
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第4页
2009-11-16
BSZ086P03NS3E摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
-10 V
-5.0 V
-4.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
35
-4.0 V
30
30
R
DS （ ON）
[m
]
25
-4.5 V
-I
D
[A]
20
-4.2V
20
15
-5.0 V
-4.0 V
10
10
-6V
-10 V
-3.7 V
-3.5 V
5
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
40
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
60
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
60
50
40
40
-I
D
[A]
30
20
25 °C
150 °C
g
fs
[S]
20
0
0
1
2
3
4
5
6
0
10
20
30
10
0
-V
GS
[V]
-I
D
[A]
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2009-11-16
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