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分立半导体
数据表
M3D111
BSX45 ; BSX46 ; BSX47
NPN型中功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年04月23
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
一般工业应用。
描述
在TO- 39金属封装的NPN中功率晶体管。
1
手册， halfpage
2
BSX45 ; BSX46 ; BSX47
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器，连接到案件
描述
3
2
3
MAM317
1
Fig.1简化外形（ TO- 39）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
BSX45
BSX46
BSX47
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSX45
BSX46
BSX47
I
CM
P
合计
h
FE
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
BSX45-10 ; BSX46-10 ; BSX47-10
BSX45-16 ; BSX46-16 ; BSX47-16
f
T
跃迁频率
T
例
≤
25
°C
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V
63
100
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的50
100
160
160
250
兆赫
开基
40
60
80
1.5
6.25
V
V
V
A
W
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
80
100
120
V
V
V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1997年04月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BSX45
BSX46
BSX47
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSX45
BSX46
BSX47
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
例
≤
25
°C
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BSX45 ; BSX46 ; BSX47
分钟。
65
65
马克斯。
80
100
120
40
60
80
7
1
1.5
200
6.25
+150
200
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
条件
价值
200
28
单位
K / W
K / W
从结点到环境的热阻在自由空气
1997年04月23
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
BSX45 ; BSX46
I
CBO
集电极截止电流
BSX47
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
BSX45-10 ; BSX46-10 ; BSX47-10
BSX45-16 ; BSX46-16
h
FE
直流电流增益
BSX45-10 ; BSX46-10 ; BSX47-10
BSX45-16 ; BSX46-16 ; BSX47-16
h
FE
直流电流增益
BSX45-10 ; BSX46-10 ; BSX47-10
BSX45-16 ; BSX46-16
h
FE
直流电流增益
BSX45-10 ; BSX46-10 ; BSX47-10
BSX45-16 ; BSX46-16
V
CESAT
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
BSX45 ; BSX46
集电极 - 发射极饱和电压
BSX47
基射极电压
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 1 ; V
CE
= 1 V
C
c
集电极电容
BSX45
BSX46
BSX47
C
e
f
T
F
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 500毫安;我
B
= 25毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
I
C
= 1 ; V
CE
= 1 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V
I
E
= 0; V
CB
= 80 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
条件
BSX45 ; BSX46 ; BSX47
分钟。
15
25
63
100
25
35
0.75
典型值。马克斯。单位
40
90
100
160
40
60
20
30
3.5
30
10
30
10
10
160
250
1
900
1
1.5
2
25
20
15
80
V
mV
V
V
V
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
nA
A
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
E
= 0; V
CB
= 80 V ;牛逼
AMB
= 150
°
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 100
A;
V
CE
= 1 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 1 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
50
开关时间（10％和90％之间）
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
I
CON
= 100毫安;我
BON
= 5毫安;
I
B关
=
5
mA
200
850
ns
ns
1997年04月23
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
包装外形
金属圆柱可以单端封装; 3引线
BSX45 ; BSX46 ; BSX47
SOT5/11
j
B
α
飞机座位
w
M
A
M
B
M
1
b
k
2
3
D
1
a
A
D
A
L
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
6.60
6.35
a
5.08
b
D
D
1
j
k
L
14.2
12.7
w
0.2
α
45
°
0.48 9.39 8.33 0.85 0.95
0.41 9.08 8.18 0.75 0.75
概要
VERSION
SOT5/11
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-39
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-04-11
1997年04月23
5
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