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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第248页 > BSW68A
BSW68A
尺寸以毫米（英寸） 。
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
在一个双极NPN器件
密封TO39
金属包装。
双极NPN装置。
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
V
首席执行官
= 150V
5.08 (0.200)
典型值。
I
C
= 2A
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规格
45°
TO39 （ TO205AD ）
引脚配置
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
150
2
单位
V
A
-
@ 5/0.5 (V
CE
/ I
C
)
30
130M
5
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
小信号晶体管
TO- 39案例（续）
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @
(A)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
0.50
0.50
0.50
0.10
0.05
0.05
0.05
0.01
0.02**
0.10
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0.075
500**
500**
0.01
0.10**
0.10**
0.10**
10
100
100
100
100
100
0.03**
0.03**
0.03**
0.50
0.50
0.50
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0.10**
0.10**
0.01
0.01
0.07
0.10
30
50
40
100
60
40
30
60
50
100
20
25
30
60
60
80
40
60
80
60
40
50
60
75
75
60
60
80
40
40
40
40
60
80
60
60
50
30
VCB
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT
（毫安） （V ）
(V)
（毫安） （兆赫）
* TYP
COB
（PF ）
* TYP
吨
（纳秒）
* TYP
花花公子
（纳秒）
* TYP
NF
（ dB）的
* TYP
民
BFX86
BFX87
BFX88
BFX98
BFY50
BFY51
BFY52
BFY55
BFY56A
BFY57
BFY63
BFY64
BFY68A
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BSS46
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BSV15
BSV16
BSV17
BSV64
BSW65
BSW66
BSW67
BSW68
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN HIGH CURRENT
NPN高压
NPN高压
NPN高压
NPN高压
45
50
40
150
80
60
40
80
85
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40
60
65
85
80
40
60
90
100
80
100
120
150
150
80
100
120
70
70
70
60
80
100
75
75
60
60
民
35
50
40
150
35
30
20
35
55
125
15
40
25
60
80
80
40
60
80
80
80
100
120
150
150
40
60
80
45
30
45
40
60
80
30
30
40
25
民
6.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
5.0
4.0
5.0
5.0
6.0
6.0
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5.0
5.0
5.0
5.0
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6.0
6.0
6.0
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7.0
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5.0
5.0
5.0
5.0
7.0
7.0
5.0
5.0
民
70
40
40
15
30
40
60
40
40
30
20
80
75
40
25
63
40
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40
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40
40
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40
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40
40
40
30
30
30
63
63
63
40
100
25
40
最大
300
--
--
--
--
--
--
120
120
150
120
--
--
--
--
250
250
250
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--
--
--
--
--
--
250
250
160
90
90
90
250
250
160
120
300
--
120
150
150
150
100
150
150
150
150
150
30
50
10
10
2,000
500
100
100
100
100
2,000
100
100
100
100
500
100
100
100
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500
500
1,000
1,000
1,000
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2.0
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5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
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最大
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0.40
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150
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1,000
1,000
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500
500
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1,000
1,000
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1,000
1,000
1,000
1,000
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1,000
1,000
1,000
2,000
2,000
2,000
150
150
500
150
民
--
100
12
--
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50
50
60
60
--
--
200
--
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80*
--
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50
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80*
80*
80*
80*
80*
50
50
50
250
250
250
30
30
30
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100
--
100*
最大
--
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--
12
12
12
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--
--
10
--
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100
--
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30
30
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35
35
35
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--
最大
--
60
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--
--
--
--
--
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--
--
50
--
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65*
--
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500
500
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最大
--
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--
--
--
--
--
--
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--
--
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450*
--
--
--
--
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最大
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
3.5*
3.5*
3.5*
--
--
--
--
--
--
--
--
--
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500* 1,000*
500* 1,000*
500* 1,000*
500* 1,000*
--
--
--
35
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300
300
--
--
--
--
--
--
60
70
100
1,500
1,500
1,500
--
--
--
BSW68A NPN幅度/ SWITCH
BSX45
BSX46
BSX47
BSX59
BSX60
BSX61
BSX62
BSX63
BSX64
BSX95
BSX96
BSY34
BSY51
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
66
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
小信号晶体管
TO- 39案例（续）
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @
(A)
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**** ICER
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0.50
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0.05
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500**
500**
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0.10**
0.10**
0.10**
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100
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0.03**
0.03**
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0.10**
0.10**
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0.01
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（毫安） （V ）
(V)
（毫安） （兆赫）
* TYP
COB
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* TYP
吨
（纳秒）
* TYP
花花公子
（纳秒）
* TYP
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（ dB）的
* TYP
民
BFX86
BFX87
BFX88
BFX98
BFY50
BFY51
BFY52
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BSW66
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NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN HIGH CURRENT
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NPN高压
NPN高压
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75
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民
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最大
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--
--
--
--
--
--
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120
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120
--
--
--
--
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250
250
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--
--
--
--
--
--
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90
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--
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150
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150
150
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100
100
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100
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100
100
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500
500
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1,000
1,000
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10
10
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2.0
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1.0
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150
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1,000
1,000
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1,000
1,000
1,000
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1,000
1,000
1,000
500
1,000
1,000
1,000
2,000
2,000
2,000
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30
30
30
80
35
35
35
35
35
25
20
15
10
10
10
70
70
70
25
25
--
最大
--
60
150
--
--
--
--
--
225
--
--
50
--
65*
65*
--
500
500
500
600
最大
--
150
--
--
--
--
--
--
800
--
--
120
--
450*
450*
--
--
--
--
1,200
最大
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
3.5*
3.5*
3.5*
--
--
--
--
--
--
--
--
--
300* 1,000*
500* 1,000*
500* 1,000*
500* 1,000*
500* 1,000*
--
--
--
35
40
50
300
300
300
--
--
--
--
--
--
60
70
100
1,500
1,500
1,500
--
--
--
BSW68A NPN幅度/ SWITCH
BSX45
BSX46
BSX47
BSX59
BSX60
BSX61
BSX62
BSX63
BSX64
BSX95
BSX96
BSY34
BSY51
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
66
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
分立半导体
数据表
M3D111
BSW66A ; BSW67A ; BSW68A
NPN开关晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年05月05
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
特点
大电流（最大1 A）
高电压（最大150V） 。
应用
通用开关和放大
工业应用。
BSW66A ; BSW67A ; BSW68A
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器，连接到案件
描述
1
手册， halfpage
2
3
2
描述
NPN晶体管采用TO -39金属封装。
3
MAM317
1
Fig.1简化外形（ TO- 39）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSW66A
BSW67A
BSW68A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSW66A
BSW67A
BSW68A
I
C
P
合计
h
FE
f
T
t
关闭
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
打开-O FF时间
T
例
≤
25
°C
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 20V; F = 100 MHz的
I
CON
= 500毫安;我
BON
= 50毫安;我
B关
=
50
mA
开基
30
30
130
900
100
120
150
1
5
兆赫
ns
V
V
V
A
W
发射极开路
100
120
150
V
V
V
条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
1997年05月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BSW66A
BSW67A
BSW68A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSW66A
BSW67A
BSW68A
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
T
例
≤
25
°C
t
p
≤
20毫秒
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
BSW66A ; BSW67A ; BSW68A
条件
发射极开路
分钟。
马克斯。
100
120
150
100
120
150
6
1
2
200
800
5
+150
200
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
mW
W
°C
°C
°C
65
65
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-C
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
条件
自由的空气
价值
220
35
单位
K / W
K / W
1997年05月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
BSW66A
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
BSW66A ; BSW67A ; BSW68A
条件
分钟。
30
40
30
10
典型值。
130
MAX 。 UNIT
100
50
100
100
50
100
100
50
100
100
100
150
400
1
900
1.1
1.4
20
300
mV
mV
V
mV
V
V
pF
pF
兆赫
nA
A
A
nA
A
A
nA
A
A
nA
A
I
E
= 0; V
CB
= 50 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
CBO
集电极截止电流
BSW67A
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
CBO
集电极截止电流
BSW68A
I
E
= 0; V
CB
= 75 V
I
E
= 0; V
CB
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
E
= 0; V
CB
= 150 V
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
I
C
= 0; V
EB
= 3 V
I
C
= 0; V
EB
= 6 V
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 1 A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 100毫安;我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 150毫安
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 100毫安;我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 150毫安
C
c
C
e
f
T
t
on
t
关闭
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0; F = 1 MHz的
I
C
= 100毫安; V
CE
= 20V; F = 100 MHz的
I
CON
= 500毫安;我
BON
= 50毫安;
I
B关
=
50
mA
开关时间（10％和90％之间）
开启时间
打开-O FF时间
500
900
ns
ns
1997年05月05
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
包装外形
金属圆柱可以单端封装; 3引线
BSW66A ; BSW67A ; BSW68A
SOT5/11
j
B
α
飞机座位
w
M
A
M
B
M
1
b
k
2
3
D
1
a
A
D
A
L
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
6.60
6.35
a
5.08
b
D
D
1
j
k
L
14.2
12.7
w
0.2
α
45
°
0.48 9.39 8.33 0.85 0.95
0.41 9.08 8.18 0.75 0.75
概要
VERSION
SOT5/11
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-39
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-04-11
1997年05月05
5
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B82442A1102K
BZV55-BC10
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