【BSV 52NPN开关晶体管表面贴装硅外延PlanarTransistors硅外延PlanarTra】,IC型号BSV52,BSV52 PDF资料,BSV52经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSV 52

NPN

开关晶体管

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

1.1

NPN

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

0.4

3

塑料外壳

Kunststoffgehuse

1.3

±0.1

TYPE

CODE

1

2

2.5

最大

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

1.9

尺寸/集体单位为毫米

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25

/

C)

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

结温。 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

V

CE0

V

CB0

V

EB0

P

合计

I

C

I

CM

I

BM

T

j

T

S

Grenzwerte （T

A

= 25

/

C)

BSV 52

12 V

20 V

5V

250毫瓦

1

)

百毫安

200毫安

百毫安

150

/

C

- 65…+ 150

/

C

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

分钟。

典型值。

–

马克斯。

400 nA的

30

:

A

100 nA的

300毫伏

250毫伏

400毫伏

特性（T

j

= 25

/

C)

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

I

E

= 0, V

CB

= 20 V

I

E

= 0, V

CB

= 20 V ，T

j

= 125

/

C

发射基截止电流 - Emitterreststrom

I

C

= 0, V

EB

= 4 V

I

C

= 10 mA时，我

B

- 0.3毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5毫安

I

EB0

V

CESAT

V

CESAT

V

CESAT

–

集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。

1

)

I

CB0

I

CB0

–

1

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

18

开关晶体管

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

1

)

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 1毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 50毫安

增益带宽积 - Transitfrequenz

V

CE

= 10 V，I

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

V

CB

= 5 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

V

EB

= 1 V，I

C

= i

c

= 0中，f = 1 MHz的

切换时间 - Schaltzeiten

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

标记 - Stempelung

I

CON

= 10毫安

I

BON

= 3毫安

- I

B关

= 1.5毫安

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

–

R

THA

BSV 52 = B2

–

f

T

C

CB0

C

EB0

400兆赫

–

500兆赫

–

V

BESAT

V

BESAT

h

FE

h

FE

h

FE

700毫伏

–

25

40

25

–

BSV 52

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

马克斯。

850毫伏

1.2 V

–

120

–

4 pF的

4.5 pF的

10纳秒

4纳秒

6纳秒

20纳秒

10纳秒

420 K / W

2

)

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

1

)

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

1

2

19

BSV52

C

E

SOT-23

马克： B2

B

NPN开关晶体管

该器件是专为高速的饱和开关

集电极电流为10mA 100 mA的电流。从工艺21采购。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CES

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

12

20

5.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境

最大

*BSV52

225

1.8

556

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

*

设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。

1997

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

BSV52

NPN开关晶体管

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CES

V

（ BR ） EBO

I

CBO

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 100

A,

I

C

= 0

V

CB

= 10 V，I

E

= 0

V

CB

= 10 V，I

E

= 0, T

A

= 125°C

12

20

5.0

100

5.0

V

nA

A

基本特征

h

FE

直流电流增益

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时，我

B

- 0.3毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

25

40

25

120

0.3

0.25

0.4

0.85

1.2

V

CE（

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

V

BE （

SAT

)

基射极饱和电压

0.7

小信号特性

f

T

C

cb

C

eb

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 10 V,

F = 100 MHz的

I

E

= 0, V

CB

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

I

C

= 0, V

EB

= 1.0 V，F = 1.0 MHz的

400

4.0

4.5

兆赫

pF

3

开关特性

t

s

t

on

t

关闭

贮存时间

开启时间

打开-O FF时间

I

B1

= I

B2

= I

C

= 10毫安

V

CC

= 3.0 V，I

C

= 10毫安，

I

B1

= 3.0毫安

V

CC

= 3.0 V，I

C

= 10毫安，

I

B1

= 3.0毫安，我

B2

= 1.5毫安

13

12

18

ns

SPICE模型

NPN （ IS = 44.14f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 78.32 NE = 1.389伊势= 91.95f IKF = 0.3498 XTB = 1.5 BR = 12.69米NC = 2

ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 0.6 CJC = 2.83p建超= 86.19米VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 4.5p MJE = 0.2418 VJE = 0.75 Tr的= 1.073u铁蛋白= 227.6p

ITF = 0.3 VTF = 4 XTF = 4的Rb = 10 ）

BSV52

NPN开关晶体管

（续）

典型特征

200

- 直流电流增益

V

CESAT

- COLLE CTOR - 发射极电压（V ）

直流电流增益

VS集电极电流

V

权证

= 1.0V

150

125 ° C

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.5

0.4

0.3

25 °C

β

= 10

100

25 ° C

0.2

0.1

0

0.1

- 40 °C

125 °C

FE

50

- 40 °C

h

0.01

I

C

0.1

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

1

10

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

500

V

BE （O N）

- BASE -E米特电压（ V）

V

BESAT

- 基地发射极VOLTAG E（ V）

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.1

I

C

- 40 °C

基射极电压ON VS

集电极电流

1

- 40°C

β

= 10

0.8

25 °C

125 °C

0.6

25 °C

125 °C

0.4

V

CE

= 1.0V

1

10

100

- COLLE CTOR电流（mA）

300

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

600

V

CB

= 20V

100

10

1

25

50

75

100

125

T

A

- 环境TE MPERATURE （

°

C)

150

BSV52

NPN开关晶体管

（续）

典型特征

（续）

输出电容VS

反向偏置电压

5

100

开关时间VS

集电极电流

开关时间（纳秒）

50

20

t

s

r

10

5

2

1

2

t

s

f

t

s

V

CC

= 3.0 V

I

C

= 10 I

B1

= I

B2

= 10

F = 1.0MHz的

电容（pF）

4

3

C

敖包

C

IBO

2

1

0

0.1

t

d

s

5

10

20

50

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

0.5

1

5

10

反向偏置电压（V）的

50

300

I

B2

- 关闭的基极电流（毫安）

开关时间VS

环境温度

12

t

s

f

S魔力时间（纳秒）

10

8

6

t

sd

4

2

0

25

T

A

贮藏时间与开启

并关闭基极电流

-12

-10

-8

t

s

= 3.0纳秒

-6

-4

-2

0

4.0纳秒

I

C

= 10毫安

V

CC

= 3.0 V

t

s

3

6.0纳秒

t

sr

I

C

= 10 mA时，我

B1

= 3.0毫安，我

B2

= 1.5毫安， V

CC

= 3.0 V

50

75

- 环境TE MPERATURE （

°

C)

100

0

2

4

6

8

I

B1

- 打开基极电流（毫安）

10

I

B2

- 关闭的基极电流（毫安）

-12

-10

-8

I

B2

- 关闭的基极电流（毫安）

贮藏时间与开启

并关闭基极电流

I

C

= 10毫安

V

CC

= 3.0 V

贮藏时间与开启

并关闭基极电流

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

16.0纳秒

I =百毫安

C

V

CC

= 3.0 V

t

S

= 3.0纳秒

4.0纳秒

8.0纳秒

6.0纳秒

t

s

= 3.0纳秒

-6

-4

-2

0

4.0纳秒

6.0纳秒

0

2

4

6

8

I

B1

- 打开基极电流（毫安）

10

0

5

10

15

20

25

I

B1

- 打开基极电流（毫安）

30

BSV52

NPN开关晶体管

（续）

典型特征

（续）

I

B2

- 关闭的基极电流（毫安）

-6

-5

-4

I

B2

- 关闭的基极电流（毫安）

下降时间VS打开

并关闭基极电流

I

C

= 10毫安

V

CC

= 3.0 V

8.0纳秒

下降时间VS打开

并关闭基极电流

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

I

C

= 30毫安

V

CC

= 3.0 V

f

t

3.0纳秒

4.0纳秒

t

f

= 7.0纳秒

-3

-2

-1

0

10纳秒

= 2.0纳秒

5.0纳秒

0

2

I

B1

4

6

8

- 打开基极电流（毫安）

10

0

2

4

6

8

10

I

B1

- 打开基极电流（毫安）

12

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

V

BE （ O）

- 基极发射极关断电压（ V）

I

B2

- 关闭的基极电流（毫安）

下降时间VS打开

并关闭基极电流

I

C

= 100毫安

V

CC

= 3.0 V

t

f

= 2.0纳秒

3.0纳秒

4.0纳秒

延迟时间与基射极关

电压和导通电流基地

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

3.0纳秒

5.0纳秒

4.0纳秒

I

C

= 10毫安

V

CC

= 3.0 V

t

d

= 8.0纳秒

8.0纳秒

12.0纳秒

0

5

I

B1

10

15

20

25

- 打开基极电流（毫安）

30

1

2

5

10

20

I

B1

- 打开基极电流（毫安）

50

- 打开基极电流（毫安）

上升时间 - 开启基地

电流和集电极电流

50

P

D

- 功耗（MW ）

功耗与

环境温度

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

SOT-23

V

CC

= 3.0 V

t

r

= 2.0纳秒

5.0纳秒

10

1

10纳秒

20纳秒

B1

0

1

10

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

500

I

BSV52

SO2369/SO2369A

小信号NPN晶体管

TYPE

BSV52

SO2369

SO 2369A

s

记号

B2

N11

N81

s

硅外延平面NPN

晶体管

微型塑料包装

应用表面贴装

电路

低电流，快速开关

应用程序。

2

3

1

SOT-23

内部原理图

绝对最大额定值

符号

V

CES

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

P

吨OT

T

英镑

T

j

参数

SO2369/A

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流峰值

总功耗在T

c

= 25 C

储存温度

马克斯。操作摄像结温

o

价值

BSV52

20

12

5

0.2

200

-65到150

150

40

15

4.5

UNI吨

V

A

mW

o

C

1996年3月

1/5

BSV52/SO2369/SO2369A

热数据

R

吨HJ- AMB

R

日J- SR

热阻结到环境

热阻结底

最大

620

400

o

C / W

安装在陶瓷基板面积= 7 ×5× 0.5毫米

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

SYMB OL

I

CBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

测试电导率银行足球比赛s

V

CB

= 20 V

为

SO2369 / SO 2369A

V

CB

= 10 V

为

BSV52

o

T

j

= 150 C

V

CB

= 10 V

为

BSV52

V

CB

= 20 V

为

SO2369A

I

C

= 10

A

为

SO2369 / SO 2369A

为

BSV52

I

C

= 10毫安

为

SO2369 / SO 2369A

为

BSV52

I

C

= 10

A

为

SO2369 / SO 2369A

为

BSV52

I

E

= 10

A

为

SO2369 / SO 2369A

为

BSV52

I

C

= 10毫安

I

B

- 0.3毫安

为

BSV52

I

B

= 1毫安

I

C

= 10毫安

为

SO2369A

为

BSV52

I

B

= 3毫安

I

C

= 30毫安

为

SO2369 BSV52

I

B

= 5毫安

I

C

= 50毫安

为

BSV52

I

C

= 100毫安我

B

= 10毫安

为

SO2369A

I

C

= 10毫安

I

B

I

B

I

C

= 30毫安

为

SO2369A

I

B

I

C

= 50毫安

为

BSV52

I

C

= 100毫安我

B

为

SO2369A

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

= 1毫安

= 3毫安

= 5毫安

1.2

= 10毫安

1.6

为

BSV52

为

SO2369A

为

所有典型值ES

为

SO2369A

为

BSV52

为

SO2369A

为

SO2369

25

40

30

25

20

120

V

0.7

40

20

15

12

40

20

4.5

5

0.3

0.2

0.25

0.4

0.5

0.85

1.15

分钟。

典型值。

马克斯。

400

100

5

400

取消它

nA

A

nA

V

I

CES

集电极截止

电流（V

BE

= 0)

V

（ BR ） CES

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基

击穿电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

V

CE （SAT）

V

BE （S AT）

集电极 - 基

饱和电压

h

FE

直流电流摹泉

= 1毫安V

CE

=1V

= 10毫安V

CE

=0.35V

= 10毫安V

CE

=1V

= 30毫安V

CE

=0.4V

= 50毫安V

CE

=1V

= 100毫安V

CE

=1V

= 100毫安V

CE

=2V

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2 %

2/5

BSV52/SO2369/SO2369A

电气特性

（续）

SYMB OL

f

T

参数

过渡F Characteristic低频

测试电导率银行足球比赛s

I

C

= 10毫安V

CE

= 10V F = 100MHz的

为

SO2369A

为

BSV52 / SO 2369

I

E

= 0

V

CE

= 5 V

F = 1 MHz的

分钟。

500

400

4

4.5

12

13

18

典型值。

马克斯。

取消它

兆赫

pF

ns

C

CB

C

EB

t

on

t

s

t

的F

集电极和基

电容

发射基地

电容

打开在T IME

贮存时间

转关T IME

I

C

= 0

V

EB

= 1 V

为

BSV52

I

C

= 10毫安

I

B

= 3毫安

I

C

= 10毫安

V

BE

= -0.5 V

I

B1

= -I

B2

= 10毫安

I

C

= 10毫安

I

B1

= 3毫安

I

B2

= -1.5毫安

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2 %

3/5

BSV52/SO2369/SO2369A

SOT- 23机械数据

mm

分钟。

A

B

C

D

E

F

G

H

L

M

N

O

0.85

0.65

1.20

2.80

0.95

1.9

2.1

0.38

0.3

0

0.3

0.09

典型值。

马克斯。

1.1

0.95

1.4

3

1.05

2.05

2.5

0.48

0.6

0.1

0.65

0.17

分钟。

33.4

25.6

47.2

110.2

37.4

74.8

82.6

14.9

11.8

0

11.8

3.5

密尔

典型值。

马克斯。

43.3

37.4

55.1

118

41.3

80.7

98.4

18.8

23.6

3.9

25.6

6.7

DIM 。

0044616/B

4/5

BSV52/SO2369/SO2369A

提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任

对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有

获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到

本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。

s

SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件

SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。

公司SGS - THOMSON微电子集团

澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -

新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国

.

5/5

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BSV52

NPN开关晶体管

产品speci fi cation

取代1997年5月7日的数据

1999年04月15日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大12V）。

应用

高速饱和开关应用，尤其是

在便携式设备。

描述

NPN开关晶体管在SOT23塑料包装。

1

手册， halfpage

BSV52

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

记号

类型编号

BSV52

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

标识代码

(1)

B2

顶视图

1

2

MAM255

2

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

分钟。

马克斯。

20

12

5

100

200

100

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

单位

1999年04月15日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

E

= 0; V

CB

= 20 V

I

E

= 0; V

CB

= 20V;牛逼

j

= 125

°C

I

C

= 0; V

EB

= 4 V

V

CE

= 1 V

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 50毫安

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和

电压

I

C

= 10毫安;我

B

= 300

A

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 1V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V ; F = 100 MHz的

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 3毫安;

I

B关

=

1.5

mA

25

40

25

700

400

500

分钟。

典型值。

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

价值

500

BSV52

单位

K / W

MAX 。 UNIT

400

30

100

nA

A

nA

120

300

250

400

850

1.2

4

4.5

mV

V

pF

兆赫

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

（见图2）

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

10

4

6

20

10

ns

1999年04月15日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

BSV52

手册，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MLB826

V

i

= 0.5 V至4.2 V ; T = 500

s;

t

p

=

10

s;

t

r

= t

s

≤

3纳秒。

R1 = 56

;

R2 = 1 kΩ的;

B

= 1 kΩ的;

C

= 270

.

V

BB

= 0.2 V; V

CC

= 2.7 V.

示波器：输入阻抗Z

i

= 50

.

图2测试电路的开关时间。

1999年04月15日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BSV52

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月15日

5

分立半导体

数据表

dbook ， halfpage

M3D088

BSV52

NPN开关晶体管

产品数据表

取代1999年的数据4月15日

2004年1月14日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN开关晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大12V）。

应用

高速饱和开关应用，尤其是

在便携式设备。

描述

NPN开关晶体管在SOT23塑料包装。

1

手册， halfpage

BSV52

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

记号

类型编号

BSV52

记

1. * = P ：香港制造。

* = T：在马来西亚。

* = W ：中国制造。

订购信息

类型编号

BSV52

包

名字

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

VERSION

SOT23

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

标识代码

(1)

B2*

顶视图

1

2

MAM255

2

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

分钟。

马克斯。

20

12

5

100

200

100

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

单位

2004年1月14日

2

恩智浦半导体

产品数据表

NPN开关晶体管

热特性

符号

R

号（j -a）的

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

E

= 0; V

CB

= 20 V

I

E

= 0; V

CB

= 20V;牛逼

j

= 125

°C

I

C

= 0; V

EB

= 4 V

V

CE

= 1 V

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 50毫安

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和

电压

I

C

= 10毫安;我

B

= 300

A

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 1V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V ; F = 100 MHz的

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 3毫安;

I

B关

=

1.5

mA

25

40

25

700

400

500

分钟。

典型值。

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

价值

500

BSV52

单位

K / W

MAX 。 UNIT

400

30

100

nA

A

nA

120

300

250

400

850

1. 2

4

4.5

mV

V

pF

兆赫

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

（见图2）

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

10

4

6

20

10

ns

2004年1月14日

3

恩智浦半导体

产品数据表

NPN开关晶体管

BSV52

手册，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MLB826

V

i

= 0.5 V至4.2 V ; T = 500

s;

t

p

=

10

s;

t

r

= t

s

≤

3纳秒。

R1 = 56

;

R2 = 1 kΩ的;

B

= 1 kΩ的;

C

= 270

.

V

BB

= 0.2 V; V

CC

= 2.7 V.

示波器：输入阻抗Z

i

= 50

.

图2测试电路的开关时间。

2004年1月14日

4

恩智浦半导体

产品数据表

NPN开关晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BSV52

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-236AB

JEITA

欧洲

投影

发行日期

04-11-04

06-03-16

2004年1月14日

5

SMD型

NPN开关晶体管

BSV52

SOT-23

晶体管

IC

单位：mm

大电流（最大100 mA时）。

+0.1

2.4

-0.1

低电压（最大12V）。

+0.1

1.3

-0.1

1

2

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

特点

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻*

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

R

AMB

R

日J-一

等级

20

12

5

100

200

100

250

-65到+150

150

-65到+150

500

K / W

单位

V

mA

mW

*晶体管安装在一FR4印刷电路板。

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SMD型

BSV52

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= 20 V

I

E

= 0; V

CB

= 20V;牛逼

j

= 125

I

C

= 0; V

EB

= 4 V

V

CE

= 1 V，I

C

= 10毫安

I

C

= 10毫安;我

B

= 300 ìA

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

I

E

= i

E

= 0; V

CB

= 5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

C

= 0; V

EB

= 1V ; F = 1 MHz的

40

晶体管

IC

民

典型值

最大

400

30

100

120

300

250

400

单位

nA

ìA

nA

mV

V

pF

兆赫

700

850

1.4

4

4.5

500

10

4

6

20

10

400

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V ; F = 100 MHz的

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 3毫安，我

B关

= -1.5毫安

ns

记号

B2

2

www.kexin.com.cn

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BSV52

SOT-23

单位：mm

大电流（最大100 mA时）。

+0.1

2.4

-0.1

低电压（最大12V）。

+0.1

1.3

-0.1

1

2

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

特点

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻*

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

R

AMB

R

日J-一

等级

20

12

5

100

200

100

250

-65到+150

150

-65到+150

500

K / W

单位

V

mA

mW

*晶体管安装在一FR4印刷电路板。

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BSV52

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= 20 V

I

E

= 0; V

CB

= 20V;牛逼

j

= 125

I

C

= 0; V

EB

= 4 V

V

CE

= 1 V，I

C

= 10毫安

I

C

= 10毫安;我

B

= 300 ìA

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

I

E

= i

E

= 0; V

CB

= 5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

C

= 0; V

EB

= 1V ; F = 1 MHz的

400

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V ; F = 100 MHz的

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 3毫安，我

B关

= -1.5毫安

500

10

4

6

20

10

700

40

民

典型值

最大

400

30

100

120

300

250

400

850

1.4

4

4.5

mV

V

pF

兆赫

ns

单位

nA

ìA

nA

记号

B2

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4008-318-123

2 2