小信号晶体管
TO- 39案例（续）
型号
描述
VCBO
(V)
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(V)
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VEBO
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500**
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0.10**
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0.03**
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0.10**
0.10**
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0.07
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30
50
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75
75
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60
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40
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60
60
50
30
VCB
(V)
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(V)
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COB
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* TYP
吨
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* TYP
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* TYP
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* TYP
民
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BFX87
BFX88
BFX98
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PNP幅度/ SWITCH
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NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
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NPN幅度/ SWITCH
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PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
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NPN高压
NPN高压
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75
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--
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--
--
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--
--
--
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--
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--
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80*
80*
80*
80*
80*
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250
250
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--
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--
--
--
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--
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--
--
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--
--
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NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
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NPN幅度/ SWITCH
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NPN幅度/ SWITCH
66
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
小信号晶体管
TO- 39案例（续）
型号
描述
VCBO
(V)
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(V)
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(A)
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500**
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(V)
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COB
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PNP幅度/ SWITCH
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NPN幅度/ SWITCH
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PNP幅度/ SWITCH
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PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
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--
3.5*
3.5*
3.5*
--
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35
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300
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--
--
--
--
60
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--
--
--
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BSX45
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BSY51
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
66
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
PNP BSV15 - BSV16 - BSV17
中功率晶体管
它们被安装在TO- 39金属封装的硅晶体管。
它们适用于一般工业应用。
高电流和低电压。
符合RoHS指令
.
绝对最大额定值
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
I
E
= 0
集电极 - 发射极电压
I
B
= 0
发射极 - 基极电压
I
C
= 0
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功率
耗散
@ T
例
= < 25 °
@ T
AMB
=
< 25 °
@ T
mb
=
＆ LT ;
50°
评级
BSV15
BSV16
BSV17
BSV15
BSV16
BSV17
价值
-40
-60
-90
-40
-60
-90
-5
-1
-2
-0.2
0.8
5
5
200
-65到+150
-65到+150
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
J
T
英镑
T
AMB
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
结温
存储温度范围
工作环境温度
热特性
符号
R
THJ -C
R
THJ - AMB
R
THJ - MB
评级
热阻，结案件
热阻，结到环境中的自由空气
热阻，结到安装底座
半导体COMSET
价值
35
220
30
单位
K / W
K / W
K / W
1|4
09/11/2012
PNP BSV15 - BSV16 - BSV17
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
民
-
典型值
-
最大
-100
单位
nA
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
FE
I
E
= 0, V
CB
= -40 V
BSV15
I
E
= 0, V
CB
= -60 V
BSV16
I
E
= 0, V
CB
= -80 V
BSV17
集电极 - 截止
当前
V
CB
= -40 V BSV15
I
E
= 0, V
V
CB
= -60 V BSV16
T
AMB
= 150°c
V
CB
= -80 V BSV17
BSV15
发射器 - 截止
I
C
= 0, V
CE
= -4V
BSV16
当前
BSV17
BSV15
集电极 - 发射极
BSV16
I = -500毫安，我
B
= -25毫安
饱和电压（ * ）
C
BSV17
BSV15
I
C
= -100毫安，V
CE
= -1V
BSV16
BSV17
基射极电压
(*)
BSV15
I
C
= -500毫安，V
CE
= -1V
BSV16
BSV17
BSV15
Gr.10
BSV16
I
C
= -100 A
BSV17
V
CE
= -1 V
BSV15
Gr.16
BSV16
BSV15
Gr.10
BSV16
I
C
= -100毫安
直流电流增益（ * ）
BSV17
V
CE
= -1 V
BSV15
Gr.16
BSV16
BSV15
Gr.10
BSV16
I
C
= -500毫安
BSV17
V
CE
= -1 V
BSV15
Gr.16
BSV16
-
-
-50
A
-
-
-50
nA
-
-
-1
V
-
-
-1
-
-
-1
V
20
30
63
100
25
35
75
120
100
160
55
85
-
-
160
-
250
-
-
12/11/2012
半导体COMSET
2/4
PNP BSV15 - BSV16 - BSV17
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
f
T
C
C
C
E
评级
跃迁频率
集热器
电容
发射极电容
测试条件（S ）
I
C
= -50毫安，V
CE
= -10 V
F = 100 MHz的
I
E
= i
e
= 0, V
CB
= -10V
F = 1 MH
Z
I
E
= i
e
= 0, V
CB
= -10V
F = 1 MH
Z
BSV15
BSV16
BSV17
民
50
-
-
-
典型值
-
20
15
180
最大
-
30
25
-
单位
MH
Z
pF
pF
开关时间
符号
t
关闭
t
on
评级
关断时间
导通时间
测试条件（S ）
I
C
= -100毫安
I
BON
= -5毫安
I
B关
= 5毫安
民
-
-
典型值
-
-
最大
650
500
单位
ns
ns
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 1 ％
12/11/2012
半导体COMSET
3/4
PNP BSV15 - BSV16 - BSV17
机械数据案例TO- 39
外形尺寸（mm ）
民
最大
9.39
8.50
6.60
0.53
0.88
2.66
5.33
0.86
1.02
-
48°
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
8.50
7.74
6.09
0.40
-
2.41
4.82
0.71
0.73
12.70
42°
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
辐射源
BASE
集热器
集热器
修订后的2012年10月
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12/11/2012
半导体COMSET
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