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分立半导体
数据表
BST82
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体， SC13b文件
1995年4月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
描述
N沟道增强模式
SOT23封装的垂直D- MOS晶体管
信封和设计用作
在表面贴装器件（ SMD ）
薄和厚薄膜电路，用于
电话铃声和应用
用继电器，高速和
线路变压器驱动程序。
特点
直接连接C-MOS ， TTL ，
等等
高速开关
无二次击穿
低R
DS （ ON）
转移导纳
I
D
= 175毫安; V
DS
= 5 V
钉扎 - SOT23
1
2
3
引脚配置
- 门
=源
=漏
Y
fs
典型值。
快速参考数据
漏源电压
漏源电压（不重复峰值;
t
p
≤
2毫秒）
栅极 - 源极电压（漏极开路）
漏电流（ DC ）
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
漏源导通电阻
I
D
= 150毫安; V
GS
= 5 V
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
V
DS
V
DS （ SM ）
±V
GSO
I
D
P
合计
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BST82
80 V
100 V
20 V
175毫安
300毫瓦
7
10
150毫秒
手册， halfpage
3
手册， 2列
d
g
1
顶视图
2
MSB003
MBB076 - 1
s
标记： 02P
Fig.1简化外形和符号。
1995年4月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
漏源电压
漏源电压（非重复性峰值;吨
p
≤
2毫秒）
栅极 - 源极电压（漏极开路）
漏电流（ DC ）
漏极电流（峰值）
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
存储温度范围
结温
热阻
从结点到环境（注1 ）
记
1.晶体管安装在7毫米×5毫米× 0.7mm的陶瓷基板。
R
日J-一
=
V
DS
V
DS （ SM ）
±V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
80 V
100 V
20 V
BST82
175毫安
600毫安
300毫瓦
150
°C
65
到+ 150
°C
430 K / W
1995年4月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
漏源击穿电压
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
栅极 - 源极截止电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏源导通电阻
I
D
= 150毫安; V
GS
= 5 V
转移导纳
I
D
= 175毫安; V
DS
= 5 V
输入电容在f = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
输出电容在f = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
反馈电容在f = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
的切换时间（参照图2和3）
I
D
= 175毫安; V
DD
= 50 V; V
GS
= 0到10伏
t
on
典型值。
马克斯。
典型值。
马克斯。
4纳秒
10纳秒
4纳秒
10纳秒
C
RSS
典型值。
马克斯。
3 pF的
6 pF的
C
OSS
典型值。
马克斯。
13 pF的
20 pF的
C
国际空间站
典型值。
马克斯。
15 pF的
30 pF的
Y
fs
典型值。
150毫秒
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
V
（ P） GS
分钟。
马克斯。
1.5 V
3.5 V
7
10
I
GSS
马克斯。
100 nA的
I
DSS
马克斯。
1.0
A
V
（ BR ） DSS
分钟。
80 V
BST82
t
关闭
1995年4月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BST82
手册， halfpage
VDD = 50 V
手册， halfpage
90 %
输入
10 %
10 V
0V
ID
50
MSA631
90 %
产量
10 %
吨
花花公子
MBB692
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
10
3
手册， halfpage
ID
（MA ）
MDA762
VGS = 10 V
8V
6V
5V
手册， halfpage
1
MDA732
ID
VDS = 10V
5V
(A)
0.8
0.6
10
2
0.4
0.2
10
0
2
4
6
8
10
导通电阻（ Ω ）
0
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
图4牛逼
j
= 25
°C;
典型值。
图5牛逼
j
= 25
°C;
典型值。
1995年4月
5
SOT23封装的N沟道增强
模式垂直DMOS FET
I
I
第2期 - 1997年10月
PARTMARKING详细信息 - O2
BST82
C
B
E
SOT23
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
漏源电压
（非重复峰值TP
≤
2ms)
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流峰值
栅源电压
最大功率耗散在T
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DS （ SM ）
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
j
:T
英镑
价值
80
100
175
600
±
20
300
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
V
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门源
阈值电压
门体漏
发射极截止
当前
静态漏源
导通状态电阻
转移导纳
输入电容（ 2 ）
符号
B
VDSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
| YFS |
C
国际空间站
7
150
15
13
3
4
4
30
20
6
10
10
分钟。
80
1.5
3.5
100
1
10
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
I
D
= 175毫安，V
DD
=50V
V
GS
= 0至10V
V
DS
=10V, V
GS
=0V
f=1MHz
条件。
I
C
=100A
I
D
= 1mA时， V
DS
=V
GS
VGS=20V
V
DS
=60V
I
D
= 150毫安，V
GS
=5V
I
D
= 175毫安，V
DS
=5V
常见的来源
C
OSS
输出电容（ 2 ）
反向传输
电容（2）
开关时间
C
RSS
T
on
T
关闭
（ 1 ）交换台次测量150Ω源阻抗和<5ns上升时间的脉冲发生器
（ 2 ）样品测试
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
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B15JW
B82422A3270K100
BM9166DIM89
BLM18RK121SN1D
BMC0805HF-R15K
B41252A9128M000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    BST82
    -
    -
    -
    -
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BST82
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BST82
NXP/恩智浦
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SOT-23
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BST82
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SOT-23
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BST82
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BST82
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BST82
nexperia
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BST82
NEXPERIA
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79600
SOT-23
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BST82
NXP
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SOT23
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联系人：许小姐
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BST82
NXP/恩智浦
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11631
SOT-23
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电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
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BST82
NXP
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1961
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