飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
BST80
手册, halfpage
1.2
MDA173
(1)
(2)
手册, halfpage
1.2
MDA172
ID
(A)
0.8
(3)
ID
(A)
0.8
0.4
(4)
0.4
(5)
0
0
2
4
6
8
10
VDS ( V)
0
0
2
4
6
8
10
VGS ( V)
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 6 V.
(3) V
GS
= 5 V.
(4) V
GS
= 4 V.
(5) V
GS
= 3 V.
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
图6输出特性;典型值。
图7的传输特性;典型值。
手册, halfpage
10
3
MDA171
(1)
(2)
(3)
手册, halfpage
1.2
k
MDA175
ID
(MA )
1.1
(4)
1
10
2
0.9
0.8
10
0
2
4
6
8
10
导通电阻( Ω )
0.7
50
0
50
100
TJ (
o
C)
150
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 6 V.
(3) V
GS
= 5 V.
(4) V
GS
= 4 V.
V
gsth
在T
j
k
=
-------------------------------------
-
V
gsth
在25℃下
V
gsth
为1 mA 。
图8漏极电流为漏 - 源功能
通态电阻;典型值。
Fig.9
栅 - 源温度COEF网络cient
阈值电压;典型值。
1997年6月20日
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