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分立半导体
数据表
BST80
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
取代1995年4月的数据
在分离式半导体, SC13b文件
1997年6月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
特点
低漏源导通状态电阻
直接连接C-MOS , TTL等。
高速开关
无二次击穿。
应用
薄和厚薄膜电路
继电器,高速和线路变压器驱动程序。
g
手册, halfpage
BST80
钉扎 - SOT89
1
2
3
符号
s
d
g
来源
描述
d
描述
N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管
在SOT89封装。
1
底部视图
2
3
MAM355
s
标识代码:
KM
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
GSO
I
D
P
合计
R
DSON
y
fs
参数
漏极 - 源极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
漏源导通电阻
正向转移导纳
T
AMB
25
°C
I
D
= 500毫安; V
GS
= 10 V
I
D
= 500毫安; V
DS
= 15 V
漏极开路
条件
2
300
典型值。
马克斯。
80
±20
500
1
3
V
V
mA
W
mS
单位
1997年6月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏极 - 源极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
25
°C;
注1
漏极开路
条件
65
分钟。
BST80
马克斯。
80
±20
500
1
1
+150
150
V
V
单位
mA
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
125
单位
K / W
需要注意的限制值和热特性
1.装置安装在陶瓷基板;区域2.5厘米
2
;厚度0.7毫米。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
条件
V
GS
= 0; I
D
= 10
A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0
V
DS
= 0; V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 500毫安
I
D
= 500毫安; V
DS
= 15 V
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
GS
= 010伏; V
DD
= 50 V;
I
D
= 500毫安
V
GS
= 10 0 V ; V
DD
= 50 V;
I
D
= 500毫安
分钟。
80
1.5
典型值。
2
300
45
30
8
MAX 。 UNIT
3.5
1
±100
3
60
45
12
V
V
A
nA
mS
pF
pF
pF
开关时间
(参见图2和3)
开启时间
打开-O FF时间
10
15
ns
ns
1997年6月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
BST80
手册, halfpage
VDD = 50 V
手册, halfpage
90 %
输入
10 %
10 V
0V
ID
50
MSA631
90 %
产量
10 %
T ON
吨关闭
MBB692
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
手册, halfpage
1.2
MLC697
手册, halfpage
120
MDA176
P合计
(W)
0.8
C
(PF )
80
(1)
0.4
40
(2)
0
0
50
100
150
200
o
牛逼AMB ( C)
0
0
10
20
(3)
VDS ( V)
30
V
GS
= 0; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
(1) C
国际空间站
.
(2) C
OSS
.
(3) C
RSS
.
Fig.5
图4功率降额曲线。
电容随着漏 - 源的函数
电压;典型值。
1997年6月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
BST80
手册, halfpage
1.2
MDA173
(1)
(2)
手册, halfpage
1.2
MDA172
ID
(A)
0.8
(3)
ID
(A)
0.8
0.4
(4)
0.4
(5)
0
0
2
4
6
8
10
VDS ( V)
0
0
2
4
6
8
10
VGS ( V)
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 6 V.
(3) V
GS
= 5 V.
(4) V
GS
= 4 V.
(5) V
GS
= 3 V.
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
图6输出特性;典型值。
图7的传输特性;典型值。
手册, halfpage
10
3
MDA171
(1)
(2)
(3)
手册, halfpage
1.2
k
MDA175
ID
(MA )
1.1
(4)
1
10
2
0.9
0.8
10
0
2
4
6
8
10
导通电阻( Ω )
0.7
50
0
50
100
TJ (
o
C)
150
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 6 V.
(3) V
GS
= 5 V.
(4) V
GS
= 4 V.
V
gsth
在T
j
k
=
-------------------------------------
-
V
gsth
在25℃下
V
gsth
为1 mA 。
图8漏极电流为漏 - 源功能
通态电阻;典型值。
Fig.9
栅 - 源温度COEF网络cient
阈值电压;典型值。
1997年6月20日
5
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NXP
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SOT-89
原装正品 钻石品质 假一赔十
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BST80
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PHILIPS/NXP
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SOT89
全新原装现货,原厂代理。
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BST80
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BST80
NXP
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3600
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BST80
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