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分立半导体
数据表
BST76A
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
取代1995年4月的数据
在分离式半导体， SC13b文件
1997年6月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
特点
直接连接C-MOS ， TTL等。
高速开关
无二次击穿。
应用
线电流断续的电话机
继电器，高速和线路变压器驱动程序。
描述
N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管
在一个SOT54 （TO- 92）的变体包。
手册， halfpage
BST76A
钉扎 - SOT54 （ TO-92 ）的变体
针
1
2
3
符号
s
g
d
描述
来源
门
漏
d
1
2
3
g
MAM146
s
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
DS （ SM ）
V
GSO
I
D
P
合计
R
DSON
y
fs
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏源电压
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
漏源导通电阻
正向转移导纳
T
AMB
≤
25
°C
I
D
= 15毫安; V
GS
= 3 V
I
D
= 300毫安; V
DS
= 15 V
非重复性峰值;吨
p
≤
2毫秒
漏极开路
条件
7
250
典型值。
马克斯。
180
200
±20
300
1
10
V
V
V
mA
W
mS
单位
1997年6月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
V
DS （ SM ）
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏源电压
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
≤
25
°C;
注1
非重复性峰值;吨
p
≤
2毫秒
漏极开路
条件
65
分钟。
BST76A
马克斯。
180
200
±20
300
800
1
+150
150
V
V
V
单位
mA
mA
W
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
125
单位
K / W
需要注意的限制值和热特性
1.装置安装在一个印刷电路板，最大引线长度为4毫米;安装垫漏极引线最低
10 mm
×
10 mm.
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
条件
V
GS
= 0; I
D
= 100
A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 100
A
V
DS
= 120 V; V
GS
= 0
V
DS
= 0; V
GS
=
±20
V
V
GS
= 3 V ;我
D
= 15毫安
V
GS
= 10 V ;我
D
= 300毫安
I
D
= 300毫安; V
DS
= 15 V
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
GS
= 010伏; V
DS
= 50 V;
I
D
= 300毫安
V
GS
= 10 0 V ; V
DS
= 50 V;
I
D
= 300毫安
分钟。
180
0.7
典型值。
7
6
250
50
20
6
MAX 。 UNIT
2.4
10
±100
10
65
30
10
V
V
A
nA
mS
pF
pF
pF
开关时间
（参见图2和3）
开启时间
打开-O FF时间
10
15
ns
ns
1997年6月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
BST76A
手册， halfpage
VDD = 50 V
手册， halfpage
90 %
输入
10 %
10 V
0V
ID
50
MSA631
90 %
产量
10 %
T ON
吨关闭
MBB692
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
手册， halfpage
1.2
MLC697
手册， halfpage
120
MDA168
P合计
(W)
C
（PF ）
80
0.8
(1)
40
0.4
(2)
0
0
0
50
100
150
200
牛逼AMB （
o
C)
0
10
20
(3)
VDS （ V）
30
V
GS
= 0; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
(1) C
国际空间站
.
(2) C
OSS
.
(3) C
RSS
.
Fig.5
图4功率降额曲线。
电容随着漏 - 源的函数
电压;典型值。
1997年6月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
BST76A
手册， halfpage
1
MDA164
ID
手册， halfpage
(1)
(2)
1
MDA170
(A)
0.8
(3)
ID
(A)
0.8
0.6
0.6
0.4
(4)
0.4
0.2
0.2
0
0
2
4
6
8
10
VDS （ V）
0
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 4 V.
(4) V
GS
= 3 V.
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
图6输出特性;典型值。
图7的传输特性;典型值。
10
3
手册， halfpage
MDA169
(1)
(2)
(3)
手册， halfpage
1.2
MDA167
ID
（MA ）
k
1
10
2
0.8
10
4
6
8
10
12
14
导通电阻（ Ω ）
0.6
50
0
50
100
150
TJ （
o
C)
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 4 V.
V
gsth
在T
j
k
=
-------------------------------------
-
V
gsth
在25℃下
V
gsth
0.1毫安。
Fig.8
漏电流的漏极 - 源极的功能
通态电阻;典型值。
Fig.9
栅 - 源温度COEF网络cient
阈值电压;典型值。
1997年6月20日
5
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