飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
特点
大电流（最大0.5 A ）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
工业开关应用中，例如：
- 打印锤
- 电磁阀
- 中继和灯驱动。
手册， halfpage
BST60 ; BST61 ; BST62
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2
描述
PNP达林顿晶体管在SOT89塑料包装。
NPN补充： BST50 ， BST51和BST52 。
1
2
3
MAM326
3
1
记号
类型编号
BST60
BST61
BST62
标识代码
BS1
BS2
BS3
底部视图
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
1999年04月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BST60
BST61
BST62
V
CES
集电极 - 发射极电压
BST60
BST61
BST62
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
V
BE
= 0
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BST60 ; BST61 ; BST62
分钟。
65
65
马克斯。
60
80
90
45
60
80
5
0.5
1.5
100
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
1999年04月27
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BST60 ; BST61 ; BST62
条件
注1
价值
96
16
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
BST60
BST61
BST62
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
V
BE
= 0; V
CE
=
45
V
V
BE
= 0; V
CE
=
60
V
V
BE
= 0; V
CE
=
80
V
I
C
= 0; V
EB
=
4
V
V
CE
=
10
V ;注意1 ;见图2
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
V
CESAT
V
BESAT
f
T
t
on
t
关闭
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
I
CON
=
500
毫安;我
BON
=
0.5
毫安;
I
B关
- 0.5毫安
1000
2000
200
1.3
1.3
1.9
V
V
V
兆赫
50
50
50
50
nA
nA
nA
nA
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
毫安;牛逼
j
= 150
°C
（ 10％至90％的水平）的切换时间;看
Fig.3
开启时间
打开-O FF时间
500
700
ns
ns
1999年04月27
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP达林顿晶体管
特点
大电流（最大0.5 A ）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
工业开关应用中，例如：
- 打印锤
- 电磁阀
- 中继和灯驱动。
钉扎
针
1
2
3
BST60 ; BST61 ; BST62
描述
辐射源
集热器
BASE
2
3
描述
PNP达林顿晶体管在SOT89塑料包装。
NPN补充： BST50 ， BST51和BST52 。
记号
类型编号
BST60
BST61
BST62
订购信息
包
类型编号
名字
BST60
BST61
BST62
SC-62
描述
塑料表面贴装封装;收集垫好热
转让; 3引线
VERSION
SOT89
标识代码
BS1
BS2
BS3
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
3
2
1
1
sym081
2004年12月9日
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BST60
BST61
BST62
V
CES
集电极 - 发射极电压
BST60
BST61
BST62
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
V
BE
= 0 V
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BST60 ; BST61 ; BST62
分钟。
65
65
马克斯。
60
80
90
45
60
80
5
1
2
100
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
96
16
单位
K / W
K / W
2004年12月9日
3
QQ：2881677436 复制
