【BSS84P沟道增强型MOSFET这是一个P沟道增强型MOSFET ，容纳在业界标准SOT- 23封】,IC型号BSS84_1,BSS84_1 PDF资料,BSS84_1经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BSS84

P沟道增强型MOSFET

这是一个P沟道增强型MOSFET ，容纳在业界

标准SOT- 23封装。该器件非常适合于便携式应用

电路板空间非常珍贵。

SOT- 23

3

特点

低导通电阻

低栅极阈值电压

快速开关

可提供无铅电镀（ 100 ％雾锡完成）

1

漏

3

2

应用

开关电源

手提电脑，掌上电脑

1

门

2

来源

标识代码： 84L

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（注1 ）

栅源电压

漏电流

总功率耗散（注2 ）

工作结温范围

存储温度范围

注意： 1。R

GS

< 20K欧姆

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

P

D

T

J

T

英镑

价值

- 50

- 50

± 20

130

200

-55到+150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

热特性

特征

热阻，结到环境（注2 ）

符号

R

thJA

价值

625

单位

° C / W

注2： FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸，最小的推荐焊盘布局

8/12/2005

第1页

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BSS84

电气特性

开关特性（注3 ）

参数

符号

条件

民

-50

-

-

-

-

典型值

-

-

-

-

-

最大

-

-15

-60

-0.1

±10

nA

A

单位

V

漏源击穿电压BV

DSS

I

D

= -250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= -50V, V

GS

= 0V ，T

J

=25°C

零栅极电压漏极电流

门体漏

I

DSS

I

GSS

V

DS

= -50V, V

GS

= 0V ，T

J

=125°C

V

DS

= -25V, V

GS

= 0V ，T

J

=25°C

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

T

J

= 25 ° C除非另有说明

基本特征（注3 ）

参数

栅极阈值电压

符号

条件

民

-0.8

-

0.05

典型值

-1.44

3.8

-

最大

-2.0

10

-

单位

V

欧

S

V

GS （ TH）

V

DS

= V

GS

I

D

= -1mA

,

静态漏源导通ResistanceR

DS （ ON）

V

GS

= -5V ，我

D

= -0.1A

g

FS

V

DS

= -25V ，我

D

= -0.1A

正向跨导

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

条件

V

DS

= -25V,

V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

民

-

-

-

典型值

-

-

-

最大

45

25

12

单位

pF

pF

pF

开关特性

参数

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

符号

t

D（上）

t

D（关闭）

条件

V

DD

= -30V ，我

D

= -0.27A,

R

根

= 50欧姆，V

GS

= -10V

民

-

-

典型值

7.5

25

最大

-

-

单位

ns

ns

注意使用，以尽量减少自热3.持续时间短的测试脉冲

8/12/2005

第2页

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BSS84

电气特性曲线

1

-I

D

- 漏极 - 源极电流（A ）

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0

1

2

3

4

5

-I

D

- 漏源电流（A ）

T

J

= 25 ° C除非另有说明

1

V

DS

=10V

0.8

0.6

0.4

25

o

C

0.2

0

0

1

2

3

4

5

6

7

0.9

V

GS

= 6V, 7V, 8V, 9V, 10V

5.0V

4.0V

3.0V

-V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

图。 1.输出特性

10

图。 2.传输特性

10

R

DS （ ON）

- 导通电阻（欧姆）

8

6

Ids=-500mA

4

2

Ids=-50mA

0

R

DS （ ON）

- 导通电阻（欧姆）

8

V

GS

= 4.5V

6

4

V

GS

=10.0V

2

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

2

4

6

8

10

-I

D

- 排水Curre NT （ A）

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

图。 3.导通电阻与漏电流

V

GS

阈值电压（归

1.2

图。 4.导通电阻与G- S间电压

10

-I

S

- 源电流（ A）

I

D

=250

A

1.1

V

GS

= 0V

1

1

25

o

C

0.1

0.9

0.8

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

0.01

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

T

J

- 结温（

o

C)

-V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

图。 5，阈值电压与温度的关系

8/12/2005

第3页

图。 6.水稻源 - 漏极二极管正向电压

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封装布局，并建议焊盘尺寸

订购信息

BSS84 T / R7 - 每卷7英寸的卷轴， 3K单位

BSS84 T / R13 - 每卷13英寸的卷轴， 10K单位

版权所有强茂国际， 2005年公司

该通知通报BULLETIN本docum耳鼻喉提出被认为是准确和可靠。规范并通知通报BULLETIN

本文如有更改，恕不另行通知。关于潘日新米碟刹任何保证，声明或担保

适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用

系统S 。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。

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