UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
BSS84Z
初步
功率MOSFET
0.13A ， 50V P沟道
增强型场
场效应晶体管
描述
这些P沟道增强型场垂直的D- MOS
晶体管是采用SOT- 23-3 SMD封装，并在最
他们需要高达0.13A DC ，并且可以提供目前应用最多
为0.52A 。
此产品特别适合于低压应用
需要低电流高侧开关。
特点
* R
DS （ ON）
=10 @ V
GS
=-5V
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
BSS84ZL-AE2-R
BSS84ZG-AE2-R
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
SOT-23-3
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
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1第3
QW-R502-719.b
BSS84Z
参数
漏源电压
栅源电压
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
评级
单位
-50
V
±20
V
DC
-0.13
连续漏电流
I
D
A
脉冲
-0.52
功耗
P
D
0.36
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
符号
V
DSS
V
GSS
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
350
单位
℃
/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
基本特征
（注）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
DS
=-50V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
= -1m一
V
GS
= -5V ，我
D
=-0.1A
V
GS
= -55 V，I
D
= -0.1A ，T
J
=125℃
V
GS
=-10 V, V
DS
=-5V
V
DS
= -25V ，我
D
=-0.1A
最小典型最大单位
-50
-15
±10
-0.8 -1.7
1.2
1.9
-0.6
0.05 0.6
73
10
5
0.9
0.2
0.3
2.5
6.3
10
4.8
1.3
-2
10
17
V
A
A
V
A
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
通态漏电流
I
D（上）
正向跨导
g
FS
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
（注）
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=-30V, V
GS
=-10V,
门源电荷
Q
GS
I
D
=-0.1A
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= -30V ，我
D
=-0.1A,V
GS
=-10V,
R
G
=6,
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= -0.26A （注）
马克斯。二极管的正向电流
I
S
注：脉冲测试，脉冲宽度
≤
300US ，值班cycle≤ 2 ％
5
13
20
9.6
-0.8 -1.2
-0.13
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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