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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第630页 > BSS84P
最终数据
BSS 84 P
SIPMOS
小信号三极管
特征
产品概述
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
3
·
P沟道
·
增强型
·
逻辑电平
·
额定雪崩
·
dv / dt的额定
-60
8
-0.17
SOT-23
V
W
A
2
1
VPS05161
3脚
TYPE
BSS 84 P
SOT-23
订购代码
Q67041-S1417
记号
YBS
pin1
来源
销2
最大额定值,
at
T
A
= 25℃,除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
I
D
价值
-0.17
-0.14
单位
A
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
-0.68
2.6
0.036
-6
±20
0.36
-55... +150
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量,单脉冲
I
D
=-0.17 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=-0.17A,
V
DS
= -48V ,的di / dt = -200A / μs的,
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
2002-09-04
最终数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 焊接点
(引脚3 )
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
BSS 84 P
符号
分钟。
R
thjs
R
thJA
-
-
-
典型值。
-
马克斯。
200
单位
K / W
-
-
350
300
电气特性,
at
T
A
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=-250A
符号
分钟。
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
-
-
-
-60
-1
典型值。
-
-1.5
马克斯。
-
-2
单位
V
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
=-20A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-60V,
V
GS
=0,
T
A
=25°C
V
DS
=-60V,
V
GS
=0,
T
A
=125°C
A
-0.1
-10
-10
8
5.8
-1
-100
-100
12
8
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=-20V,
V
DS
=0
漏源导通电阻
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-0.14A
W
漏源导通电阻
V
GS
=-10V,
I
D
=-0.17A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2002-09-04
最终数据
电气特性,
at
T
A
= 25℃,除非另有说明
参数
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=-30V,
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-0.14A,
R
G
=25
W
V
DS
2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=-0.14A
V
GS
=0,
V
DS
=-25V,
f=1MHz
BSS 84 P
符号
条件
分钟。
0.065
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.13
15
6
2
6.7
16.2
8.6
20.5
马克斯。
-
19
8
3
10
24.3
12.9
30.8
单位
S
pF
ns
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流,脉冲
I
SM
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=-0.17A
V
R
=-30V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=-48V,
I
D
=-0.17A
-
-
-
-
0.25
0.3
1
-3.42
0.37
0.45
1.5
-
nC
V
DD
=-48V,
I
D
=-0.17A,
V
GS
= 0至-10V
V
(高原)
V
DD
=-48V,
I
D
=-0.17A
V
I
S
T
A
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
-0.93
23
10
-0.17 A
-0.68
-1.24 V
34
15
ns
nC
第3页
2002-09-04
最终数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
0.38
BSS 84 P
BSS 84 P
2漏极电流
I
D
=
f
(T
A
)
参数:
V
GS
10 V
BSS 84 P
-0.18
W
A
0.32
-0.14
0.28
P
合计
I
D
-0.1
-0.08
-0.06
-0.04
-0.02
0
0
20
40
60
80
100
120
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
-0.12
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
-10
1
BSS 84 P
4瞬态热阻抗
Z
thJA
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
3
BSS 84 P
A
K / W
-10
0
t
P = 170.0μs
10
2
/
I
D
-10
-1
R
D
S(
=
)
on
V
D
S
1毫秒
Z
thJA
10
1
D = 0.50
10毫秒
I
D
0.20
0.10
-10
-2
DC
10
0
0.05
单脉冲
0.02
0.01
-10
-3 -1
-10
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-1 -5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
10 10 10 10 10 10 10 10
s
10
4
V
DS
第4页
t
p
2002-09-04
最终数据
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
)
参数:
T
j
= 25 °C
-0.4
BSS 84 P
P
合计
= 0.36W
BSS 84 P
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
=
f
(I
D
)
参数:
V
GS
;
T
J = 25℃
26
BSS 84 P
A
l
k
J I
W
h
V
GS [ V]
g
a
-2.5
a
b
c
d
e
f
g
22
20
-0.32
f
b
c
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
-8.0
-10.0
-0.28
R
DS ( ON)
e
d
e
18
16
14
12
10
8
6
4
V
GS
[V] =
h
i
j
k
l
I
D
-0.24
-0.2
-0.16
-0.12
-0.08
-0.04
0
0
b
c
f
d
g
h
i
j
k
l
a
2
-4
a
b
c
d
e
f
-2.5 -3.0 -3.5 -4.0 -4.5 -5.0
g
h
i
j
-5.5 -6.0 -6.5 -7.0
k
l
-8.0 -10.0
-0.5
-1
-1.5 -2
-2.5
-3
-3.5
V
-5
0
0
-0.04 -0.08 -0.12 -0.16 -0.2 -0.24 -0.28 -0.32
A
-0.38
V
DS
I
D
7典型。传输特性
参数:
T
J = 25℃
0.4
A
I
D
=
f
(
V
GS
); |V
DS |
2× | I
D |
x
R
DS ( ON)最大值
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
)
参数:
T
J = 25℃
0.16
S
0.3
0.12
-
I
D
0.25
g
fs
V
0.1
0.2
0.08
0.15
0.06
0.1
0.04
0.05
0.02
0
0
1
2
3
4
6
0
0
0.04
0.08
0.12
0.16
A
0.22
-
V
GS
-I
D
第5页
2002-09-04
BSS 84 P
SIPMOS
小信号三极管
特征
产品概述
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
3
·
P沟道
·
增强型
·
逻辑电平
·
额定雪崩
·
dv / dt的额定
-60
8
-0.17
PG-SOT-23
V
W
A
2
1
TYPE
BSS 84 P
BSS 84 P
PG-SOT-23
PG-SOT-23
磁带和卷轴
记号
VPS05161
L6327 : 3000PCS / R 。 YBS
L6433 : 10000个/ R 。 YBS
pin1
3脚
来源
销2
最大额定值,
at
T
A
= 25℃,除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
I
D
价值
-0.17
-0.14
单位
A
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
-0.68
2.6
0.036
-6
±20
0.36
-55... +150
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量,单脉冲
I
D
=-0.17 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=-0.17A,
V
DS
= -48V ,的di / dt = -200A / μs的,
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
修订版2.4
第1页
2006-12-05
BSS 84 P
热特性
参数
特征
热阻,结 - 焊接点
(引脚3 )
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
R
thjs
R
thJA
-
-
-
典型值。
-
马克斯。
200
单位
K / W
-
-
350
300
电气特性,
at
T
A
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=-250A
符号
分钟。
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
-
-
-
-60
-1
典型值。
-
-1.5
马克斯。
-
-2
单位
V
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
=-20A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-60V,
V
GS
=0,
T
A
=25°C
V
DS
=-60V,
V
GS
=0,
T
A
=125°C
A
-0.1
-10
-10
8
5.8
-1
-100
-100
12
8
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=-20V,
V
DS
=0
漏源导通电阻
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-0.14A
W
漏源导通电阻
V
GS
=-10V,
I
D
=-0.17A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
修订版2.4
第2页
2006-12-05
BSS 84 P
电气特性,
at
T
A
= 25℃,除非另有说明
参数
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=-30V,
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-0.14A,
R
G
=25
W
V
DS
2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=-0.14A
V
GS
=0,
V
DS
=-25V,
f=1MHz
符号
条件
分钟。
0.065
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.13
15
6
2
6.7
16.2
8.6
20.5
马克斯。
-
19
8
3
10
24.3
12.9
30.8
单位
S
pF
ns
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流,脉冲
I
SM
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=-0.17A
V
R
=-30V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=-48V,
I
D
=-0.17A
-
-
-
-
0.25
0.3
1
-3.42
0.37
0.45
1.5
-
nC
V
DD
=-48V,
I
D
=-0.17A,
V
GS
= 0至-10V
V
(高原)
V
DD
=-48V,
I
D
=-0.17A
V
I
S
T
A
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
-0.93
23
10
-0.17 A
-0.68
-1.24 V
34
15
ns
nC
修订版2.4
第3页
2006-12-05
BSS 84 P
1功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
0.38
BSS 84 P
2漏极电流
I
D
=
f
(T
A
)
参数:
V
GS
10 V
BSS 84 P
-0.18
W
A
0.32
-0.14
0.28
P
合计
I
D
20
40
60
80
100
120
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
-0.12
-0.1
-0.08
-0.06
-0.04
-0.02
0
0
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
-10
1
BSS 84 P
4瞬态热阻抗
Z
thJA
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
3
BSS 84 P
A
K / W
-10
0
t
P = 170.0μs
10
2
/
I
D
-10
-1
R
D
S(
=
)
on
V
D
S
1毫秒
Z
thJA
10
1
D = 0.50
10毫秒
I
D
0.20
0.10
-10
-2
DC
10
0
0.05
单脉冲
0.02
0.01
-10
-3 -1
-10
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-1 -5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
10 10 10 10 10 10 10 10
s
10
4
V
DS
修订版2.4
第4页
t
p
2006-12-05
BSS 84 P
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
)
参数:
T
j
= 25 °C
-0.4
BSS 84 P
P
合计
= 0.36W
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
=
f
(I
D
)
参数:
V
GS
;
T
J = 25℃
26
BSS 84 P
A
l
W
k
J I
h
V
GS [ V]
g
a
-2.5
a
b
c
d
e
f
g
22
20
-0.32
f
b
c
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
-8.0
-10.0
-0.28
R
DS ( ON)
e
d
e
18
16
14
12
10
8
6
4
V
GS
[V] =
h
i
j
k
l
I
D
-0.24
-0.2
-0.16
-0.12
-0.08
-0.04
0
0
b
c
f
d
g
h
i
j
k
l
a
2
-4
a
b
c
d
e
f
-2.5 -3.0 -3.5 -4.0 -4.5 -5.0
g
h
i
j
-5.5 -6.0 -6.5 -7.0
k
l
-8.0 -10.0
-0.5
-1
-1.5 -2
-2.5
-3
-3.5
V
-5
0
0
-0.04 -0.08 -0.12 -0.16 -0.2 -0.24 -0.28 -0.32
A
-0.38
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
); |V
DS |
2× | I
D |
x
R
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