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SO
T2
BSS84AK
50 V ， 180毫安P沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2011年5月23日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
P沟道增强型场效应晶体管（ FET ），采用小型SOT23
（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD）采用沟槽MOSFET塑料包装
技术。
3
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
ESD保护高达1千伏
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
高端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= -10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -10 V ;我
D
= -100毫安;
T
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
典型值
-
-
-
4.5
最大单位
-50
20
V
V
-180毫安
7.5
静态特性
[1]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
恩智浦半导体
BSS84AK
50 V ， 180毫安P沟道沟槽MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
2
G
3
D
简化的轮廓
图形符号
SOT23封装（ TO- 236AB ）
sym146
S
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BSS84AK
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
BSS84AK
[1]
％ =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
％ VS
类型编号
BSS84AK
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产品数据表
第1版 - 2011年5月23日
2 16
恩智浦半导体
BSS84AK
50 V ， 180毫安P沟道沟槽MOSFET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= -10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -10 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
V
ESD
[1]
[2]
[3]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
HBM
[1]
最大
-50
20
-180
-120
-0.7
350
420
1140
150
150
150
-180
1000
单位
V
V
mA
mA
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
mA
V
结温
环境温度
储存温度
源出电流
静电放电电压
源极 - 漏极二极管
-
-
ESD最大额定值
[3]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
测量之间的所有引脚。
120
P
DER
(%)
80
001aao121
120
I
DER
(%)
80
001aao122
40
40
0
-75
-25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
-75
-25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
BSS84AK
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产品数据表
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3 16
恩智浦半导体
BSS84AK
50 V ， 180毫安P沟道沟槽MOSFET
-1
I
D
(A)
-10
-1
(2)
(3)
(4)
001aao123
(1)
-10
-2
(5)
-10
-3
-10
-1
-1
-10
V
DS
(V)
-10
2
I
DM
是单脉冲
(1) t
p
= 1毫秒
(2) t
p
= 10毫秒
(3) t
p
= 100毫秒
（4 ）直流;牛逼
sp
= 25 °C
（ 5 ）直流;牛逼
AMB
= 25°C ;漏装垫片1厘米
2
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
BSS84AK
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恩智浦半导体
BSS84AK
50 V ， 180毫安P沟道沟槽MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
热特性
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
310
260
-
最大
370
300
115
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.25
0.1
0.2
0.05
0.02
0.01
0
017aaa015
10
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa016
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.25
0.1
0.2
0.05
0.02
0.01
10
0
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水1厘米
2
图5 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
BSS84AK
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供货商
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