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SOT23封装PNP硅平面

开关晶体管

第2期？九月95

PARTMARKING细节 -

7

BSS82B - CL

BSS82C - CM

BSS82B

BSS82C

C

B

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

BSS80B

BSS80C

h

FE

f

T

C

敖包

t

d

t

r

t

s

t

f

40

100

200

8

10

40

80

30

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

P

合计

t

j

:t

英镑

分钟。

-60

-60

-5

-10

-10

-10

-0.4

-1.6

120

300

兆赫

pF

ns

ns

ns

ns

V

CC

= -30V ，我

C

=-150mA

I

B1

=-I

B2

=-15mA

A

价值

-60

-60

-5

-800

330

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射极截止

当前

集电极 - 发射极

饱和电压

静态前进

当前

传输比

跃迁频率

输出电容

延迟时间

马克斯。

单位

V

V

条件。

I

C

=-10

A

I

C

=-10mA*

I

E

=-10

A

nA

V

CB

=-50V,

V

CB

= -50V ，T

AMB

=150 °C

V

BE

=-3V

I

C

=-150mA,I

B

=-15mA*

I

C

=-500mA,I

B

=50mA*

I

C

=150mA,V

CE

=10V

I

C

=150mA,V

CE

=10V

V

CE

=-20V,I

C

=-50mA

f=100MHz

V

CB

=-10V,f=1MHz

nA

V

V

上升时间

贮存时间

下降时间

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比2 ％

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