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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第451页 > BSS82
BSS80 ， BSS82
PNP硅开关晶体管
高直流电流增益： 0.1毫安500毫安
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BSS79 ， BSS81 （NPN）
3
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 77 °C
结温
储存温度



2
1
VPS05161
TYPE
BSS80B
BSS80C
BSS82B
BSS82C
记号
CHS
CJS
CLS
CMS
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
BSS80
40
60
5
800
1
100
200
330
150
BSS82
60
单位
V
V
mA
A
mA
mW
°C
-65 ... 150
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

220
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-30-2001
BSS80 ， BSS82
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 50 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 50 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 100 A,
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
h
FE
I
EBO
I
CBO
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
V
40
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
10
nA
A
nA
-
40
75
40
100
40
100
40
100
40
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
300
-
-
V
-
-
-
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
BSS80
BSS82
V
（ BR ） CBO
60
5
-
-
-
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
1 ）脉冲测试：吨
≤=300s,
D = 2%
V
CESAT
V
BESAT
-
-
2
Nov-30-2001
BSS80 ， BSS82
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
延迟时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
上升时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
贮存时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
=I
B2
= 15毫安
下降时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
=I
B2
= 15毫安
t
f
-
-
30
t
英镑
-
-
80
t
r
-
-
40
t
d
-
-
10
ns
C
cb
-
6
-
pF
f
T
-
250
-
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
测试电路
延迟和上升时间
-30 V
200
输入
Z
0
= 50
t
r
＆ LT ; 2纳秒
0
-16 V
200纳秒
EHN00047
存储和下降时间
-6 V
+15 V
输入
Z
0
= 50
t
r
< 2ns的
0
-30 V
200纳秒
EHN00048
OSC 。
1 k
50
t
r
＆ LT ; 5纳秒
1 k
50
1 k
37
OSC 。
t
r
＆ LT ; 5纳秒
3
Nov-30-2001
BSS80 ， BSS82
总功耗
P
合计
=
F（T
S
)
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(V
CB
)
f
= 1MHz的
10
2
pF
C
cb
5
BSS 80/82
EHP00680
360
mW
300
270
P
合计
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
10
1
5
°C
150
T
S
10
0
10
-1
5
10
0
5
10
1
V
V
CB
5
10
2
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
BSS 80/82
EHP00681
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20V
10
3
兆赫
f
T
5
BSS 80/82
EHP00682
t
p
D
=
T
t
p
T
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
1
10
0
5
10
1
5
10
2
5毫安
10
3
Ι
C
4
Nov-30-2001
BSS80 ， BSS82
饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
,
V
CESAT
)
h
FE
= 10
10
3
mA
BSS 80/82
EHP00683
延迟时间
t
d
=
f
(I
C
)
上升时间
t
r
=
f
(I
C
)
10
3
ns
BSS 80/82
EHP00684
Ι
C
10
5
2
V
CE
V
BE
t
r
,
t
d
5
V
BE
= 0 V,
V
CC
= 10 V,
V
BE
= 20 V,
V
CC
= 30 V
t
r
10
1
5
10
2
t
d
5
10
0
5
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
1.6
10
1
0
10
5 10
1
V
BE坐
,
V
CE坐
5 10
2
马五10
3
Ι
C
贮存时间
t
英镑
=
F（我
C
)
下降时间
t
f
=
f
(I
C
)
10
3
ns
t
英镑
5
BSS 80/82
EHP00685
10
3
ns
t
f
5
BSS 80/82
EHP00686
V
CC
= 30 V
h
FE
= 20
h
FE
= 10
10
2
10
2
5
h
FE
= 10
h
FE
= 20
5
10
1
0
10
5 10
1
5 10
2
马五10
3
10
1
0
10
5 10
1
5 10
2
马五10
3
Ι
C
Ι
C
5
Nov-30-2001
SMD型
PNP硅开关晶体管
BSS80,BSS82
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
高直流电流增益： 0.1毫安到500毫安。
低集电极 - 发射极饱和电压。
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，T
S
= 77
结温
储存温度
结 - 焊接点
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thjs
BSS80
40
60
5
800
1
100
200
330
150
-65到+150
220
K / W
BSS82
60
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BSS80,BSS82
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
BSS80
BSS82
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
直流电流增益*
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE （ SAT ）
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极 - 基极电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试：吨
300ìs ，D = 2％。
*
V
BE （ SAT ）
f
T
建行
td
tr
TSTG
tf
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安， V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安， V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= I
B2
= 15毫安，
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= I
B2
= 15毫安，
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V
h
FE
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安， V
CE
= 10 V
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0 , T
A
= 150
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V，I
C
= 0
I
C
= 100 μA ，V
CE
= 10 V
符号
Testconditons
晶体管
IC
民
40
60
60
5
典型值
最大
单位
V
V
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
10
10
10
40
75
40
100
40
100
nA
ìA
nA
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V
40
100
40
50
120
300
0.4
1.6
1.3
2.6
250
6
10
40
80
30
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
V
h
FE
分类
TYPE
秩
记号
TYPE
秩
记号
B
CLS
B
CHS
BSS82
C
CMS
BSS80
C
CJS
2
www.kexin.com.cn
SMD型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
BSS80,BSS82
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
高直流电流增益： 0.1毫安到500毫安。
低集电极 - 发射极饱和电压。
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，T
S
= 77
结温
储存温度
结 - 焊接点
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thjs
BSS80
40
60
5
800
1
100
200
330
150
-65到+150
220
K / W
BSS82
60
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
BSS80,BSS82
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
BSS80
BSS82
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
直流电流增益*
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE （ SAT ）
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极 - 基极电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试：吨
300ìs ，D = 2％。
*
V
BE （ SAT ）
f
T
建行
td
tr
TSTG
tf
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安， V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安， V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= I
B2
= 15毫安，
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= I
B2
= 15毫安，
250
6
10
40
80
30
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V
h
FE
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安， V
CE
= 10 V
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0 , T
A
= 150
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V，I
C
= 0
I
C
= 100 μA ，V
CE
= 10 V
40
75
40
100
40
100
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V
40
100
40
50
0.4
1.6
1.3
2.6
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
V
120
300
符号
Testconditons
民
40
60
60
5
10
10
10
V
V
nA
ìA
nA
典型值
最大
单位
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
h
FE
分类
TYPE
秩
记号
TYPE
秩
记号
B
CLS
B
CHS
BSS82
C
CMS
BSS80
C
CJS
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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