BSS79C
BSS79C
NPN通用放大器
本设备用作中等功率放大器和SWITH要求
集电极电流高达500mA 。
从加工19采购。
见BCW65C的特点。
C
E
B
SOT-23
马克： CF
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
价值
40
75
6.0
800
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 60V
V
CB
= 60V ，T
a
= 150
°C
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
CC
= 30V, V
BE （OFF）的
= 0.5V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
100
分钟。
75
40
6.0
10
10
10
300
0.3
1.0
250
8.0
10
10
265
60
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
nA
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
在特性*
小信号特性
f
T
C
CB
t
d
t
r
t
s
t
f
电流增益 - 带宽积
集电极 - 基极电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
开关特性
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I11
BSS79 ， BSS81
硅NPN开关晶体管
高直流电流增益： 0.1毫安500毫安
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BSS80 ， BSS82 （ PNP ）
3
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 77 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
2
1
VPS05161
TYPE
BSS79B
BSS79C
BSS81B
BSS81C
记号
CES
CFS
CDS
CGS
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
BSS79
40
75
6
800
1
100
200
330
150
BSS81
35
单位
V
V
mA
A
mA
mW
°C
-65 ... 150
220
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-30-2001
硅NPN开关晶体管
BSS 79
BSS 81
q
高直流电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补型： 80 BSS ，BSS 82 （ PNP ）
TYPE
BSS 79 B
BSS 79
BSS 81 B
BSS 81
记号
CES
CFS
CDS
CGS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-S503
Q62702-S501
Q62702-S555
Q62702-S605
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 77 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
1)
2)
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
BSS 81
BSS 79
40
6
800
1
100
200
330
150
– 65 … + 150
35
75
单位
V
mA
A
mA
mW
C
R
日JA
R
日JS
≤
290
≤
220
K / W
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
QQ：2881677436 复制
