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SOT23 NPN硅平面

开关晶体管

第2期？九月95

PARTMARKING细节 -

7

BSS79B - CE

BSS79C - CF

BSS79B

BSS79C

C

B

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

P

合计

t

j

:t

英镑

价值

75

40

6

800

330

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

分钟。

75

40

6

10

10

10

0.3

1.0

40

100

250

8

10

10

225

60

120

300

集电极 - 基极击穿

电压

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极基极截止电流

发射基地截止电流

集电极 - 发射极饱和

电压

静态前进

当前

传输比

跃迁频率

集电极 - 基极电容

延迟时间

马克斯。

单位

V

V

V

A

条件。

I

C

=10

A

I

C

=10mA

IE=10

A

V

CB

=60V

V

CB

= 60V ，T

AMB

=150

o

C

V

BE

=3.0V

I

C

= 150毫安，我

B

=15mA

I

C

= 500毫安，我

B

=50mA

I

C

= 150毫安，V

CE

=10V

I

C

= 150毫安，V

CE

=10V

发射极 - 基极击穿电压V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

f

T

C

敖包

t

d

t

r

t

s

t

f

nA

nA

V

V

BSS79B

BSS79C

兆赫

pF

ns

ns

ns

ns

V

CE

= 20V ，我

C

=20mA

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

V

CC

= 30V ，我

C

=150mA

I

B1

=I

B2

=15mA

V

CC

= 30V ，我

C

=150mA

I

B1

=I

B2

=15mA

上升时间

贮存时间

下降时间

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