硅平面外延
NPN晶体管
BSS71
高压
密封TO- 18金属封装。
非常适用于高电压放大器
和切换应用程序
筛选选项可用
绝对最大额定值
( TA = 25° C除非另有说明)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
TA = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
200V
200V
6V
500mA
500mW
2.86mW/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJA
参数
热阻,结到环境
分钟。
典型值。
马克斯。
350
单位
° C / W
Semelab有限公司保留随时更改测试条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠,在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
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第1期
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硅平面外延
NPN晶体管
BSS71
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
V( BR ) CEO
(1)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
测试条件
IC = 10毫安
IC = 100μA
IE = 100μA
VCB = 150V
VCE = 150V
VEB = 5V
IC = 0.1毫安
IB = 0
IE = 0
IC = 0
IE = 0
IB = 0
IC = 0
VCE = 1.0V
VCE = 10V
VCE = 10V
VCE = 10V
IB = 1.0毫安
IB = 3毫安
IB = 5毫安
IB = 1.0毫安
IB = 3毫安
IB = 5毫安
分钟。
200
200
6
典型值
马克斯。
单位
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
ICEO
IEBO
V
50
500
50
20
30
50
40
250
0.3
0.4
0.5
0.8
0.9
1.0
V
nA
的hFE
(1)
正向电流传输
比
IC = 1.0毫安
IC = 10毫安
IC = 30毫安
IC = 10毫安
VCE ( SAT )
(1)
集电极 - 发射极饱和
电压
IC = 30毫安
IC = 50毫安
IC = 10毫安
VBE ( SAT )
(1)
基射极饱和
电压
IC = 30毫安
IC = 50毫安
动态特性
fT
跃迁频率
IC = 20mA下
F = 20MHz的
输出电容
VCB = 20V
F = 1.0MHz的
输入电容
VEB = 0.5V
F = 1.0MHz的
开启时间
IC = 50毫安
IB1 = 10毫安
IC = 50毫安
VCC = 100V
VCC = 100V
100
ns
400
IC = 0
45
IE = 0
3.5
pF
VCE = 20V
50
200
兆赫
科博
CIBO
吨
花花公子
打开-O FF时间
IB1 = - IB2 = 10毫安
笔记
(1 )脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
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硅平面外延
NPN晶体管
BSS71
机械数据
尺寸mm (英寸)
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
DIA 。
2.54 (0.100)
喃。
3
2
1
TO- 18 ( TO- 206AA )金属封装
仰视图
引脚1 - 发射极
引脚2 - 基
3脚 - 集电极
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12.7 (0.500)
分钟。
5.33 (0.210)
4.32 (0.170)
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