【BSS670S2L的OptiMOS降压转换器系列特征N沟道产品概述VDSRDS （ ON）IDSOT】,IC型号BSS670S2L,BSS670S2L PDF资料,BSS670S2L经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSS670S2L

的OptiMOS

降压转换器系列

特征

N沟道

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

SOT 23

55

650

0.54

V

m

A

增强型

逻辑电平

漏

3脚

TYPE

BSS670S2L

包

SOT 23

订购代码

Q67042-S4052

记号

BSS

门

pin1

来源

销2

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

符号

I

D

价值

单位

A

0.54

0.43

I

PULS

2.2

漏电流脉冲

T

A

=25°C

门源电压

功耗

T

A

=25°C

V

GS

P

合计

± 20

0.36

V

W

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

T

j ,

T

英镑

-55... +150

55/150/56

°C

第1页

2003-03-17

BSS670S2L

热特性

参数

符号

分钟。

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚3 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

值

典型值。

马克斯。

单位

R

thjs

-

290

K / W

R

thJA

-

350

300

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=1mA

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

55

-

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=2.7A

V

GS （ TH）

1.2

1.6

2

零栅极电压漏极电流

V

DS

=55V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=55V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

I

DSS

-

I

GSS

-

0.01

10

1

100

A

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

nA

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V,

I

D

=270mA

R

DS （ ON）

-

430

825

m

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=270mA

R

DS （ ON）

-

346

650

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

2003-03-17

BSS670S2L

电气特性

参数

符号

条件

分钟。

动态特性

跨

g

fs

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.54A

值

典型值。

马克斯。

单位

0.6

1.2

-

S

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

=0,

V

DS

=25V,

f=1MHz

-

56

13

7

9

25

21

24

75

18

10

14

37

31

32

pF

V

DD

=30V,

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.54A,

R

G

=130

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A

-

0.19

0.57

1.7

0.25

0.86

2.26

nC

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A,

V

GS

= 0至10V

-

栅极电压平台

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

（高原）

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A

-

3.1

-

V

I

S

T

A

=25°C

-

0.38

A

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=0.54A

V

R

=30V,

I

F =

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

0.8

51

22

2.2

1.1

64

28

V

ns

nC

第3页

2003-03-17

BSS670S2L

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

2漏极电流

I

D

=

f

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.38

BSS670S2L

0.6

BSS670S2L

W

0.32

0.28

A

0.5

0.45

0.4

P

合计

I

D

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

20

40

60

80

100

120

0.24

0.2

0.16

0.12

0.08

0.04

0

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

4瞬态热阻抗

Z

thjs

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

3

BSS670S2L

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

10

1

BSS670S2L

K / W

A

/

I

D

t

P = 23.0μs

100 s

10

0

R

=

n)

(o

DS

V

D

S

10

2

Z

thjs

1毫秒

10毫秒

10

1

I

D

10

-1

10

0

D = 0.50

0.20

10

-1

0.10

0.05

单脉冲

DC

10

-2

10

-2

0.02

0.01

10

-3 -1

10

0

10

1

V

10

2

10

-3 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

第4页

t

p

2003-03-17

BSS670S2L

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 80 s

3

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

V

GS

1500

A

10V

6V

5V

4.5V

m

1200

1100

1000

900

800

700

600

I

D

2

4V

3.5V

4V

4.5V

5V

6V

10V

1.5

1

R

DS （ ON）

4

3.5V

500

400

0.5

3V

300

200

100

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

5

V

DS

0

0.2

0.4

0.6

0.8

A

I

D

1.2

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

≥

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

t

p

= 80 s

2.2

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25°C

参数：

g

fs

2.2

A

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

S

1.8

1.6

g

fs

V

5

V

GS

第5页

I

D

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.2

A

I

D

2003-03-17

BSS670S2L

的OptiMOS

降压转换器系列

特征

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

55

650

0.54

PG- 23 SOT

增强型

逻辑电平

额定雪崩

1)

N沟道

V

m

A

漏

3脚

TYPE

BSS670S2L

包

PG- 23 SOT

磁带和卷轴

L6327 ： 3000个/卷

记号

BSS

门

pin1

来源

销2

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

符号

I

D

价值

单位

A

0.54

0.43

I

PULS

2.2

漏电流脉冲

T

A

=25°C

雪崩能量，单脉冲I

D

= 0.54 A，R

G

= 25

1)

门源电压

功耗

T

A

=25°C

E

AS

V

GS

P

合计

8.1

± 20

0.36

mJ

V

W

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

T

j ,

T

英镑

-55... +150

55/150/56

°C

1 ）有效的与日期代码0604年起设备

修订版2.3

第1页

2006-12-01

BSS670S2L

热特性

参数

符号

分钟。

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚3 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

值

典型值。

马克斯。

单位

R

thjs

-

290

K / W

R

thJA

-

350

300

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=1mA

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

55

-

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=2.7A

V

GS （ TH）

1.2

1.6

2

零栅极电压漏极电流

V

DS

=55V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=55V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

I

DSS

-

I

GSS

-

0.01

1

0.1

10

100

A

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

nA

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V,

I

D

=270mA

R

DS （ ON）

-

430

825

m

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=270mA

R

DS （ ON）

-

346

650

2 ）设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

修订版2.3

第2页

2006-12-01

BSS670S2L

电气特性

参数

符号

条件

分钟。

动态特性

跨

g

fs

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.54A

值

典型值。

马克斯。

单位

0.6

1.2

-

S

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

=0,

V

DS

=25V,

f=1MHz

-

56

13

7

9

25

21

24

75

18

10

14

37

31

32

pF

V

DD

=30V,

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.54A,

R

G

=130

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A

-

0.19

0.57

1.7

0.25

0.86

2.26

nC

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A,

V

GS

= 0至10V

-

栅极电压平台

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

（高原）

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A

-

3.1

-

V

I

S

T

A

=25°C

-

0.38

A

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=0.54A

V

R

=30V,

I

F =

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

0.8

51

22

2.2

1.1

64

28

V

ns

nC

修订版2.3

第3页

2006-12-01

BSS670S2L

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

2漏极电流

I

D

=

f

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.38

BSS670S2L

0.6

BSS670S2L

W

0.32

0.28

A

0.5

0.45

0.4

P

合计

I

D

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

20

40

60

80

100

120

0.24

0.2

0.16

0.12

0.08

0.04

0

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

4瞬态热阻抗

Z

thjs

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

3

BSS670S2L

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

10

1

BSS670S2L

K / W

A

/

I

D

t

P = 23.0μs

100 s

10

0

R

=

n)

(o

DS

V

D

S

10

2

Z

thjs

1毫秒

10毫秒

10

1

I

D

10

-1

10

0

D = 0.50

0.20

10

-1

0.10

0.05

单脉冲

DC

10

-2

10

-2

0.02

0.01

10

-3 -1

10

0

10

1

V

10

2

10

-3 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

修订版2.3

第4页

t

p

2006-12-01

BSS670S2L

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 80 s

3

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

V

GS

1500

A

10V

6V

5V

4.5V

m

1200

1100

1000

900

800

700

600

I

D

2

4V

3.5V

4V

4.5V

5V

6V

10V

1.5

1

R

DS （ ON）

4

3.5V

500

400

0.5

3V

300

200

100

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

5

V

DS

0

0.2

0.4

0.6

0.8

A

I

D

1.2

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

≥

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

t

p

= 80 s

2.2

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25°C

参数：

g

fs

2.2

A

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

S

1.8

1.6

g

fs

V

5

V

GS

第5页

I

D

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.2

A

I

D

修订版2.3

2006-12-01

SMD型

产品speci fi cation

BSS670S2L

特征

N沟道

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

SOT 23

55

650

0.54

V

m

A

增强型

逻辑电平

漏

3脚

TYPE

BSS670S2L

包

SOT 23

订购代码

Q67042-S4052

记号

BSS

门

pin1

来源

销2

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

符号

I

D

价值

单位

A

0.54

0.43

I

PULS

2.2

漏电流脉冲

T

A

=25°C

门源电压

功耗

T

A

=25°C

V

GS

P

合计

± 20

0.36

V

W

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

T

j ,

T

英镑

-55... +150

55/150/56

°C

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1第3

SMD型

产品speci fi cation

BSS670S2L

热特性

参数

符号

分钟。

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚3 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

值

典型值。

马克斯。

单位

R

thjs

-

290

K / W

R

thJA

-

350

300

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=1mA

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

55

-

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=2.7A

V

GS （ TH）

1.2

1.6

2

零栅极电压漏极电流

V

DS

=55V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=55V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

I

DSS

-

I

GSS

-

0.01

10

1

100

A

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

nA

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V,

I

D

=270mA

R

DS （ ON）

-

430

825

m

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=270mA

R

DS （ ON）

-

346

650

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 3

SMD型

产品speci fi cation

BSS670S2L

电气特性

参数

符号

条件

分钟。

动态特性

跨

g

fs

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.54A

值

典型值。

马克斯。

单位

0.6

1.2

-

S

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

=0,

V

DS

=25V,

f=1MHz

-

56

13

7

9

25

21

24

75

18

10

14

37

31

32

pF

V

DD

=30V,

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.54A,

R

G

=130

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A

-

0.19

0.57

1.7

0.25

0.86

2.26

nC

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A,

V

GS

= 0至10V

-

栅极电压平台

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

（高原）

V

DD

=40V,

I

D

=0.54A

-

3.1

-

V

I

S

T

A

=25°C

-

0.38

A

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=0.54A

V

R

=30V,

I

F =

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

0.8

51

22

2.2

1.1

64

28

V

ns

nC

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

3 3