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SOT23封装PNP硅平面

高速晶体管

第2期 - 1995年9月

PARTMARKING详细信息 -

7

BSS65 - L1

BSS65R - L5

BSS65

C

B

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

-0.75

-0.82

30

40

400

6

6

23

34

60

90

分钟。

-12

-12

-4

-100

-100

-0.15

-0.25

-0.98

-1.20

150

兆赫

pF

pF

nS

nS

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

C

P

合计

t

j

:t

英镑

典型值。

马克斯。

价值

-12

-12

-4

-200

-100

-50

330

-55到+150

单位

V

V

V

nA

nA

V

V

V

V

条件。

I

C

=-10mA

I

C

=-10

A *

I

E

=-10

A

V

CB

= -6V ，我

E

=0

V

EB

= -4V ，我

C

=0

I

C

= -10mA ，我

B

=-1mA

I

C

= -30mA ，我

B

=-3mA

I

C

= -10mA ，我

B

=-1mA

I

C

= -30mA ，我

B

=-3mA

I

C

= -10mA ，V

CE

=-0.3V

I

C

= -30mA ，V

CE

=-0.5V

I

C

= -30mA ，V

CE

=-10V,

f=100MHz

V

CB

= -5V ，我

E

=0,

f=1MHz

V

EB

= -0.5V ，我

C

= 0中，f = 1MHz的

I

C

=-30mA

I

B1

= -I

B2

= -1.5mA

V

CC

=-10V

单位

V

V

V

mA

mA

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

BreakdownVoltages

V

（ BR ） CEO

静态正向电流

FE

传输比

跃迁频率

集电极 - 基

电容

发射基地电容

f

T

C

敖包

C

EBO

t

on

t

关闭

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

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