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BSS64LT1G
驱动晶体管
NPN硅
特点
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
80
120
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
符号
P
D
最大
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1
2
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
类型6
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局,
(注1 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
凌晨米
G
G
1
AM =器件代码
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
BSS64LT1G
SOT23
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
启5
1
出版订单号:
BSS64LT1/D
BSS64LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
= 4.0 MADC )
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC )
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
= 100
MADC )
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 90 V直流)
(T
A
= 150°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 1.0伏,我
C
= 10 MADC )
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 4.0 MADC ,我
B
= 400
MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 15 MADC )
前进基地
:辐射源
电压
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 4.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 20兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC , F = 1.0兆赫)
f
T
C
ob
兆赫
60
pF
20
H
FE
V
CE ( SAT )
20
VDC
0.15
0.2
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
VDC
80
120
5.0
VDC
VDC
0.1
500
200
MADC
符号
最大
单位
I
EBO
NADC
V
BE ( SAT )
http://onsemi.com
2
BSS64LT1G
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
09
过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
类型6 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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3
BSS64LT1/D
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    -
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    -
    -
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