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SOT23 NPN硅平面

高压晶体管

第2期？九月95

7

BSS64

C

B

E

免费类型 -

PARTMARKING详细信息 -

BSS63

BSS64 - U3

BSS64R - U6

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

t

j

:t

英镑

价值

120

80

5

100

330

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极饱和

电压

静态正向电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

h

FE

分钟。

120

80

5

100

50

200

150

200

1.2

典型值。

60

80

55

典型值。

100

兆赫

马克斯。

单位

V

V

V

nA

条件。

I

C

=100

A

I

C

=4mA

I

E

=100

A

V

CB

=90V

V

CB

=90V,T

j

=150

o

C

V

EB

=5V

I

C

= 4mA时我

B

=400

A

I

C

= 50mA时我

B

=15mA

I

C

= 4mA时我

B

=400

A

I

C

= 1mA时， V

CE

=-1V

I

C

= 10毫安，V

CE

=1V

I

C

= 20mA时， V

CE

=1V

V

CE

= 10V ，我

C

=4mA

F = 35 MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

A

nA

mV

mV

mV

20

跃迁频率

f

T

60

典型值。

3

输出电容

C

敖包

5

pF

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

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