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BSS63LT1G

高压晶体管

PNP硅

特点

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

集热器

：辐射源

电压

= 10千瓦

集电极电流

连续

符号

首席执行官

CER

价值

100

110

100

单位

VDC

MADC

http://onsemi.com

集热器

BASE

辐射源

热特性

特征

器件总功耗FR - 5局，

（注1 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（注2）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

556

单位

毫瓦/°C的

° C / W

300

2.4

qJA

, T

英镑

417

+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

BM M

SOT23

CASE 318

类型6

qJA

标记图

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

=器件代码

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

订购信息

设备

BSS63LT1G

包

SOT23

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年8月

启5

出版订单号：

BSS63LT1/D

BSS63LT1G

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压

100

MADC ）

集热器

：辐射源

击穿电压

MADC ，

= 0, R

= 10千瓦）

集热器

： BASE

击穿电压

MADC ，

= 0)

辐射源

： BASE

击穿电压

MADC ）

收藏家Cuto FF电流

VDC ，我

= 0)

收藏家Cuto FF电流

110

VDC ，R

= 10千瓦）

发射Cuto FF电流

6.0

VDC ，我

= 0)

基本特征

直流电流增益

MADC ，V

1.0

VDC ）

MADC ，V

1.0

VDC ）

集热器

：辐射源

饱和电压

MADC ，我

2.5

MADC ）

BASE

：辐射源

饱和电压

MADC ，我

2.5

MADC ）

小信号特性

当前

- 获得 -

带宽积

MADC ，V

5.0

VDC ， F = 20兆赫）

案例电容

= I

= 0, V

VDC ， F = 1.0兆赫）

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

兆赫

250

900

（ BR ） CEO

（ BR ） CER

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CBO

CER

EBO

100

110

6.0

100

200

VDC

NADC

MADC

NADC

符号

民

典型值

最大

单位

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

MVDC

http://onsemi.com

BSS63LT1G

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-08

问题一

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.最大引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4. 318-01 THRU

和

过时了，新

标准318-08 。

SEE视图C

0.25

视图C

暗淡

民

0.89

0.01

0.37

0.09

2.80

1.20

1.78

0.10

0.35

2.10

MILLIMETERS

喃

最大

1.00

1.11

0.06

0.10

0.44

0.50

0.13

0.18

2.90

3.04

1.30

1.40

1.90

2.04

0.20

0.30

0.54

0.69

2.40

2.64

民

0.035

0.001

0.015

0.003

0.110

0.047

0.070

0.004

0.014

0.083

英寸

喃

0.040

0.002

0.018

0.005

0.114

0.051

0.075

0.008

0.021

0.094

最大

0.044

0.004

0.020

0.007

0.120

0.055

0.081

0.012

0.029

0.104

类型6 ：

1. PIN BASE

2.辐射源

3.收集

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

SCALE 10 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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和

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