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分立半导体
数据表
M3D111
BSS50 ; BSS51 ; BSS52
NPN达林顿晶体管
产品speci fi cation
取代1997年5月13日的数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年9月3日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
工业用高增益放大。
手册， halfpage
1
BSS50 ; BSS51 ; BSS52
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器，连接到案件
描述
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -39金属封装。
PNP补充： BSS61和BSS62 。
3
2
2
3
MAM311
1
Fig.1简化外形（ TO- 39）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSS50
BSS51
BSS52
V
CES
集电极 - 发射极电压
BSS50
BSS51
BSS52
I
C
P
合计
h
FE
f
T
集电极电流
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
T
AMB
≤
25
°C
T
例
≤
25
°C
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
V
BE
= 0
2000
200
45
60
80
1
0.8
5
兆赫
V
V
V
A
W
W
条件
发射极开路
60
80
90
V
V
V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1997年9月3日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BSS50
BSS51
BSS52
V
CES
集电极 - 发射极电压
BSS50
BSS51
BSS52
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
T
例
≤
25
°C
集电极开路
V
BE
= 0
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BSS50 ; BSS51 ; BSS52
分钟。
65
65
马克斯。
60
80
90
45
60
80
5
1
2
100
0.8
5
+150
200
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-C
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
条件
在自由空气
价值
220
35
单位
K / W
K / W
1997年9月3日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CES
BSS50
BSS51
BSS52
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
参数
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 45 V
V
BE
= 0; V
CE
= 60 V
V
BE
= 0; V
CE
= 80 V
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
V
CESAT
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 500毫安;我
B
- 0.5毫安
条件
BSS50 ; BSS51 ; BSS52
分钟。
典型值。马克斯。单位
50
50
50
50
1.3
1.3
1.6
2.3
1.6
1.6
1.9
2.2
2.2
1.65
1.75
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
s
s
s
s
nA
nA
nA
nA
1000
2000
1.3
1.4
200
I
C
= 500毫安;我
B
= 0.5毫安;牛逼
j
= 200
°C
集电极 - 发射极饱和电压
BSS51
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
BSS50 ; BSS52
V
BESAT
V
BESAT
基射极饱和电压
基射极饱和电压
BSS51
BSS50 ; BSS52
V
BEON
f
T
t
on
基极 - 发射极导通电压
跃迁频率
I
C
= 1 ;我
B
= 1毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 4毫安
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
CON
= 500毫安;我
BON
= 0.5毫安;
I
B关
=
0.5
mA
I
CON
= 1 ;我
BON
= 1毫安;我
B关
=
1
mA
t
关闭
打开-O FF时间
I
CON
= 500毫安;我
BON
= 0.5毫安;
I
B关
=
0.5
mA
I
CON
= 1 ;我
BON
= 1毫安;我
B关
=
1
mA
开关时间（10％和90％之间）
开启时间
I
C
= 1 ;我
B
= 4毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 4毫安;牛逼
j
= 200
°C
I
C
= 500毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 1毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 1毫安;牛逼
j
= 200
°C
0.5
0.4
1.3
1.5
1997年9月3日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
金属圆柱可以单端封装; 3引线
BSS50 ; BSS51 ; BSS52
SOT5/11
j
B
α
飞机座位
w
M
A
M
B
M
1
b
k
2
3
D
1
a
A
D
A
L
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
6.60
6.35
a
5.08
b
D
D
1
j
k
L
14.2
12.7
w
0.2
α
45
°
0.48 9.39 8.33 0.85 0.95
0.41 9.08 8.18 0.75 0.75
概要
VERSION
SOT5/11
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-39
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-04-11
1997年9月3日
5
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