【BSS306N的OptiMOS2小信号三极管特点 N沟道增强型逻辑电平（ 4.5V额定）额定雪崩符合】,IC型号BSS306N,BSS306N PDF资料,BSS306N经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSS306N

的OptiMOS

2小信号三极管

特点

N沟道

增强型

逻辑电平（ 4.5V额定）

额定雪崩

符合AEC Q101标准

100 ％无铅化;符合RoHS标准

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

V

GS

=10 V

V

GS

=4.5 V

I

D

30

57

93

2.3

A

V

m

PG-SOT23

3

1

2

TYPE

BSS306N

包

SOT23

磁带和卷轴信息

L6327 ： 3000个/卷

记号

SWS

无铅

是的

填料

非干

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

A

=25 °C

T

A

=70 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

I

D，脉冲

E

AS

T

A

=25 °C

I

D

=2.3 A,

R

GS

=25

I

D

=2.3 A,

V

DS

=16 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=150 °C

价值

2.3

1.8

9

10.8

mJ

单位

A

反向二极管的dv / dt

的dV / dt

6

KV / μs的

门源电压

功耗

工作和存储温度

防静电类

焊接温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

JESD22- A114 -HBM

T

A

=25 °C

±20

0.5

-55 ... 150

0 （ <250V ）

260 °C

55/150/56

V

W

°C

REV 2.2

第1页

2010-03-25

BSS306N

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，

结 - 环境

R

thJA

1)

值

典型值。

马克斯。

单位

最小的足迹

-

250

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=11 A

V

DS

=30 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=30 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=1.85 A

V

GS

=10 V,

I

D

=2.3 A

跨

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=1.8 A

30

1.2

-

1.6

-

2

1

A

V

-

67

44

5

100

93

57

-

S

nA

m

在40毫米进行

2

FR4 PCB 。的痕迹1mm宽， 70微米厚，长20mm ;它们是对的两侧

PCB 。

1)

REV 2.2

第2页

2010-03-25

BSS306N

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

A

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=2.3 A,

T

j

=25 °C

V

R

=10 V,

I

F

=2.3 A,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

0.83

14.4

2.9

0.5

9

1.1

-

V

ns

nC

A

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=15 V,

I

D

=2.3 A,

V

GS

= 0至5伏

-

0.65

0.45

1.5

3.1

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=2.3 A,

R

G

=6

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

207

75

12

4.4

2.3

8.3

1.4

275

100

17

-

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

REV 2.2

第3页

2010-03-25

BSS306N

1功耗

P

合计

= F （T

A

)

2漏极电流

I

D

= F （T

A

);

V

GS

≥10

V

0.6

2.4

0.5

2

0.4

1.6

P

合计

[W]

0.3

I

D

[A]

0

40

80

120

160

1.2

0.2

0.8

0.1

0.4

0

40

80

120

160

T

A

[°C]

T

A

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

A

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

1

1毫秒

10毫秒

100 s

10 s

1 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJA

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

3

10

0

DC

0.5

10

2

Z

thJA

〔 K / W〕

10

-1

0.2

I

D

[A]

0.1

0.05

10

-2

10

1

0.02

0.01

单脉冲

10

-3

10

-4

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

0

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

V

DS

[V]

t

p

[s]

REV 2.2

第4页

2010-03-25

BSS306N

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

6

10 V

4.5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

200

3V

160

4V

3.5 V

3.3 V

3.5 V

4

3.3 V

R

DS （ ON）

[m]

120

I

D

[A]

4V

80

4.5 V

5V

2

3V

40

2.8 V

10 V

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0

2

4

6

8

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

5

9

4

7.5

6

3

g

fs

[S]

2

150 °C

25 °C

I

D

[A]

4.5

3

1

1.5

0

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

5

V

GS

[V]

I

D

[A]

REV 2.2

第5页

2010-03-25

产品speci fi cation

BSS306N

的OptiMOS 2小信号三极管

特点

N沟道

增强型

逻辑电平（ 4.5V额定）

额定雪崩

符合AEC Q101标准

100 ％无铅化;符合RoHS标准

无卤素根据IEC61249-2-21

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

V

GS

=10 V

V

GS

=4.5 V

I

D

30

57

93

2.3

A

V

mΩ

PG-SOT23

3

1

2

TYPE

BSS306N

包

SOT23

磁带和卷轴信息

H6327 ： 3000个/卷

记号

SWS

无铅

是的

填料

非干

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

A

=25 °C

T

A

=70 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

I

D，脉冲

E

AS

T

A

=25 °C

I

D

=2.3 A,

R

GS

=25

Ω

I

D

=2.3 A,

V

DS

=16 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=150 °C

价值

2.3

1.8

9

10.8

mJ

单位

A

反向二极管的dv / dt

的dV / dt

6

KV / μs的

门源电压

功耗

工作和存储温度

防静电类

焊接温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

JESD22- A114 -HBM

T

A

=25 °C

±20

0.5

-55 ... 150

0 （ <250V ）

260 °C

55/150/56

V

W

°C

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1第3

产品speci fi cation

BSS306N

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，

结 - 环境

1)

值

典型值。

马克斯。

单位

R

thJA

最小的足迹

-

250

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=11 A

V

DS

=30 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=30 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=1.85 A

V

GS

=10 V,

I

D

=2.3 A

跨

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=1.8 A

30

1.2

-

1.6

-

2

1

μA

V

-

67

44

5

100

93

57

-

S

nA

mΩ

1)

在40毫米进行

2

FR4 PCB 。的痕迹1mm宽， 70微米厚，长20mm ;它们是对的两侧

PCB 。

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

2 3

产品speci fi cation

BSS306N

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0 V,

I

F

=2.3 A,

T

j

=25 °C

V

R

=10 V,

I

F

=2.3 A,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

T

A

=25 °C

-

0.83

14.4

2.9

0.5

9

1.1

-

V

ns

nC

A

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=15 V,

I

D

=2.3 A,

V

GS

= 0至5伏

-

0.65

0.45

1.5

3.1

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=2.3 A,

R

G

=6

Ω

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

207

75

12

4.4

2.3

8.3

1.4

275

100

17

-

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

3 3